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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 10
PP通風(fēng)櫥---華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-PP通風(fēng)柜 專為氫氟酸及硝化類濃酸設(shè)計的實驗室通風(fēng)櫥,克服了傳統(tǒng)通風(fēng)柜在高溫濃酸環(huán)境下易生銹、變黃、龜裂等缺陷,具有的耐酸堿性能。適用行業(yè):適用于各類研究實驗室---半導(dǎo)體實驗室、藥物實驗室 【產(chǎn)品描述】設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-PP通風(fēng)柜產(chǎn)品描述【柜體】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸堿性能優(yōu)異。經(jīng)CNC精確裁切加工后,同色同質(zhì)焊條熔焊修飾處理,表面無銳角。【上部柜體】:排氣柜采用頂罩式抽氣設(shè)計,設(shè)計有1個∮250mm排風(fēng)口。導(dǎo)流板采用同質(zhì)PP材料制作,耐酸堿性能優(yōu)異。安裝尺寸科學(xué)合理,無氣流死角,獲取最大的廢氣捕捉性能?!静僮髋_面】:臺面采用12mmPP板制作,耐酸堿性能優(yōu)異。通風(fēng)柜臺面上水槽根據(jù)用戶要求配置?!鞠虏抗耋w】:儲物柜體,中間加一層隔板。鉸鏈采用黑色塑料鉸鏈,耐腐蝕性能好。拉手采用同質(zhì)C型PP拉手。【調(diào)節(jié)門】1. 調(diào)節(jié)門玻璃:采用厚4mm透明亞克力玻璃制作,耐酸堿性能優(yōu)異。2.調(diào)節(jié)門邊框:為厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式結(jié)合,以確保安全及耐用性。  3.調(diào)節(jié)門懸吊鋼索:每臺通風(fēng)柜調(diào)節(jié)門鋼索連接。4.調(diào)節(jié)門平衡配重:采無段式配重箱設(shè)計,其上下行程具靜音軌道予以限制避免搖晃碰撞?!倦娖髟O(shè)備】1.開關(guān):按鈕帶燈式自鎖開關(guān),包含風(fēng)機開關(guān),照明開關(guān),總電源開關(guān)。2.照明設(shè)備:采用全罩式三防燈具,燈罩內(nèi)具220v*20w*23.插座部分:每臺通風(fēng)柜裝設(shè)帶防濺蓋220V10A 電源插座2個。設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096;18913575037【詳細參數(shù)】產(chǎn)品名稱PP通風(fēng)櫥產(chǎn)品型號PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
甩干機—華林科納CSESpin-dry machine 設(shè)備名稱CSE-甩干機主要功能晶圓或器件的清洗甩干腔體數(shù)量單腔/雙腔/四腔尺寸(參考)約L×D×H=面寬480mm×縱深820mm×高度1750mm清洗件規(guī)格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圓或器件操作流程人工上貨→DI噴洗加轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)→HOTN2吹干加轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)→加速旋干含艙體加熱保溫→完成設(shè)備預(yù)設(shè)之制程結(jié)束。工作轉(zhuǎn)速300—2400r/min主體構(gòu)造特點外觀材質(zhì):本體以W-PP10t板材質(zhì)組焊組合。設(shè)備骨架:SUS25*25*1.2T骨架組合,結(jié)構(gòu)強固。作業(yè)視窗:視窗采透明壓克力材質(zhì),有效掌握作業(yè)情況。管路系統(tǒng):OneChamber模塊化。排風(fēng)系統(tǒng):間接式抽風(fēng)設(shè)計,有效穩(wěn)定空氣擾流,并同時減低異味。機臺支腳:具高低調(diào)整及鎖定功能。機臺正壓保護:采N2正壓保護。機臺微塵控制量:無刷伺服電機去靜電  氮氣控制單元1)管件閥門:SMC電磁閥、PFA高純管件、PTFE氣動閥門。2)氮氣加熱功能:不銹鋼加熱器在線加熱3)低壓氮氣功能:待機時,保持腔內(nèi)正壓,防止污染。DIW控制單元1)采用旋流式?jīng)_洗噴嘴。2)排水口安裝電阻率探頭,對腔體排水水質(zhì)進行監(jiān)測。3)沖洗工藝完成后,氮氣將殘留在沖洗管路內(nèi)的去離子水吹凈。4)待機時,保持回水盒內(nèi)有水流入且流量可調(diào)。電控單元及軟件系統(tǒng)1)控制器操作界面:5.7”記憶人機+PLC可程序自動化控制器(人機TouchScreen)。2)軟件功能:編輯/儲存:制程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作熒幕上修改。3)儲存能力:記憶模塊:參數(shù)記憶,配方設(shè)定。 更多的甩干機清洗相關(guān)設(shè)備,可以關(guān)注http://regal-bio.cn ,0513-87733829
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 05
干燥系統(tǒng)-華林科納CSE適用于最大尺寸300mm晶圓的干燥技術(shù)優(yōu)點NID?干燥系統(tǒng)利用IPA和N2霧化分配,以及晶圓與水脫離時形成了表面張力干燥的技術(shù)適用于最大尺寸300mm晶圓的干燥技術(shù) 可單臺設(shè)備或整合在濕法設(shè)備中 最佳的占地 成熟的工藝 無水跡 無碎片應(yīng)用:拋光片、集成電路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同時干燥25到50片直徑最大為300mm的晶圓 適用于標準高邊或低邊花籃規(guī)格:藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去邊緣: 3 mm一般安裝參數(shù):尺寸: 660 x 1440 x 2200 (長 x 寬 x 高)標準電壓: 3 x 400 VAC額定功率: 50 Hz標準電流: 3 x 33 A培訓(xùn):操作、維護、工藝培訓(xùn)標準: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障間隔時間 ≥ 800 h 輔助平均間隔時間 ≥ 300 h 可運行時間 ≥ 97 %更多的干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 06
