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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言硅集成電路(IC)的制造需要500-600個工藝步驟,這取決于器件的具體類型。在將完整的晶片切割成單個芯片之前,大多數(shù)步驟都是作為單元工藝來執(zhí)行的。大約30%的步驟是清潔操作,這表明了清潔和表面處理的重要性。硅電路的器件性能、可靠性和產(chǎn)品產(chǎn)量受到以下因素的嚴重影響晶片或器件表面上的化學污染物和顆粒雜質(zhì)。由于半導體表面的極端敏感性和器件特征的納米尺寸,因此在熱處理如氧化之前、通過蝕刻形成圖案之后、離子注入之后以及膜沉積之前和之后清洗硅晶片的有效技術是至關重要的。因此,在硅片中制備超凈已經(jīng)成為制造先進集成電路的關鍵技術之一。人們可能會問必須除去的雜質(zhì)的性質(zhì)、類型和來源。晶片表面上的污染物以吸附的離子和元素、薄膜、離散顆粒、微粒(顆粒團)和吸附的氣體的形式存在。表面污染物薄膜和顆粒可分為分子化合物、離子材料和原子種類。分子化合物主要是來自潤滑劑、油脂、光刻膠、溶劑殘留物的濃縮有機蒸汽的顆?;虮∧?,來自去離子水、指紋或塑料儲存容器的有機化合物以及無機化合物。離子材料包含主要來自無機化學物質(zhì)的陽離子和陰離子,這些化學物質(zhì)可以是物理吸附的或化學鍵合的(化學吸附的),例如鈉、氟和氯的離子。原子或元素物質(zhì)包括金屬,例如銅和重金屬,它們可以從含氫氟酸(HF)的溶液中電化學電鍍在半導體表面上,或者它們可以由硅顆粒、灰塵、纖維或來自設備的金屬碎片組成。顆??赡軄碓?..
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹隨著超大規(guī)模集成電路器件制造過程中封裝密度的增加??山邮艿慕饘?污染水平的要求變得更加嚴格。因為痕量的金屬雜質(zhì)影響電子器件的 性能;所以需要高度精確的分析技術。VPD制劑已經(jīng)與幾種不同的痕量元素分析技術相結合,例如 電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)、47原子吸收光譜法(AAS)和全反射 X射線熒為了分析大塊硅晶片中的金屬雜質(zhì),使用蝕刻或大塊分解樣品制備 。15, 16整個晶片表面被蝕刻至一定深度,或者硅樣品被酸分解。然后是 分解的硅和酸通過在熱的盤子。通過分析儀器測量去除基質(zhì)后殘留的金屬雜質(zhì)。這些方法的 結果,例如VPD制備、蝕刻或整體分解,顯示為整個晶片表面或整 體的平均值。然而,在器件或晶片制造過程中,金屬雜質(zhì)不會均勻 地污染晶片。 程序晶片被放置在主板和蓋板之間。將采樣管放在特定位置的孔 中進行分析。將100微升蝕刻溶液滴到被采樣管包圍的晶片 表面上° —根真空管連接在采樣管的孔中。通過真空泵排出 反應氣體,并通過在晶片下點亮紅外線燈來干燥蝕刻溶液。在干燥蝕刻溶液后,移除蓋板和真空管。 結果和討論局部蝕刻條件的優(yōu)化蝕刻溶液被固定為HF和HN。的混合物:在半導體工業(yè)中,它已經(jīng)被用作硅的蝕 刻溶液很昧時間孑。蝕刻溶液的體枳被限制在10暗升注以避免蝕刻反應過程 中化學物質(zhì)的任何泄漏,以及當使用大體積時去除溶液...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言硅水清洗是集成電路制造過程中最常用的處理步驟。這一過總旨在去除幾種不同類型的污染物,其中包括顆粒、金屬和有機物。然而,據(jù)估計,集成電路制造中超過50%的產(chǎn)量損失是由清洗后殘留在硅晶片表面上的污染物造成的。本文的目的是記錄在硅晶片表面上使用改進的超高純度化學物質(zhì)的效果,該效果通過全反射x射線熒光測量,TXRF。在這項研究中。用標準等級的化學物質(zhì)和超高純度的化學物質(zhì)清洗硅樣品,然后用TXRF測量金屬雜質(zhì)。發(fā)現(xiàn)超高純度化學物質(zhì)的使用大大減少了清洗后存在于棉卷表面的表面污染物的量。 