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濕法制程整體解決方案提供商
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2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿(mǎn)足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專(zhuān)有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶(hù)要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí)，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動(dòng)，浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動(dòng)片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時(shí)間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF...
2016 - 03 - 07
SPM腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國(guó)內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來(lái)與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開(kāi)發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備。其中SPM自動(dòng)清洗系統(tǒng)設(shè)備主要用于LED芯片制造過(guò)程中硅片表面有機(jī)顆粒和部分金屬顆粒污染的自動(dòng)清洗工藝。設(shè) 備 名  稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-SPM腐蝕酸洗機(jī)適 用 領(lǐng)  域LED外延及芯片制造設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備基 本 介 紹主要功能：通過(guò)對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理，從而達(dá)到一個(gè)用戶(hù)要求的效果可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸（25片/藍(lán)）設(shè)備形式：室內(nèi)放置型操作形式：自動(dòng)設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096；18913575037更多的全自動(dòng)半導(dǎo)體SPM腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶(hù)可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱(chēng)CSE-單片清洗機(jī)類(lèi)  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
2016 - 03 - 10
PP通風(fēng)櫥---華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-PP通風(fēng)柜 專(zhuān)為氫氟酸及硝化類(lèi)濃酸設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)櫥，克服了傳統(tǒng)通風(fēng)柜在高溫濃酸環(huán)境下易生銹、變黃、龜裂等缺陷，具有的耐酸堿性能。適用行業(yè)：適用于各類(lèi)研究實(shí)驗(yàn)室---半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室、藥物實(shí)驗(yàn)室 【產(chǎn)品描述】設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-PP通風(fēng)柜產(chǎn)品描述【柜體】：采用厚8-12mm瓷白色PP制作，耐酸堿性能優(yōu)異。經(jīng)CNC精確裁切加工后，同色同質(zhì)焊條熔焊修飾處理，表面無(wú)銳角?！旧喜抗耋w】：排氣柜采用頂罩式抽氣設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)有1個(gè)∮250mm排風(fēng)口。導(dǎo)流板采用同質(zhì)PP材料制作，耐酸堿性能優(yōu)異。安裝尺寸科學(xué)合理，無(wú)氣流死角，獲取最大的廢氣捕捉性能?！静僮髋_(tái)面】：臺(tái)面采用12mmPP板制作，耐酸堿性能優(yōu)異。通風(fēng)柜臺(tái)面上水槽根據(jù)用戶(hù)要求配置?！鞠虏抗耋w】：儲(chǔ)物柜體，中間加一層隔板。鉸鏈采用黑色塑料鉸鏈，耐腐蝕性能好。拉手采用同質(zhì)C型PP拉手?！菊{(diào)節(jié)門(mén)】1. 調(diào)節(jié)門(mén)玻璃：采用厚4mm透明亞克力玻璃制作，耐酸堿性能優(yōu)異。2.調(diào)節(jié)門(mén)邊框：為厚瓷白色PP板c型槽，嵌入式結(jié)合，以確保安全及耐用性。  3.調(diào)節(jié)門(mén)懸吊鋼索：每臺(tái)通風(fēng)柜調(diào)節(jié)門(mén)鋼索連接。4.調(diào)節(jié)門(mén)平衡配重：采無(wú)段式配重箱設(shè)計(jì)，其上下行程具靜音軌道予以限制避免搖晃碰撞?！倦娖髟O(shè)備】1.開(kāi)關(guān)：按鈕帶燈式自鎖開(kāi)關(guān)，包含風(fēng)機(jī)開(kāi)關(guān)，照明開(kāi)關(guān)，總電源開(kāi)關(guān)。2....
2016 - 06 - 06
廢氣處理系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE 的廢氣處理系統(tǒng)可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體，負(fù)壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa； 設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-廢氣處理系統(tǒng)系統(tǒng)說(shuō)明1.可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體，負(fù)壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa；2.工藝穩(wěn)定,負(fù)壓波動(dòng)在15%.3.電壓:380V，三相五線(xiàn)，8KW；4.采用英國(guó)廢氣處理系統(tǒng)工藝，CSE在原工藝上經(jīng)過(guò)升級(jí)改造，新的系統(tǒng)推出市場(chǎng)后，客戶(hù)反映效果較好；系統(tǒng)工作原理為酸性/堿性/其它特殊氣體處理系統(tǒng)，主要由以下幾大部分組成：負(fù)壓腔、正壓腔、初級(jí)錐形噴淋塔、三級(jí)噴淋凈化塔、高壓射流器、抽風(fēng)孔、負(fù)壓動(dòng)力泵、循環(huán)噴淋泵、電控系統(tǒng);廢氣經(jīng)過(guò)一級(jí)錐形噴淋塔進(jìn)入負(fù)壓腔內(nèi)（每個(gè)噴淋塔中間為傘裝型噴頭，對(duì)廢氣層形成水封，瞬間中和廢氣）、通過(guò)射流器產(chǎn)生負(fù)壓把負(fù)壓腔內(nèi)的廢氣抽入正壓腔內(nèi)中和（在負(fù)壓腔與正壓腔之間設(shè)有三級(jí)噴淋凈化塔，三級(jí)噴淋凈化塔內(nèi)配有PP填料，配有噴嘴，再次充分噴淋中和廢氣）、處理完的氣通過(guò)正壓腔上的排氣口排出。成功案例河北普興電子有限公司上海新傲半導(dǎo)體有限公司上海硅酸鹽研究所中試基地蘇州納維科技有限公司設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037更多...
