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發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點： 干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進(jìn)行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng)：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護(hù)裝置：      ●設(shè)有EMO(急停裝置)，       ●強電弱點隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺，風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)w...
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06
異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途： 對高效太陽能電池異質(zhì)結(jié)電池片進(jìn)行制絨、清洗設(shè)備工藝流程：l  H2O2工藝：SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l  O3工藝：預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點：l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時l  結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu)，設(shè)備占地空間小l  先進(jìn)的400片結(jié)構(gòu)，有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l  工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結(jié)合，有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l  補配液采用槽內(nèi)與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測，以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu)，有效保證初配時間和微量精補配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級，避免材料使用雜質(zhì)析出l  采用最新低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù)：l  設(shè)備尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime：≥95%l  破片率：≤0.05%l  MTTR：4hl  MTBF：450hl  產(chǎn)能：6000pcs/hl  功率消耗：398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://regal-bio.cn，熱線：400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機優(yōu)    點 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝 不同配置（可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔） 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設(shè)備帶有滾輪可移動 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃 可選內(nèi)置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面： 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單，每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設(shè)計的花籃設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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國內(nèi)EDA軟件、集成無源器件IPD和系統(tǒng)級封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，芯和半導(dǎo)體于近日宣布：基于中芯集成電路（寧波）有限公司（以下簡稱“中芯寧波”）自主開發(fā)的高性能體聲波諧振器技術(shù)以及全套晶圓級加工與封裝工藝技術(shù)，芯和半導(dǎo)體的首款自主設(shè)計和開發(fā)的高頻段體聲波濾波器產(chǎn)品正式發(fā)布，并已向本土無線終端客戶送樣，進(jìn)入系統(tǒng)客戶的驗證和測試階段，預(yù)計第三季度進(jìn)入批量生產(chǎn)和供貨。市場隨著5G商用的啟動，射頻前端市場將通過更多額外頻段的載波聚合和MIMO技術(shù)，迎來新一波年均8%以上的高速增長。濾波器在全球射頻前端市場中占最大份額，其出貨量將會從2018年的530億顆增長到2025年的約1000億顆，年增長率接近兩位數(shù)。目前國內(nèi)濾波器市場主要為國外廠商所壟斷，行業(yè)急需國內(nèi)供應(yīng)商的突圍。產(chǎn)品本濾波器為一款低插損、高抑制WiFi2.4GHz帶通濾波器，封裝尺寸僅為1.1mm×0.9mm×0.6mm ，完全兼容當(dāng)前主流1109 的WiFi帶通濾波器尺寸。產(chǎn)品性能媲美同類國際領(lǐng)先產(chǎn)品，可滿足智能手機、無線終端、便攜路由器、無線模組等多種系統(tǒng)應(yīng)用需求。根據(jù)規(guī)劃，芯和半導(dǎo)體在今年還將聯(lián)合中芯寧波陸續(xù)發(fā)布包括B40、N41、B41、B7等在內(nèi)的其他國內(nèi)緊缺的中高頻段射頻濾波器、雙工器和耦合器等產(chǎn)品。