介紹自20世紀50年代以來,硅片清洗一直是半導體器件制造中不可或缺的一部分,事實上,它是集成電路制造過程中最常用的加工步驟。晶片清洗的目的是在不降低其結構的情況下從硅表面去除污染物。不能低估充分清潔的重要性,因為已知殘留在襯底表面上的污染物會降低器件性能、可靠性和產(chǎn)量。據(jù)估計,集成電路制造中超過50%的產(chǎn)量損失是由微分層造成的晶片清洗將繼續(xù)是器件制造中的重要工藝步驟,尤其是當器件幾何尺寸接近亞半微米尺寸時。殘留在半導體表面上的污染物會在隨后的加工過程中造成各種不利影響,這取決于雜質(zhì)的性質(zhì)。顆粒會造成各種加工操作的阻塞或掩蔽,例如在蝕刻或光刻過程中。薄膜生長或沉積過程中出現(xiàn)的顆粒會導致針孔和微孔,如果顆粒足夠大且具有導電性,則會導致導線之間發(fā)生射擊。在器件加工的幾...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在目前的工作中,氧化鋁凝膠被開發(fā)用于鈍化硅片。以仲丁醇鋁為前驅(qū)體,采用溶膠-凝膠法制備了氧化鋁凝膠。涂覆后,進行快速熱處理以激活鈍化效果。用x光電子能譜和碳-釩曲線評價薄膜性能。的頂峰74.35 eV證實了Al2O3的形成。同時,隨著退火溫度的升高,低結合能處的小峰減少,這歸因于氫的逸出,導致700℃后有效壽命的下降。在700℃退火溫度下,獲得了1.16 E12 cm-2的最高固定電荷(Qf)和1.98 E12 cm-2eV-1的優(yōu)異界面缺陷密度,有助于292 s的最高有效少數(shù)載流子壽命。本工作將有助于為Al2O3鈍化提供更具成本效益的技術。 介紹為了抑制晶片表面的復合,已經(jīng)出現(xiàn)了許多鈍化膜,包括二氧化鈦、二氧化硅、氮化硅和氧化鋁.其中,Al2O3因其優(yōu)越的表面化學鈍化和固定負密度引起的場效應鈍化而被廣泛應用于工業(yè)鈍化發(fā)射極和后電池的背面鈍化.Al2O3薄膜目前主要通過原子層沉積(ALD)和等離子體增強化學沉積(PECVD)來沉積。然而,對ALD來說,設備調(diào)查是非常重要的系統(tǒng)或PEVD系統(tǒng)。因此,開發(fā)一種低投入的Al2O3制備和沉積技術是很有前途的。一些研究者已經(jīng)將溶膠-凝膠合成技術應用于制備Al2O3薄膜。文獻中一般描述了兩種制備溶膠-凝膠的方法,即聚合溶膠-凝膠法和膠體法溶膠-凝膠路線。前者是利用有機溶劑中金屬-有機前體的化學性...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言根據(jù)FM(工廠互助)保險公司的研究報告,在過去的二十年里,發(fā)生在半導體工廠的大多數(shù)事件都被認定為“火災案例”這些報告聲稱濕化學清洗工藝中的火災主要是由加熱器故障引起的,然而,根據(jù)工藝條件,加熱器被設計成當溫度超過設定值時自動關閉。因此,有必要對濕化學清洗過程中的火災模擬進行深入研究?;旧?,涉及工業(yè)大量損失的事故可能是由化學不相容引起的。本研究的重點是濕化學清洗工藝中清洗材料的不相容行為。它還試圖驗證半導體工廠制造過程中濕化學清洗過程中的火災原因。本研究的目的不僅是確定此類過程中的火災原因,還研究常用化學品(過氧化氫、濃硫酸、濃鹽酸和異丙醇)的潛在危害。因此,這將導致建立濃度三角圖,該圖可用于識別可燃區(qū)、爆燃區(qū)甚至爆震區(qū)。最后,這項研究可以為基礎設計數(shù)據(jù)提供一種更安全的方法,以避免危險混合物造成的潛在危險,這可能導致半導體工廠的巨大財產(chǎn)損失。 介紹由于自20世紀80年代以來,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)濟重要性方面的出色表現(xiàn),以及火災危險或意外化學物質(zhì)釋放數(shù)量的增加,不僅臺灣需要相關研究,全世界也需要相關研究。該研究集中于半導體制造行業(yè)濕法化學清洗過程中火災事故的主要原因,以便充分制定積極措施 化學品和不兼容性。