2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 完美適應(yīng)當(dāng)前所有型號(hào)的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開(kāi)口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時(shí)可裝載晶圓直徑至300mm的前端開(kāi)口片盒（Foup片盒）三種設(shè)備尺寸滿(mǎn)足客戶(hù)特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開(kāi)口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開(kāi)口片盒（Foup片盒）清洗產(chǎn)能：每小時(shí)18組前端開(kāi)口片盒（Foup片盒） 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過(guò)程 或是同時(shí)4組花籃和片盒，或是12個(gè)花籃(Cleanstep I/II) 簡(jiǎn)單快捷的對(duì)不同尺寸的片盒和花籃進(jìn)行切換 旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過(guò)控制系統(tǒng)對(duì)自鎖裝置的檢測(cè)，達(dá)到安全加載片盒和花籃，及其運(yùn)行特征和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用不同化學(xué)品（稀釋劑）來(lái)清洗 泵傳輸清洗液 計(jì)量調(diào)整可通過(guò)軟件設(shè)置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠(chǎng)務(wù)供應(yīng) — 標(biāo)準(zhǔn)化 或有一個(gè)體積約100升的熱水預(yù)備槽（循環(huán)泵...
2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶(hù)需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺(tái)產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn)： 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)0513- 87733829可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機(jī)優(yōu)    點(diǎn) 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝 不同配置（可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單臺(tái)獨(dú)立、雙腔） 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設(shè)備帶有滾輪可移動(dòng) 優(yōu)越的可靠性 獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃 可選內(nèi)置電阻率檢測(cè)傳感器來(lái)控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面： 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個(gè)菜單，每個(gè)菜單可有10步 多等級(jí)用戶(hù)密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測(cè)裝置 機(jī)械手自動(dòng)加載 可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單臺(tái)獨(dú)立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設(shè)計(jì)的花籃設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8798096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱(chēng)：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)...
2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱(chēng)：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類(lèi)采用一般型靜...
2017 - 12 - 06
GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-GMP自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱(chēng)華林科納（江蘇）CSE-GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱(chēng)：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8...
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華林科納的經(jīng)營(yíng)理念
誠(chéng)信  創(chuàng)新  發(fā)展  共贏(yíng)
第一

比客戶(hù)對(duì)自己的需求了解更多，提供最可靠，最高性?xún)r(jià)比，最小破損的處理工藝

Than the customer needs to learn more on their own, provide the most reliable, cost-effective, minimal damage treatment process
第二

不斷提高濕處理工藝及設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)整個(gè)處理鏈的最優(yōu)化性能

And continuously improve the wet process equipment standards, for optimal performance of the entire processing chain
第三

與客戶(hù)合作研究，達(dá)成最優(yōu)的定制工藝處理方案

Collaborative research with customers to achieve optimal customized process solutions
華林科納的發(fā)展優(yōu)勢(shì)
國(guó)際水準(zhǔn)，引領(lǐng)未來(lái)
從模具設(shè)計(jì)到組裝，因?yàn)樽约旱纳a(chǎn)線(xiàn)的快速反饋
生產(chǎn)
團(tuán)隊(duì)
專(zhuān)業(yè)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)服務(wù)!
縮短同行業(yè)公司10％
交貨
價(jià)格
質(zhì)量全過(guò)程控制，提高生產(chǎn)的能力，可以受益于我們的客戶(hù)
半導(dǎo)體電子行業(yè)
太陽(yáng)能光伏行業(yè)
化工石油冶煉行業(yè)
科研實(shí)驗(yàn)室
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企業(yè)社會(huì)責(zé)任 —— 客戶(hù)服務(wù)華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司始終圍繞客戶(hù)需求，以解決問(wèn)題的態(tài)度，憑借多年積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，分別在清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)等廣泛領(lǐng)域，為各行業(yè)提供針對(duì)性解決方案，滿(mǎn)足不同客戶(hù)日益豐富的個(gè)性化需求。同時(shí)，華林科納在求新求變的過(guò)程中，以“更加貼近”客戶(hù)的服務(wù)理念，用更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)為客戶(hù)創(chuàng)造更多的價(jià)值，保障客戶(hù)權(quán)益不受侵害。
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華林科納動(dòng)態(tài)
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    Date updated： 2021 - Apr - 12
    1.2、異質(zhì)結(jié)電池工藝流程簡(jiǎn)潔，擁有更高開(kāi)路電壓：異質(zhì)結(jié)的工藝流程更為簡(jiǎn)潔，獨(dú)特工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO膜沉積。異質(zhì)結(jié)電池全稱(chēng)為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer），又稱(chēng)HIT、HJT或SHJ電池。其工藝流程十分簡(jiǎn)潔，主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四道工序。與需要10余項(xiàng)流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工藝流程相當(dāng)簡(jiǎn)潔。而且其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨(dú)特的工藝在于非晶硅薄膜沉積以及TCO膜沉積。 從技術(shù)原理來(lái)看，HIT擁有更低的載流子復(fù)合速率和更低的接觸阻抗造就了更高的開(kāi)路電壓。獲得更高開(kāi)路電壓的兩個(gè)重要條件是避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，同時(shí)還要降低電阻促進(jìn)多數(shù)載流子更有效運(yùn)輸。PERC技術(shù)由于其不可避免的開(kāi)槽工藝造成了多子橫向輸運(yùn)損耗，同時(shí)在開(kāi)槽處金屬極與Si局域接觸仍然有較高的復(fù)合。而ITO薄膜（氧化銦錫薄膜，TCO薄膜中性能最好的材料）的特性是載流子復(fù)合速率高，但其接觸電阻率低，而非晶硅薄膜（a-Si:H）的特性是載流子復(fù)合速率低，但接觸電阻率高。異質(zhì)結(jié)電池中薄膜沉積的順序是非晶硅薄膜偏中間而ITO在最外層，這一順序決定了異質(zhì)結(jié)電池完美地結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。具體而言，非晶硅薄膜在偏中間位置，當(dāng)光照到電池內(nèi)時(shí)，光生伏特效應(yīng)下產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)，在P-N結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，電子向N區(qū)定向移動(dòng)，空穴則向P區(qū)。以P區(qū)為例，這個(gè)過(guò)程中，在P區(qū)靠近內(nèi)建電場(chǎng)處，由于本征激發(fā)的電子（P區(qū)的少子）受內(nèi)建電場(chǎng)作用可能往N區(qū)移動(dòng)，P區(qū)的電子和來(lái)自向P區(qū)定向移動(dòng)的空穴就可能互相靠近發(fā)生復(fù)合。在異質(zhì)結(jié)電池中，可能發(fā)生復(fù)合的區(qū)域則沉積了非晶硅薄膜（a-Si:H），低載流子復(fù)合率的優(yōu)勢(shì)就發(fā)揮出來(lái)了，同時(shí)由于在內(nèi)部并沒(méi)有與金屬極接觸，高接觸電阻的劣勢(shì)并沒(méi)有顯...