芯和半導(dǎo)體高級副總裁代文亮博士表示：“我們很高興看到中芯寧波與芯和半導(dǎo)體的成功合作，開發(fā)出具有競爭力的...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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新冠病毒的來臨，讓全社會嚴(yán)陣以待。全球不斷攀升的確診人數(shù)對半導(dǎo)體市場和供應(yīng)鏈都造成了一定壓力。然而壓力面前，具有前瞻性的企業(yè)卻不懼疫情影響，逆勢而上，增資提產(chǎn)，為今后長期的發(fā)展提前做好準(zhǔn)備。這些消息釋放出來也極大地提振了全行業(yè)的士氣。形勢嚴(yán)峻新冠病毒向行業(yè)施壓2019年，全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期，智能手機、PC、筆記本電腦等需求放緩導(dǎo)致了半導(dǎo)體市場的下滑。專家原本預(yù)測2020年半導(dǎo)體或?qū)⒅鼗厣仙壍溃?G的部署與AI的需求將成為推動半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的強勁動力。然而，新型冠狀病毒肺炎疫情的突然發(fā)生，為半導(dǎo)體行業(yè)回暖帶來不確定性。集邦咨詢認(rèn)為，疫情擴大使得未來終端需求能見度降低，尤以專注于智能手機與消費性電子領(lǐng)域的IC設(shè)計業(yè)，2020年第二季度營收可能受到較大影響。集邦咨詢修改了2020年第一季度智能手機生產(chǎn)總數(shù)的預(yù)估，下調(diào)至2.75億只，較去年同期衰退約12%，為近5年來新低。疫情帶來壓力的同時，也推動人們對網(wǎng)絡(luò)通信給予更多的依賴與重視。市場重新評估數(shù)據(jù)中心、人工智能的價值。一大批人工智能、5G芯片企業(yè)產(chǎn)品加速落地。研究機構(gòu)預(yù)計，2020年我國人工智能市場將再續(xù)輝煌，市場規(guī)模將達(dá)到42.5億美元，預(yù)計年增長率約為51.5%。而在5G通信方面，華為中國運營商業(yè)務(wù)部副總裁楊濤預(yù)測，到2023年，與5G相關(guān)的半導(dǎo)體收入將達(dá)到208億美元以上。雖然疫情的爆發(fā)帶給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)些許沖擊，然5G與A...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 21
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據(jù)中國臺灣媒體報道，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部昨（20）日宣布，韓國化學(xué)大廠SKC目前正對用于半導(dǎo)體制程的光罩基板(Mask Blank)的試作樣品展開測試，預(yù)計2020年下半年正式展開量產(chǎn)。據(jù)報導(dǎo)，韓國的半導(dǎo)體制造中，其光罩基板約90%依賴日本供應(yīng)，同時光罩基板也是韓國大量進(jìn)口自日本的20種高科技材料之一，韓國政府希望在20種主要材料、零件、設(shè)備，能脫離對日貨的倚賴，而光罩基板就名列其中。資料顯示，SKC與SK海力士同屬于SK集團旗下，自1976年成立以來，在韓國最早開發(fā)及生產(chǎn)了不計其數(shù)的薄膜、化學(xué)、材料領(lǐng)域的產(chǎn)品，其核心部門為薄膜和化學(xué)部門。自2018年開始，SKC已投入430億韓元(約3500萬美元)用于建設(shè)光罩基板廠，并于2019年建成，SKC不僅計劃在2020年內(nèi)開始光罩基板的量產(chǎn)，同時也計劃在2021年量產(chǎn)更高端的產(chǎn)品。2019年7月，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布，將對用于智能手機及電視機的半導(dǎo)體等制造過程中需要的三種材料加強對韓國的出口管制，這三種材料分別為用于半導(dǎo)體清洗的氟化氫、用于智能手機顯示屏等的氟化聚酰亞胺，以及涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑“光刻膠”。對此，韓國也出臺了相關(guān)措施以應(yīng)對日本針對韓國的出口管制措施。如提出了100大核心戰(zhàn)略產(chǎn)品國產(chǎn)化計劃，將投入7.8萬億韓元的研發(fā)費用，在1至5年內(nèi)實現(xiàn)核心戰(zhàn)略產(chǎn)品國產(chǎn)化，而韓國企業(yè)也在加速在該領(lǐng)域的國產(chǎn)化。2019年，外媒曾報道，SK...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 21
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“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來了！日前，江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群，新區(qū)管委會副主任陳潺嵋，東南大學(xué)首席教授、南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時龍興，金雨茂物投資管理股份有限公司董事長段小光， 南京中安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司董事長曾安，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司董事長劉欣宇出席活動。