鑒于該行業(yè)的競爭市場,任何異常停工或意外事件都是不可接受的。比如1984年博帕爾事故發(fā)生時,聯(lián)合碳化物公司是世界第七大化工...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文通過質(zhì)量比較測量的方法研究了硅密度標準品的清潔情況,結果表明,即使在干凈的實驗室空氣中,硅球的質(zhì)量也會隨著時間的推移而顯著增加;另一方面,在清洗球體后,質(zhì)量僅在8小時內(nèi)穩(wěn)定下來,并且總是在10微克范圍內(nèi)產(chǎn)生相同的質(zhì)量,在使用液體中的球體后也是如此。此外紅外吸收技術被用于識別硅球上的碳氫化合物,并估計層厚,這種方法通過對沉積在硅球上的石蠟層的質(zhì)量測定是可能的。質(zhì)量比較采用AT1006的梅特勒平衡,最大容量為1319克,分辨率為1微克,電動稱重范圍為10克,平衡被安置在一個雙壁不銹鋼鐘中,用恒溫水冷卻到20°C,鐘的底板也可以用同樣的水來冷卻,閉鐘是密封的,對于測量,空氣壓力總是調(diào)整到約1013hPa。圖中的裝置不僅用于清洗檢查,也用于靜水密度測定的新方法,在這種方法中,樣品的(表觀)重量將與不僅在液體中而且在空氣中的密度標準的重量進行比較,因此密度標準也被用于樣品的質(zhì)量測定,而不是不銹鋼的質(zhì)量標準,用這種方法,樣品和標準品的密度可以與0.05ppm或更小的不確定度進行比較,長時間監(jiān)測硅密度標準的質(zhì)量是困難的,因為質(zhì)量與通常的不銹鋼質(zhì)量標準的比較有很大的不確定性。此外,所有的質(zhì)量標準也可能發(fā)生質(zhì)量漂移,因此,我們采用以下程序來研究硅密度標準的清潔度。 圖 2為了確定大氣對球體表面的污染,首先要徹底清洗球體,然后長期暴...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文介紹了水和溴在砷化鎵上的共吸附實驗,并將其與H2O-Br2蝕刻劑溶液中砷化鎵的重現(xiàn)實驗進行了比較,因為這些模型實驗肯定與實際的濕式化學處理并不相同,模型實驗的結果可用于解釋再現(xiàn)實驗收集的數(shù)據(jù)。因此兩種實驗方法的結合可以更詳細地了解半導體的表面蝕刻。在本文中,我們將首先結合這兩種實驗方法研究溴-h2O溶液中砷化鎵蝕刻的結果。實驗是在一個自制的電化學室中進行的,由標準玻璃元素在惰性、干燥、無碳n2氣氛下建造,該玻璃腔室被直接連接到一個集成的超高真空(UHV)系統(tǒng)上,該裝置的示意圖如圖所示1,XPS測量使用了PHI5700多技術系統(tǒng),該系統(tǒng)附加到一個分配室,安裝在配電室上的還包括LEED系統(tǒng),我們將在這里介紹用該設備進行的第一次重現(xiàn)實驗。 圖 1在水吸附過程中Ga(a)和As(b)的三維核水平如圖所示2,在120eV的電子束激發(fā)和在室溫下解吸后,得到了最上面的光譜,測量數(shù)據(jù)以點表示,底部的光譜是從一個新切割的,干凈的表面獲得的如圖所示,兩個三維核心水平的發(fā)射可以分為兩個分量,分別分配給來自體原子和來自表面原子的發(fā)射。對于所有的BE差異,以各物種排放的最大值作為參考點。 圖 2隨著溴沉積量的增加,AsBr3和GaBr3組分的排放量越來越強,它們的強度隨著溴吸附在表面的數(shù)量的增加而增加,這表明與砷化鎵底物的反應在...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文講述了一種用于半導體晶片電鍍的陰極組件,其采用金屬結構環(huán)上的聚合物涂層,為待電鍍的晶片表面的周邊提供低輪廓密封。聚合物涂層也是電的使金屬絕緣,使其可以與電鍍液接觸使用,并且仍然是電接觸系統(tǒng)的一部分,不需要保護性塑料外殼。由于用于形成密封的涂層可以非常薄,并且可以由相對較強的金屬結構支撐,因此導管組件在晶片鍍側表面上方的突出程度可以最小化。同樣,這種聚合物涂層金屬結構取代了現(xiàn)有技術中使用的塑料支撐和保護外殼,從而可以顯著降低組件的整體尺寸。