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    Date updated： 2021 - Aug - 6
    MEMS（Micro Electro mechanical System）即微機(jī)電系統(tǒng)，是指采用微機(jī)電加工技術(shù)按照功能要求在微米量級(jí)的芯片上集成機(jī)械零件、電子組件和傳感器執(zhí)行組件等而形成的一個(gè)獨(dú)立智能系統(tǒng)。由于單晶石英材料具有壓電效應(yīng)，且具有優(yōu)良的溫度、機(jī)械性能、高品質(zhì)因素等特性，采用單晶石英制作的石英 MEMS 加速度傳感器、壓力傳感器和石英 MEMS 陀螺儀等，具有高精度、高穩(wěn)定性、高分辨率等特點(diǎn)，在微型慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、姿態(tài)測(cè)量與控制、航空航天、汽車(chē)電子、儀器儀表等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，其加工工藝和設(shè)備制造技術(shù)研究對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支持具有十分重要的意義。 1 石英 MEMS 傳感器敏感芯片結(jié)構(gòu)石英 MEMS 傳感器主要應(yīng)用于振動(dòng)慣性器件，是通過(guò)振動(dòng)原理測(cè)量運(yùn)動(dòng)物體的各種運(yùn)動(dòng)參數(shù)（包括角速度、角度、線(xiàn)加速度等）的慣性器件。石英 MEMS 振動(dòng)慣性器件主要包括石英微機(jī)械振動(dòng)陀螺、石英振梁加速度計(jì)等，其敏感結(jié)構(gòu)采用石英晶體，基于石英晶體壓電效應(yīng)原理、采用微電子加工工藝，是振動(dòng)慣性技術(shù)與微機(jī)械加工技術(shù)的有機(jī)結(jié)合。石英微機(jī)械振動(dòng)陀螺是一種音叉結(jié)構(gòu)的哥氏振動(dòng)陀螺，是一種 MEMS 角速度傳感器。其敏感芯片結(jié)構(gòu)為雙端音叉結(jié)構(gòu)，包括驅(qū)動(dòng)音叉、讀出音叉及支撐結(jié)構(gòu)。石英微機(jī)械振動(dòng)陀螺工作原理及敏感芯片結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。驅(qū)動(dòng)音叉被激勵(lì)以其自然頻率左右振動(dòng)，當(dāng)石英 MEMS 陀螺繞其垂直軸旋轉(zhuǎn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)音叉受到哥氏力（Coriolis）的作用產(chǎn)生一個(gè)垂直于音叉平面的振動(dòng)，這個(gè)哥氏力運(yùn)動(dòng)傳遞到讀出音叉，使讀出音叉垂直于音叉平面的方向振動(dòng)，振動(dòng)幅度正比于驅(qū)動(dòng)音叉的速度和外加速度，利用壓電效應(yīng)，通過(guò)制作在讀出音叉上的電極即可檢測(cè)到電信號(hào)，再經(jīng)過(guò)讀出電路解調(diào)得到一個(gè)正比于輸入角速度的直流電壓輸出。敏感芯片結(jié)構(gòu)是以石英晶體為基體材料的一體式音叉結(jié)構(gòu)，有雙端音叉、單端音叉等結(jié)構(gòu)形式。雙端音叉結(jié)構(gòu)...
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    Date updated： 2021 - Aug - 6
    論是醫(yī)學(xué)，還是航空航天，抑或是信息科技，在我們能夠想到的科技領(lǐng)域中，材料都扮演著極其重要的角色。材料的強(qiáng)度、柔韌度、耐腐蝕性、電子遷移率、比表面積等等各種物理、化學(xué)、電學(xué)性質(zhì)，默默影響著最終產(chǎn)品性能的實(shí)現(xiàn)或發(fā)揮，甚至起著決定勝負(fù)的作用。這也是為什么很多科學(xué)家在孜孜不倦地尋找更多新型材料，因?yàn)樾碌牟牧闲阅?，意味著全新的可能，為新技術(shù)的實(shí)現(xiàn)提供了嶄新舞臺(tái)。德國(guó)科學(xué)家正在研制一種由鎂制成的小型植入物和螺釘，具有足夠的機(jī)械穩(wěn)定性，并在人體內(nèi)的降解程度可控，不會(huì)導(dǎo)致人體組織損傷。在骨頭破裂的地方，醫(yī)生通常會(huì)用植入物來(lái)固定骨頭碎片，而選擇哪種植入物需要慎重考慮。鈦或鋼制螺釘和固定板在機(jī)械、化學(xué)性能上非常穩(wěn)定，但如果要拆卸就必須再次手術(shù)；有機(jī)材料植入物，則可能會(huì)慢慢溶解，還存在強(qiáng)度不足、溶解物對(duì)人體有害等缺點(diǎn)。針對(duì)這一難題，德國(guó)聯(lián)邦材料測(cè)試研究所利用鎂開(kāi)發(fā)出功能表面最佳的合金板和矯形螺釘。這種鎂植入物尤其適用于骨骼迅速增長(zhǎng)的兒童，生物降解的螺釘不會(huì)影響孩子的骨骼生長(zhǎng)，可以免去二次手術(shù)，降低感染風(fēng)險(xiǎn)并節(jié)省成本。            研究人員艾利·布魯尼克說(shuō)：“鎂合金植入物不僅具有生物相容性，而且在最初的脆弱愈合階段具有與骨骼相似的機(jī)械性能，因此比鈦更合適。”想用鎂合金做植入物，最重要的一點(diǎn)就是防腐，最為簡(jiǎn)單的一項(xiàng)措施就是清洗鎂合金的表面。腐蝕生于鎂合金表面，表面上所有的一切都可能會(huì)影響到鎂合金的腐蝕。清潔的表面，去除表面上的雜質(zhì)與腐蝕劑，可能使鎂合金的腐蝕速度降低。不僅如此，適當(dāng)?shù)谋砻媲逑匆彩擎V合金表面處理的重要環(huán)節(jié)。利用超聲波清洗技術(shù)后可在鎂合金表面直接進(jìn)行電鍍的新型工藝技術(shù)，所獲鍍層均勻，致密,與基體結(jié)合良好。華林科納鎂合金超聲波清洗方法，將需清洗的鎂合金...