活動中，超芯星半導(dǎo)體項目和中安半導(dǎo)體項目與新區(qū)簽約，未來都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，是國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商，碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料，將在軌道交通、5G、新能源汽車等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴徑晶體，實現(xiàn)厚度突破，屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動上市計劃，項目規(guī)劃三年實現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬片，未來還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝，打造國內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。另外，中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測設(shè)備研發(fā)商，擁有國內(nèi)領(lǐng)先的檢測設(shè)備研發(fā)能力。項目團隊擁有硅片檢測核心技術(shù)，并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗以及多年所累積的市場資源。此次項目主要是開發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備，從事開發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備，目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險投資，未來將通過開發(fā)擁有獨立知...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 20
瀏覽次數(shù)：126
近幾年，在政策和市場雙輪驅(qū)動下，骨干企業(yè)加大了工藝研發(fā)和技改投入力度，生產(chǎn)工藝水平不斷進(jìn)步，高效電池技術(shù)不斷發(fā)展?！　?018年，各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率方面，規(guī)模化生產(chǎn)的多晶黑硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.2%，使用PERC電池技術(shù)的單晶和多晶黑硅電池效率提升至21.8%和20.3%，較2017年分別提升0.5個百分點和0.3個百分點，N型PERT單晶電池平均轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到21.5%。雙面N型PERT電池和異質(zhì)結(jié)（HJT）電池已進(jìn)入量產(chǎn)，并且會成為未來發(fā)展的主要方向之一。下表給出了2018-2025年不同類型電池轉(zhuǎn)換效率變化趨勢?！　?018年，各種電池技術(shù)市場占比方面，BSF電池（常規(guī)電池及多晶黑硅電池結(jié)構(gòu)）仍占據(jù)大部分市場份額，但相比2017年83%的占比已下降了23個百分點，隨著新技術(shù)的發(fā)展其占比將逐年減少；PERC電池是當(dāng)前產(chǎn)能最大的高效電池，2018年市場份額占比大幅增加，達(dá)到33.5%左右，預(yù)計明年P(guān)ERC電池市場占比將反超BSF電池，成為市場占比最高的電池種類。雙面N型PERT電池、背接觸（IBC）電池、異質(zhì)結(jié)（HJT）電池等新型高效電池市場份額將逐步提高，其中N-PERT電池未來將成為市場占比第二的電池種類。下圖給出了2018-2025年不同電池技術(shù)市場占比的變化趨勢?！　】v觀未來光伏市場發(fā)展，隨著高效電池技術(shù)的逐步成熟、成本的逐步下降，產(chǎn)品市場需求將繼續(xù)擴大，...
發(fā)布時間: 2019 - 04 - 30
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作為我市集成電路產(chǎn)業(yè)“一園三基地”的重點園區(qū)，“芯港小鎮(zhèn)”再次迎來重大發(fā)展機遇。11月2日上午，中芯寧波200毫米特種工藝（晶圓/芯片）N1產(chǎn)線正式投產(chǎn)，小鎮(zhèn)內(nèi)中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子也將正式動工。自2017年開園以來，“芯港小鎮(zhèn)”已簽約落戶14個集成電路企業(yè)項目，總投資200億元?！?一批集成電路龍頭企業(yè)在我市加速集聚寧波瞄準(zhǔn)集成電路發(fā)展機遇，搶項目、爭創(chuàng)新、擴規(guī)模，全市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入新拐點，一批支撐項目開工投產(chǎn)，取得明顯效益。數(shù)據(jù)顯示，2018年前三季度，我市集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值127.6億元，同比增長9.8%；實現(xiàn)利潤13.36億元；實現(xiàn)利稅16.48億元。60余個項目落戶 “芯光”照亮創(chuàng)業(yè)路“目前，我們的設(shè)備正準(zhǔn)備打包發(fā)往國內(nèi)，如果一切順利，預(yù)計2019年9月可實現(xiàn)量產(chǎn)?！痹诮张e行的中國半導(dǎo)體材料和零部件創(chuàng)新發(fā)展大會上，已在國外生活、工作30余年的華菲難掩回國創(chuàng)業(yè)的激動之情。2018年3月，看好寧波集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景與氛圍的華菲來到故土，并在余姚成立了寧波華芯電子科技有限公司。華菲說，在國內(nèi)，小于100微米的高端半導(dǎo)體焊球以及高可靠性焊球的制造技術(shù)仍屬空白。如果在甬發(fā)展順利，她將加大投資，將研發(fā)及生產(chǎn)的觸角伸至更多集成電路領(lǐng)域?！靶靖坌℃?zhèn)”開園未滿一年，便吸引了中科院寧波微電子應(yīng)用研究院、集成電路材料和零部件聯(lián)盟寧波產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心等兩個技術(shù)...