這種緊湊的陰極組件在晶片表面上,使鍍電池和振動系統(tǒng)的修改,提供更均勻的銅沉積晶片表面。圖1描述了采用聚合物涂覆金屬結構的半導體晶片鍍層的低輪廓陰極組件的一側。同心金屬結構環(huán)的內(nèi)邊緣與晶片的鍍側的周邊重疊,其聚合物涂層至少設置在密封的區(qū)域內(nèi),優(yōu)選在操作期間接觸鍍?nèi)芤旱钠渌麉^(qū)域。如圖1所示密封優(yōu)選包括同心圓形聚合物涂層金屬脊,通過集中施加的力以增加局部密封預設和提供冗余來提高密封對晶片的有效性。對于某些應用,特別是那些涉及低靜水壓力的應用,這種脊可能不需要在聚合物涂層和晶片之間提供足夠的密封。請注意,一個完美的密封是不需要的,因為Damascene過程特別只需要幾分鐘,并且可以容忍少量的溶液侵入電接觸區(qū)域。這里使用術語“密封”來表示溶液流動的足夠障礙,以使給定的晶片電鍍工藝得以實現(xiàn)。 圖 1在...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言電鍍中的銅種子層為電鍍電流提供了傳導路徑。電鍍是一種電沉積工藝,通過電流的作用在表面產(chǎn)生致密、均勻和粘附的涂層,通常由金屬或合金制成。為了形成電鍍銅膜,銅種子層是必要的,因為很難從硅或擴散阻擋材料如鈦、鉭、氮化鈦或氮化鉭上的銅水溶液中使銅顆粒成核。濕化學清洗工藝是廣泛使用的清洗技術之一,包括溶劑脫脂、堿浸泡清洗和酸清洗。一般來說,已知H2SO4溶液可用于去除氧化銅。在本研究中,通過預處理稀H2SO4溶液以去除在銅種子層上形成的天然銅氧化物來研究銅種子層的變化表面。 實驗將銅種子晶片暴露于空氣中以生長銅的天然氧化物。為了去除銅種子層上的天然氧化銅,我們采用了堿洗和硫酸酸洗的方法。在用TS-40A溶液預處理浸漬H2SO4的情況下,首先,通過將晶片浸泡在溶液中60 s來進行用于去除膜表面有機物的堿性清洗,然后在攪拌下將晶片浸漬在去離子(DI)水中20 s。鋅酸清洗過程中,將經(jīng)TS-40A堿性溶液預處理60 s的薄膜浸泡在稀H2SO4溶液(H2SO4與去離子水的體積比為1:20)中不同清洗(浸泡)時間。此外,所有晶片在攪拌下用去離子水沖洗三次,持續(xù)20秒,并在連續(xù)N2流中干燥。根據(jù)在稀H2SO4溶液中浸泡的時間,使用表面分析工具如掃描電子顯微鏡和X射線光電子能譜測量銅種子層的變化表面。使用的X射線源是單色化的鋁。銅膜的結合能在932.6電子...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料在本文中講了HARSE的工藝條件,其產(chǎn)生超過3 微米/分鐘的蝕刻速率和良好控制的、高度各向異性的蝕刻輪廓,還將展示先進封裝技術的潛在應用示例。在用作陽極硅襯底的 “光學工作臺”示意圖中顯示,混合技術集成和封裝使用第二光刻步驟,可以在硅中蝕刻出相對于激光器的精確深度和位置的溝槽,以便被動對準光纖,此外可以蝕刻晶片通孔,用作正面控制和/或驅(qū)動電路的光學或電學互連。 圖2圖2展示了其中的幾個概念,其中一張掃描電鏡照片顯示了同時蝕刻到約250 微米深度的硅特征,在圖2a中,中心正方形或器件定位器”可用于精確定位混合結構,而溝槽特征可用于電互連或延伸到光纖的晶片邊緣,在圖2b和2c中,高倍掃描電鏡顯微照片顯示了側壁和場的高各向異性和平滑蝕刻形態(tài)。 圖3為了實現(xiàn)被動自對準、蝕刻研究了作為室壓、陰極射頻功率和ICP源功率的函數(shù)的參數(shù),在圖3中,當陰極射頻功率、等離子體源功率和氣體流量保持不變時,硅蝕刻速率和硅對光刻膠的蝕刻選擇性顯示為壓力的函數(shù),通常導致離子能量和等離子體密度的變化,這強烈影響蝕刻性能,隨著壓力增加,表明在較低壓力下反應物受限,這種相對于抗蝕劑的高蝕刻選擇性使得能夠以高縱橫比進行深硅蝕刻(通常 600 微米)。蝕刻特性通常表現(xiàn)出對離子能量和等離子體的強烈依賴密度,離子能量影響蝕刻的物理成分,而等離子體密度可以影響工藝的物理和...
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