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    Date updated： 2021 - Aug - 6
    1. 引言目前半導(dǎo)體IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時(shí)代，集成電路的特征向著納米尺寸發(fā)展，這就要求集成電路用表面質(zhì)量越來(lái)越高的單晶硅片或者外延硅片，表面如有加工過(guò)程的機(jī)械損傷等，會(huì)造成外延表面的缺陷或者層錯(cuò)，這也會(huì)給后續(xù)器件加工帶來(lái)良率損失。根據(jù)目前硅片加工技術(shù)看，拋光襯底或者外延襯底表面粗糙度基本在納米級(jí)別，微電子技術(shù)從微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)，甚至到14或者7 nm級(jí)別，對(duì)硅片表面的微粗糙度或者顆粒的特征粒徑尺寸要求越來(lái)越小 ，150 mm或者200 mm重?fù)絾尉L(zhǎng)外延后，需要嚴(yán)格管控表面顆粒和缺陷水平，如果顆粒過(guò)多，會(huì)造成外延缺陷，影響產(chǎn)品成品率和表層質(zhì)量，一般要求硅片顆粒小于特征線(xiàn)寬的三分之一。通常情況下，由于襯底原因或者外延原因造成的外延層霧狀缺陷，通過(guò)清洗的方式是去除不掉的，所以一般會(huì)考慮襯底或者外延工藝改進(jìn)。有些學(xué)者也利用原子力顯微鏡進(jìn)行微觀(guān)分析霧狀微觀(guān)形態(tài)，霧狀區(qū)域起伏較大 。對(duì)于影響外延片表面顆粒質(zhì)量的，我們需要從襯底片表面和外延反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行探討，襯底表面粗糙度增大，會(huì)嚴(yán)重影響外延片的表面質(zhì)量 ，同時(shí)外延工藝中合適氣體的選擇使用也會(huì)進(jìn)一步提高外延片表面的質(zhì)量。 本文發(fā)現(xiàn)部分拋光硅片在外延后出現(xiàn)0.12 um顆粒聚集分布現(xiàn)象，外延爐同爐其他批次外延后均未發(fā)現(xiàn)有類(lèi)似現(xiàn)象。為解決此類(lèi)問(wèn)題，我們對(duì)拋光片襯底微粗糙度進(jìn)行分析，并外延驗(yàn)證。 2. 實(shí)驗(yàn)部分實(shí)驗(yàn)樣品為150 mm重?fù)紸s硅片，厚度675 ± 15 um，晶向，電阻率2~4 mohcm，本實(shí)驗(yàn)通過(guò)硅拋光機(jī)將硅片拋光，然后使用清洗機(jī)經(jīng)過(guò)SC1和SC2清洗干燥；利用KAL Tencor SP1測(cè)試表面顆粒；然后進(jìn)行外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度1100℃，外延厚度50~60 um；外延后利用SP1測(cè)試表面顆粒分析。拋光片利用NiKon eclipse L200N顯微鏡測(cè)試表面形貌，利用NEW...
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    Date updated： 2021 - Aug - 6
    高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原料，在未來(lái)的50年里，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產(chǎn)業(yè)主要原材料。近年來(lái)，全球太陽(yáng)能電池產(chǎn)量快速增加，直接拉動(dòng)了多晶硅需求的迅猛增長(zhǎng)。多晶硅市場(chǎng)需求經(jīng)歷了由“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)”向“光伏產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)”的轉(zhuǎn)變。光伏行業(yè)很快出現(xiàn)高速發(fā)展的局面，硅材料生產(chǎn)過(guò)程中必需的清洗設(shè)備的市場(chǎng)需求仍然非常大。這些設(shè)備分別用于半導(dǎo)體材料行業(yè)中多晶硅塊料、棒料和硅芯的清洗。我公司結(jié)合多年電子行業(yè)清洗機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)該工藝的生產(chǎn)特點(diǎn)，開(kāi)發(fā)出針對(duì)以上產(chǎn)品的專(zhuān)用全自動(dòng)清洗設(shè)備，并已在多家硅材料生產(chǎn)廠(chǎng)家得以成功應(yīng)用。1、工藝研究在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，清洗的作用是在盡量減小材料損失的前提下，有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英器Ⅲ的污染物。采用酸液剝離表面沾污層，再通過(guò)純水進(jìn)行沖洗的方法達(dá)到洗凈效果。在規(guī)模生產(chǎn)中，一般采用HF+HNO3,作為腐蝕液與硅材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。為了降低剝離層厚度，對(duì)于反應(yīng)溫度、時(shí)間的控制非常關(guān)鍵。對(duì)于塊狀料，由于其形狀不規(guī)則且處理過(guò)程互相堆疊，增加了清洗及干燥的難度，我們?cè)诮?jīng)過(guò)多次試驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)：對(duì)腐蝕槽溶液降溫能有效控制反應(yīng)速度、降低材料損失并可以獲得更好的表面質(zhì)量。通過(guò)QDR、階梯溢流、加熱超聲的依次水洗，可以將殘留酸液去除。熱氮吹掃去除水滴，真空加熱干燥對(duì)于堆疊工件（塊狀料）的干燥效果良好。2、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基于上述結(jié)果，結(jié)合考慮塊狀料和棒狀料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，我們進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工位排布。硅塊清洗設(shè)備工位排布：酸腐蝕→QDR水洗→2階梯溢流水洗→加熱超聲水洗→熱氮吹掃→真空加熱干燥（3工位并行）；硅棒/硅芯清洗設(shè)備工位排布：酸腐蝕→QDR/溢流水洗→超聲水洗→熱氮吹掃。2.1腐蝕槽HF+HNO3與硅材料反應(yīng)劇烈，產(chǎn)生大量的熱量及煙霧。在不加制冷的情況下，溶液溫度可達(dá)100℃以上。這樣，在工件由腐蝕槽取出后，...