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 05
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硅晶圓大廠合晶今(26)日舉行鄭州新廠啟用典禮，第一階段為月產(chǎn)能20萬片的8吋產(chǎn)能，明年正式量產(chǎn)后，全年產(chǎn)值可望達(dá)5億人民幣，第二階段則規(guī)畫12吋產(chǎn)能20萬片、磊晶產(chǎn)能7萬片，部分資金已到位，待兩階段產(chǎn)能均啟用后，年產(chǎn)值可望上看20億人民幣。合晶今日舉行啟用典禮，鄭州合晶為合晶與鄭州空港經(jīng)濟綜合實驗區(qū)合資成立，為鄭州地方政府取得的首個半導(dǎo)體投資案，其中，合晶持股約6成，雙方合資投資額共12億人民幣，第一階段為一條月產(chǎn)能20萬片的8吋產(chǎn)線，12月開始送樣，合晶鄭州董事長劉蘇生表示，明年正式量產(chǎn)后，全年產(chǎn)值可望達(dá)5億人民幣。在第一階段鄭州8 吋廠啟用后，合晶第二階段計劃透過具有磊晶生產(chǎn)能力的12 吋廠，擴大產(chǎn)業(yè)布局。合晶12 吋廠也將采取合資形式，董事長焦平海就提到，「跨足12 吋是必然的」。據(jù)悉，12吋廠資金預(yù)計投入45億人民幣，目前部分資金已到位，月產(chǎn)能規(guī)劃為12吋產(chǎn)能20萬片、磊晶產(chǎn)能7萬片，最快可望于2020年量產(chǎn)，劉蘇生表示，待兩階段產(chǎn)能均到位后，年產(chǎn)值可望上看20億人民幣。目前合晶臺灣楊梅廠為6 吋重?fù)焦杈A產(chǎn)能，月產(chǎn)能為33 萬片；龍?zhí)稄S為8 吋硅晶圓產(chǎn)能，將由目前的30 萬片逐月增加至年底的32 萬片。在中國的產(chǎn)能部分，揚州廠主力為8 吋以下單晶晶棒；上海晶盟磊晶廠將在明年農(nóng)歷年前，月產(chǎn)能達(dá)20 萬片。合晶總經(jīng)理陳春霖表示，第一期產(chǎn)能預(yù)計12 月初送樣客戶端認(rèn)證，認(rèn)證時...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 29
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隨著移動通信、高性能計算、汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)發(fā)展對半導(dǎo)體器件需求量的增加，其基礎(chǔ)材料硅片的需求將繼續(xù)增長?！?硅片需求繼續(xù)增長SEMI最近（2018年10月16日）對2018至2021年全球硅晶圓片出貨量進(jìn)行預(yù)測，2018年硅晶圓片出貨量將超過2017年創(chuàng)下歷史最高市場紀(jì)錄，并將持續(xù)到2021年。2018年至2021年全球硅片市場需求量顯示，2018年硅拋光片和外延片出貨量為12445百萬平方英寸，同比增長7.1%；2019年市場需求為13090百萬平方英寸，同比增長5.2%；2020年市場需求為13440百萬平方英寸，同比增長2.7%；2021年市場需求為13778百萬平方英寸，同比增長2.5%。↑ 全球12英寸硅晶圓需求強勁從技術(shù)和成本的角度看，硅片尺寸越大則每片硅片上可以制造的芯片數(shù)量就越多，從而制造成本就越低。因此，硅片尺寸的擴大和芯片制程的減小是集成電路行業(yè)技術(shù)進(jìn)步的兩條主線。目前，市場主流硅片出貨已經(jīng)集中在8英寸、12英寸等大尺寸硅片上。而大尺寸硅片生產(chǎn)是我國集成電路發(fā)展最薄弱的環(huán)節(jié)。目前，中國12英寸大硅片幾乎100%依賴進(jìn)口，8英寸硅片90%依賴進(jìn)口。近幾年，隨著國家、地方、社會資本對半導(dǎo)體行業(yè)的大力投資，加上硅材料市場向好，投向硅片的資本越來越多。據(jù)不完全統(tǒng)計，國內(nèi)硅材料企業(yè)已經(jīng)投入和未來幾年計劃投入的總投資已超過700億元人民幣。中國12英寸硅片的國產(chǎn)化，將...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 22