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    Date updated： 2021 - Apr - 12
    1.2、異質(zhì)結(jié)電池工藝流程簡(jiǎn)潔，擁有更高開(kāi)路電壓：異質(zhì)結(jié)的工藝流程更為簡(jiǎn)潔，獨(dú)特工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO膜沉積。異質(zhì)結(jié)電池全稱(chēng)為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer），又稱(chēng)HIT、HJT或SHJ電池。其工藝流程十分簡(jiǎn)潔，主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四道工序。與需要10余項(xiàng)流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工藝流程相當(dāng)簡(jiǎn)潔。而且其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨(dú)特的工藝在于非晶硅薄膜沉積以及TCO膜沉積。 從技術(shù)原理來(lái)看，HIT擁有更低的載流子復(fù)合速率和更低的接觸阻抗造就了更高的開(kāi)路電壓。獲得更高開(kāi)路電壓的兩個(gè)重要條件是避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，同時(shí)還要降低電阻促進(jìn)多數(shù)載流子更有效運(yùn)輸。PERC技術(shù)由于其不可避免的開(kāi)槽工藝造成了多子橫向輸運(yùn)損耗，同時(shí)在開(kāi)槽處金屬極與Si局域接觸仍然有較高的復(fù)合。而ITO薄膜（氧化銦錫薄膜，TCO薄膜中性能最好的材料）的特性是載流子復(fù)合速率高，但其接觸電阻率低，而非晶硅薄膜（a-Si:H）的特性是載流子復(fù)合速率低，但接觸電阻率高。異質(zhì)結(jié)電池中薄膜沉積的順序是非晶硅薄膜偏中間而ITO在最外層，這一順序決定了異質(zhì)結(jié)電池完美地結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。具體而言，非晶硅薄膜在偏中間位置，當(dāng)光照到電池內(nèi)時(shí)，光生伏特效應(yīng)下產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)，在P-N結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，電子向N區(qū)定向移動(dòng)，空穴則向P區(qū)。以P區(qū)為例，這個(gè)過(guò)程中，在P區(qū)靠近內(nèi)建電場(chǎng)處，由于本征激發(fā)的電子（P區(qū)的少子）受內(nèi)建電場(chǎng)作用可能往N區(qū)移動(dòng)，P區(qū)的電子和來(lái)自向P區(qū)定向移動(dòng)的空穴就可能互相靠近發(fā)生復(fù)合。在異質(zhì)結(jié)電池中，可能發(fā)生復(fù)合的區(qū)域則沉積了非晶硅薄膜（a-Si:H），低載流子復(fù)合率的優(yōu)勢(shì)就發(fā)揮出來(lái)了，同時(shí)由于在內(nèi)部并沒(méi)有與金屬極接觸，高接觸電阻的劣勢(shì)并沒(méi)有顯...
企業(yè)行業(yè)新聞
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    Date updated： 2021 - Mar - 15
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響，整體市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力不足致使成長(zhǎng)持續(xù)受到壓抑。然受到車(chē)用、工業(yè)與通訊需求助力，2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為明顯，預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6,100萬(wàn)美元，年增率高達(dá)90.6%。TrendForce集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，首先，預(yù)期疫苗問(wèn)世后疫情有所趨緩，進(jìn)而帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩(wěn)；其次，隨著特斯拉（Tesla）Model 3電動(dòng)車(chē)逆變器逐漸改采SiC器件制程后，第三代半導(dǎo)體于車(chē)用市場(chǎng)逐漸備受重視；最后，中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化，今年提出十四五計(jì)劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能，上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。電動(dòng)車(chē)、工業(yè)及通訊需求回溫，帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件營(yíng)收上揚(yáng)觀(guān)察各類(lèi)第三代半導(dǎo)體器件，GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠(chǎng)如臺(tái)積電（TSMC）、世界先進(jìn)（VIS）等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn)，然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車(chē)用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?，預(yù)期2021年通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6,100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%。其中，GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得消費(fèi)者青睞，截至目前筆電廠(chǎng)商也有意跟進(jìn)。TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，GaN器件會(huì)持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件，且年增率將在2022年達(dá)到最高峰，后續(xù)隨著廠(chǎng)商采用逐漸普及，成長(zhǎng)動(dòng)能將略為趨緩。SiC器件部分，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該襯底，因而6英寸晶圓的供應(yīng)量顯得吃緊，預(yù)估2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達(dá)6.8億美...
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    Date updated： 2021 - Aug - 6
    1.國(guó)內(nèi)砷化鎵材料發(fā)展現(xiàn)狀目前中國(guó)的砷化鎵材料生產(chǎn)企業(yè)主要以L(fǎng)ED用低阻砷化鎵晶片為代表的低端市場(chǎng)為主，利潤(rùn)率較高的微電子用4-6英寸半絕緣晶片還沒(méi)有形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。中國(guó)大陸從事砷化鎵材料研發(fā)與生產(chǎn)的公司主要有：北京通美晶體技術(shù)有限公司（AXT）、中科晶電信息材料（北京）有限公司、天津晶明電子材料有限責(zé)任公司（中電46所）、北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司、北京國(guó)瑞電子材料有限責(zé)任公司、揚(yáng)州中顯機(jī)械有限公司、山東遠(yuǎn)東高科技材料有限公司、大慶佳昌科技有限公司、新鄉(xiāng)神舟晶體科技發(fā)展有限公司（原國(guó)營(yíng)542廠(chǎng)）等九家。北京通美是美國(guó)AXT獨(dú)資子公司，其資金、管理和技術(shù)實(shí)力在國(guó)內(nèi)砷化鎵材料行業(yè)首屈一指，產(chǎn)品主要以VGF法4、6英寸半絕緣砷化鎵材料為主。其在高純鎵、高純砷、高純鍺以及氮化硼坩堝等方面均有投資，有效地控制了公司成本，2009年銷(xiāo)售收入8 000萬(wàn)美元，短期內(nèi)國(guó)內(nèi)其它各公司還難以和北京通美形成真正的競(jìng)爭(zhēng)。中科晶電成立于2006年，主要從事VGF砷化鎵單晶生長(zhǎng)和拋光片生產(chǎn)，該公司為民營(yíng)企業(yè)，總投資為2 500萬(wàn)美元，在高純砷和高純鎵方面也已投資建廠(chǎng)。2009年月產(chǎn)2英寸砷化鎵晶片10萬(wàn)片，2010年月產(chǎn)達(dá)到15萬(wàn)片。該公司是目前國(guó)內(nèi)發(fā)展速度最快的砷化鎵企業(yè)。  天津晶明公司成立于2007年，由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所投資，注冊(cè)資本1400萬(wàn)元，總投入約5 000萬(wàn)元。主要產(chǎn)品為2英寸LED用VB法低阻砷化鎵晶體及拋光片，兼顧少量3~4英寸半絕緣砷化鎵單晶材料。目前擁用LEC單晶爐4臺(tái)，VB單晶爐60臺(tái)，已建成一條完整的單晶生長(zhǎng)及拋光片加工生產(chǎn)線(xiàn)，目前月產(chǎn)約為3萬(wàn)片。  中科鎵英公司成立于2001年，晶體生長(zhǎng)只有兩臺(tái)LEC單晶爐，目前主要在國(guó)內(nèi)購(gòu)買(mǎi)HB或VGF砷化鎵單晶進(jìn)行拋光片加工，銷(xiāo)售對(duì)象主要是國(guó)內(nèi)的LED外延企業(yè)，月產(chǎn)約2~3萬(wàn)片。 ...
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    Date updated： 2021 - Mar - 15
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響，整體市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力不足致使成長(zhǎng)持續(xù)受到壓抑。然受到車(chē)用、工業(yè)與通訊需求助力，2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為明顯，預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6,100萬(wàn)美元，年增率高達(dá)90.6%。TrendForce集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，首先，預(yù)期疫苗問(wèn)世后疫情有所趨緩，進(jìn)而帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩(wěn)；其次，隨著特斯拉（Tesla）Model 3電動(dòng)車(chē)逆變器逐漸改采SiC器件制程后，第三代半導(dǎo)體于車(chē)用市場(chǎng)逐漸備受重視；最后，中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化，今年提出十四五計(jì)劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能，上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。電動(dòng)車(chē)、工業(yè)及通訊需求回溫，帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件營(yíng)收上揚(yáng)觀(guān)察各類(lèi)第三代半導(dǎo)體器件，GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠(chǎng)如臺(tái)積電（TSMC）、世界先進(jìn)（VIS）等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn)，然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車(chē)用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?，預(yù)期2021年通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6,100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%。其中，GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得消費(fèi)者青睞，截至目前筆電廠(chǎng)商也有意跟進(jìn)。TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，GaN器件會(huì)持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件，且年增率將在2022年達(dá)到最高峰，后續(xù)隨著廠(chǎng)商采用逐漸普及，成長(zhǎng)動(dòng)能將略為趨緩。SiC器件部分，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該襯底，因而6英寸晶圓的供應(yīng)量顯得吃緊，預(yù)估2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達(dá)6.8億美...