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2017年，中國集成電路進(jìn)口金額2600億美元，遠(yuǎn)超石油進(jìn)口額。2014年出臺《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，并成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金，體現(xiàn)了政策的高度重視。2017年，全球晶圓制造材料市場規(guī)模260億美元，其中硅片市場規(guī)模90億美元，占比近30%。政策的重視與市場需求，驅(qū)動了FAB與大硅片項目的投資布局。中國FAB工廠項目與列表如下目前中國大陸共計有27座12英寸晶圓廠，18座8英寸晶圓，其中有10座12英寸晶圓廠及6座8英寸晶圓廠處于建設(shè)當(dāng)中。項目主要集中在北京、成都、重慶及江浙一帶。具體項目信息如下表所示：多數(shù)項目仍然在建設(shè)中，或處于初期產(chǎn)能爬升階段。在晶圓加工制程方面，中芯國際、華力微電子、武漢新芯、紫光集團以及國內(nèi)三大存儲基地長江存儲、晉華集成、合肥長鑫正在進(jìn)入國際先進(jìn)制程，中國芯片自主制造已成進(jìn)行時。大硅片需求旺盛，市場強勁增長待上表所有Fab廠投產(chǎn)后，將多出185萬片/月的12英寸晶圓加工產(chǎn)能及35萬片/月的8英寸晶圓加工產(chǎn)能，這對于上游原材料——硅片的供應(yīng)提出了新的需求。而目前，全球硅片市場已經(jīng)處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。國際硅片供片龍頭往往與晶圓加工大廠如臺積電、三星等建立著長期的供應(yīng)關(guān)系。在全球8英寸硅片缺貨的背景下，中國自主新建的Fab廠恐怕難以與臺積電、三星、英特爾等大廠進(jìn)行競爭，因此獲得國際硅片龍頭8英寸硅片的充足供應(yīng)，可能會受到一定的局限。2012年至今，2...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 17
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在10月11日舉行的廣州2018小蠻腰科技大會上，中國芯片如何破局成為熱點話題之一。厚生利用投資創(chuàng)始合伙人兼總裁欒凌預(yù)測，中國半導(dǎo)體投資未來十年將增至10000億元。而深圳半導(dǎo)體協(xié)會秘書長常軍鋒提醒說，國內(nèi)芯片投資要避免大而全、半途而廢、短期超越三大誤區(qū)。芯片投資將達(dá)萬億欒凌介紹說，半導(dǎo)體芯片短板已成為中國人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的挑戰(zhàn)之一。隨著互聯(lián)網(wǎng)、社交媒體、移動設(shè)備的大量普及，以及5G和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，市場對存儲芯片的需求增加，而人工智能芯片技術(shù)的高速迭代又催生出各類AI專用芯片。目前在集成電路領(lǐng)域，美國擁有英特爾、高通、德州儀器、博通、Nvidia、美光等半導(dǎo)體巨頭。2017年公開數(shù)據(jù)顯示，總部設(shè)在美國的半導(dǎo)體公司銷售額占了全球銷售份額的46%。中國代表性的半導(dǎo)體企業(yè)，正在奮起追趕。2000年成立的中芯國際，目前14納米制程已接近研發(fā)完成，距離2019年量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)，一旦實現(xiàn)目前由海外代工的部分產(chǎn)品將有望回歸國內(nèi)代工。華為海思，2017年以47.15億美元的銷售額成為全球第七大芯片設(shè)計公司，增長率達(dá)到21%；海思的麒麟980芯片是全球首款7納米人工智能手機芯片，在AI運算能力上領(lǐng)先。在人工智能芯片領(lǐng)域，出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線多家芯片公司。如寒武紀(jì)今年6月完成數(shù)億美元B輪融資，投后估值25億美元；阿里巴巴成立平頭哥半導(dǎo)體有限公司，四個主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 15
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