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    Date updated： 2021 - Mar - 2
    當(dāng)我們談?wù)撔酒a(chǎn)業(yè)時(shí)，首先想到的就是光刻、刻蝕、沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等工藝，在過(guò)去的一段時(shí)間內(nèi)，《每日財(cái)報(bào)》基本對(duì)這些環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)了覆蓋。今天要講的是一個(gè)看起來(lái)不起眼但同樣重要的環(huán)節(jié)——清洗。半導(dǎo)體清洗主要是為了去除芯片生產(chǎn)中產(chǎn)生的各種沾污雜質(zhì)，是芯片制造中步驟最多的工藝，幾乎貫穿整個(gè)作業(yè)流程。由于硅片的加工過(guò)程對(duì)潔凈度要求非常高，所有與硅片接觸的媒介都可能對(duì)硅片造成污染，硅片清洗的好壞對(duì)器件性能有嚴(yán)重的影響，因此幾乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看來(lái)，芯片生產(chǎn)中所用的清洗設(shè)備似乎并沒(méi)有什么技術(shù)門(mén)檻，也就沒(méi)有那么大的價(jià)值，但事實(shí)卻并非如此，芯片制造是一個(gè)極其復(fù)雜和精致的產(chǎn)業(yè)，任何一環(huán)出現(xiàn)問(wèn)題都會(huì)前功盡棄。在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中，晶圓制造設(shè)備采購(gòu)大約占整體的80%，測(cè)試設(shè)備大約占9%，封裝設(shè)備大約占7%，其他設(shè)備大約占4%，同時(shí)清洗設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的采購(gòu)費(fèi)用占比約為6%，因此可以推算出清洗設(shè)備約占半導(dǎo)體設(shè)備投資的4.8%。1、芯片良率的“保鏢”芯片制造需要在無(wú)塵室中進(jìn)行，如果在制造過(guò)程中，有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能。據(jù)估計(jì)，80%的芯片電學(xué)失效都是由沾污帶來(lái)的缺陷引起的。沾污雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入的任何危害芯片成品率及電學(xué)性能的物質(zhì)，具體的沾污包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等。一般來(lái)說(shuō)，工藝越精細(xì)對(duì)于控污的要求越高，而且難度越大，隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入28納米、14納米等更先進(jìn)等級(jí)，工藝流程的延長(zhǎng)且越趨復(fù)雜，產(chǎn)線(xiàn)成品率也會(huì)隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個(gè)原因就是先進(jìn)制程對(duì)雜質(zhì)的敏感度更高，小尺寸污染物的高效清洗更困難，解決的方法主要是增加清洗步驟。在80-60nm制程中，清洗工藝大約100多個(gè)步驟，而到了10nm制程，增至200多個(gè)清洗步驟。根據(jù)清洗介質(zhì)不同，半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線(xiàn)。濕法工藝是使用各種化...
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    Date updated： 2021 - Mar - 2
    2018年下半年，受智能手機(jī)出貨量的下滑等因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了下行周期。不過(guò)隨著5G建設(shè)和車(chē)聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的發(fā)展，目前半導(dǎo)體市場(chǎng)正在回暖。我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)已超過(guò)萬(wàn)億規(guī)模，業(yè)已成為國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。為此，為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及材料重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。報(bào)告合集涵蓋高純?yōu)R射靶材、CMP材料、半導(dǎo)體硅片、電子氣體、封裝基板、光刻膠、光纖預(yù)制棒、濕電子化學(xué)品、半導(dǎo)體設(shè)備等九大市場(chǎng)0 1高純?yōu)R射靶材2017年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)容量達(dá)132.5億美元（半導(dǎo)體領(lǐng)域占半導(dǎo)體晶圓制造材料市場(chǎng)3%左右），預(yù)計(jì)到2020年全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)200億美元。顯示、記錄媒體、太陽(yáng)能、半導(dǎo)體是顯示靶材四大應(yīng)用市場(chǎng)，面板市場(chǎng)最大，占市場(chǎng)35%，在中國(guó)這一比例超過(guò)50%。0 2CMP材料CMP化學(xué)機(jī)械拋光是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝,用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。CMP拋光材料具有技術(shù)壁壘高，客戶(hù)認(rèn)證時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)。全球芯片拋光液市場(chǎng)主要被在美國(guó)、日本、韓國(guó)企業(yè)所壟斷，占據(jù)全球90%以上的高端市場(chǎng)份額。0 3半導(dǎo)體硅片硅片也稱(chēng)硅晶圓，是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求繼續(xù)放大，勝高統(tǒng)計(jì)全球晶圓廠(chǎng)給出的總需求指引，其復(fù)合增長(zhǎng)率為9.7%（未統(tǒng)計(jì)中國(guó)新建廠(chǎng)）；SEMI 統(tǒng)計(jì)12寸硅片上半年累計(jì)漲幅20%，下半年漲價(jià)有望繼續(xù)上漲20-30%。0 4電子氣體電子氣體是指用于半導(dǎo)體及相關(guān)電子產(chǎn)品生產(chǎn)的特種氣體，應(yīng)用范圍十分廣泛，在半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用的有110余種單元特種氣體。電子特種氣體從生產(chǎn)到分離提純以及運(yùn)輸供應(yīng)階段都存在較高的技術(shù)壁壘，市場(chǎng)準(zhǔn)入條件高，全球市場(chǎng)主要被幾家跨國(guó)巨頭壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)面臨巨大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。0 5封裝基板封裝基板已經(jīng)成為封裝材料細(xì)分領(lǐng)域銷(xiāo)售占比最大的原材料，占封裝材料比重...
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    Date updated： 2021 - Mar - 1
    5G時(shí)代下的VR/AR是通信產(chǎn)業(yè)的升級(jí)方向，產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)已日益完備　　伴隨2G到4G的升級(jí)，人類(lèi)基于移動(dòng)終端的信息交互媒介經(jīng)歷了文字、語(yǔ)音、圖片、視頻的演進(jìn)，而在5G時(shí)代，通信的發(fā)展有望繼續(xù)拓展所傳遞信息的縱深。因此我們認(rèn)為，基于VR/AR的實(shí)景交互代表著通信產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。當(dāng)前時(shí)點(diǎn)，5G的成熟為克服3D內(nèi)容實(shí)時(shí)傳輸問(wèn)題，以及因延遲造成的眩暈問(wèn)題構(gòu)建了網(wǎng)絡(luò)環(huán)境，而相應(yīng)光學(xué)元件、顯示方案、專(zhuān)用芯片的推出則為終端的興起搭建了硬件基礎(chǔ)。此外，下半年及明年華為、蘋(píng)果等大品牌終端的發(fā)布有望提振VR市場(chǎng)熱度，推薦歌爾股份、水晶光電、利亞德、京東方A，建議關(guān)注韋爾股份、聯(lián)創(chuàng)電子、蘇大維格、匯頂科技?！　?G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度有效解決終端互聯(lián)和眩暈問(wèn)題　　現(xiàn)階段主流VR頭顯刷新率在75-90Hz，在90Hz刷新率以及H.264壓縮協(xié)議下，我們計(jì)算得到1K分辨率的VR內(nèi)容需要21Mbps碼率，相較于僅能提供10Mbps碼率的4G網(wǎng)，5G可實(shí)現(xiàn)100-1024Mbps碼率，已經(jīng)可以滿(mǎn)足未來(lái)單眼8K的碼率要求。此外，VR頭顯的顯示時(shí)延極限為20ms，若超過(guò)20ms部分用戶(hù)會(huì)有明顯的眩暈感，目前VR頭顯的內(nèi)部圖像渲染以及刷新等時(shí)間約15-16ms，若增加4G網(wǎng)絡(luò)下額外10ms時(shí)延，用戶(hù)感知時(shí)延將遠(yuǎn)超過(guò)20ms，而僅有1ms的超低時(shí)延的5G可有效解決該問(wèn)題?！　R芯片、光學(xué)元件、顯示屏等硬件基礎(chǔ)已具備，VR頭顯重歸高增長(zhǎng)　　VR硬件構(gòu)成主要包括芯片、光學(xué)元件、顯示屏等，在芯片環(huán)節(jié)，高通18年推出驍龍XR1布局中低端VR頭顯，19年推出支持5G的855 plus VR移動(dòng)平臺(tái)定位高端VR頭顯。在光學(xué)元件環(huán)節(jié)，菲涅爾透鏡是解決視角場(chǎng)FOV和鏡片重量問(wèn)題的主流方案，已廣泛應(yīng)用于Oculus、HTC等品牌終端。在顯示屏環(huán)節(jié)，除了日益成熟的柔性O(shè)LED之外，京東方所推出的Fast LCD提供了可選的高性?xún)r(jià)比顯示...
FAQ / 服務(wù)中心
  • 2016 - 05 - 31
    公司名稱(chēng)：華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司公司地址：中國(guó)江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號(hào)郵編： 2260001、設(shè)備咨詢(xún)電話(huà)：0513-87733829，郵箱：sales@hlkncse.com    2、配件耗材咨詢(xún)（PFA管/PFA接頭）電話(huà)：18913575037，郵箱：service@flowtech-semi.com
  • 2016 - 03 - 23
    華林科納人才招聘半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)工程師崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)硅工藝、第三代半導(dǎo)體材料的清洗、濕法腐蝕、去膠等設(shè)備提升和工藝開(kāi)發(fā)；2、參與臨時(shí)項(xiàng)目研發(fā)團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)工藝技術(shù)研發(fā)活動(dòng)。根據(jù)項(xiàng)目需求，分析工藝難點(diǎn)，制定完備的工藝研究方案；3、獨(dú)立負(fù)責(zé)干法、濕法刻蝕工藝,進(jìn)行刻蝕工藝菜單的調(diào)試;及其優(yōu)化滿(mǎn)足工藝集成要求；4、通過(guò)許多監(jiān)控系統(tǒng)和原因分析，提出設(shè)備問(wèn)題，并為設(shè)備改善提出建設(shè)性建議；5、根據(jù)具體情況，配合業(yè)務(wù)人員跟客戶(hù)溝通設(shè)備相關(guān)事宜。任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷(含)以上， 理工科專(zhuān)業(yè)；2、微電子學(xué)和固體電子學(xué)、物理、化學(xué)、半導(dǎo)體器件專(zhuān)業(yè)優(yōu)先考慮；3、具體半導(dǎo)體光刻、鍍膜、化學(xué)清洗、刻蝕等工藝經(jīng)歷及相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備使用經(jīng)歷優(yōu)先考慮；3、具有3年以上半導(dǎo)體器件工藝開(kāi)發(fā)工作經(jīng)歷，熟悉工藝流程；4、具有獨(dú)立工作的能力和團(tuán)隊(duì)合作的精神，能在困難和挫折中繼續(xù)尋求解決問(wèn)題的途徑；  銷(xiāo)售技術(shù)工程師崗位職責(zé)：1、根據(jù)公司的發(fā)展戰(zhàn)略，積極開(kāi)拓市場(chǎng)，尋找機(jī)會(huì)，挖掘客戶(hù)需求；2、能根據(jù)客戶(hù)需求提供項(xiàng)目解決方案，并負(fù)責(zé)客戶(hù)的項(xiàng)目的發(fā)現(xiàn)、跟蹤、商務(wù)洽談、合同簽訂以及區(qū)域銷(xiāo)售目標(biāo)的達(dá)成；3、負(fù)責(zé)區(qū)域大客戶(hù)的關(guān)系維護(hù)與拓展；4、及時(shí)收集并反饋客戶(hù)信息和市場(chǎng)情況，并制定有效的銷(xiāo)售策略；5、配合領(lǐng)導(dǎo)負(fù)責(zé)建立并提升公司品牌形象，奠定良好的市場(chǎng)基礎(chǔ)。任職要求:1、光電、半導(dǎo)體物理、材料、化學(xué)化工等相關(guān)專(zhuān)業(yè)；本科以上學(xué)歷，2年以上工作經(jīng)驗(yàn)；2、熟悉大客戶(hù)銷(xiāo)售，有具體實(shí)際項(xiàng)目操作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；3、有良好的個(gè)人素養(yǎng)，勤奮踏實(shí)、認(rèn)真負(fù)責(zé)的精神以及良好的團(tuán)隊(duì)合作精神；4、有較強(qiáng)的適應(yīng)能力和應(yīng)變能力以及優(yōu)秀的溝通能力和商務(wù)談判能力者優(yōu)先考慮 市場(chǎng)銷(xiāo)售（應(yīng)屆生）崗位職責(zé)：1.負(fù)責(zé)日常銷(xiāo)售助理、行政和商務(wù)接待工作。2.公司部分老客戶(hù)的回訪(fǎng)、商機(jī)發(fā)掘、關(guān)系維護(hù)、訂單處理等工作。3.開(kāi)發(fā)新客戶(hù)，拓展...
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