廢氣處理系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE 的廢氣處理系統(tǒng)可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa; 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-廢氣處理系統(tǒng)系統(tǒng)說明1.可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa;2.工藝穩(wěn)定,負壓波動在15%.3.電壓:380V,三相五線,8KW;4.采用英國廢氣處理系統(tǒng)工藝,CSE在原工藝上經(jīng)過升級改造,新的系統(tǒng)推出市場后,客戶反映效果較好;系統(tǒng)工作原理為酸性/堿性/其它特殊氣體處理系統(tǒng),主要由以下幾大部分組成:負壓腔、正壓腔、初級錐形噴淋塔、三級噴淋凈化塔、高壓射流器、抽風(fēng)孔、負壓動力泵、循環(huán)噴淋泵、電控系統(tǒng);廢氣經(jīng)過一級錐形噴淋塔進入負壓腔內(nèi)(每個噴淋塔中間為傘裝型噴頭,對廢氣層形成水封,瞬間中和廢氣)、通過射流器產(chǎn)生負壓把負壓腔內(nèi)的廢氣抽入正壓腔內(nèi)中和(在負壓腔與正壓腔之間設(shè)有三級噴淋凈化塔,三級噴淋凈化塔內(nèi)配有PP填料,配有噴嘴,再次充分噴淋中和廢氣)、處理完的氣通過正壓腔上的排氣口排出。成功案例河北普興電子有限公司上海新傲半導(dǎo)體有限公司上海硅酸鹽研究所中試基地蘇州納維科技有限公司設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037更多半導(dǎo)體行業(yè)廢氣處理系統(tǒng)可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的廢氣處理系統(tǒng)的相關(guān)方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
GMP自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-GMP自動供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-GMP自動供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在自動...
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
研磨液自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-研磨液自動供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-研磨液自動供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在自動...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
SPM腐蝕清洗機設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設(shè)備。其中SPM自動清洗系統(tǒng)設(shè)備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。設(shè) 備 名  稱華林科納(江蘇)CSE-SPM腐蝕酸洗機適 用 領(lǐng)  域LED外延及芯片制造設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備基 本 介 紹主要功能:通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/藍)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型操作形式:自動設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096;18913575037更多的全自動半導(dǎo)體SPM腐蝕清洗機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個巨大的挑戰(zhàn)。在這項工作中,使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻中的數(shù)值和實驗結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明,振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效,并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。 介紹微污染是大多數(shù)大規(guī)模生產(chǎn)的超大規(guī)模集成電路的產(chǎn)量損失[1]。傳統(tǒng)上,晶片清洗工作專注于毯式晶圓。然而,化學(xué)和微粒污染自然發(fā)生在圖案化的晶片也是如此。例如,離子注入、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、濕法化學(xué)清洗所有留下的金屬和/或化學(xué)物質(zhì)圖案化晶片表面上的污染物。跟隨許多BEOL過程、污染物或化學(xué)品可以留在戰(zhàn)壕里。因此,有一個迫切需要開發(fā)有效的清潔技術(shù)并用亞微米尺寸溝槽沖洗晶片表面。蓋爾和布斯納娜研究了兆頻超聲波清洗和用于毯式晶片的清洗工藝提供了一些早期的建模結(jié)果。盡管兆頻超聲波清洗目前被用于圖案化晶片清洗的機理用于圖案化晶片的兆頻超聲波清洗工藝不是很好理解。本文基于毯式晶片的實驗和數(shù)值研究清洗,去除亞微米級的污染物使用兆頻超聲波清洗的溝槽使用物理建模。利用控制動量和質(zhì)量守恒方程的有限差分解,模擬了濕清洗幾何結(jié)構(gòu)中的流體流動和污染物輸運。對流動通過一系列空腔的模擬進行了驗證,與帕金斯的數(shù)值和實驗結(jié)果非常吻合。 結(jié)果和討論毯式晶圓清洗最初,模擬了兆頻...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言小結(jié)構(gòu)的清洗和沖洗是微電子和納米電子制造中的重要過程。最新技術(shù)使用“單晶片旋轉(zhuǎn)清洗”,將超純水(UPW)引入到安裝在旋轉(zhuǎn)支架上的晶片上。這是一個復(fù)雜的過程,其降低水和能源使用的優(yōu)化需要更好地理解過程的基本原理。本文提出了一個數(shù)學(xué)模型,它使用了基本的物理機制并提供了一個綜合的過程模擬器。該模型包括流體流動,靜電效應(yīng),以及整體和表面的相互作用。該模擬器被應(yīng)用于研究具有鉿基高k微米和納米結(jié)構(gòu)的圖案化晶片的清洗動力學(xué)的特定情況。研究了關(guān)鍵清洗工藝參數(shù)的影響,例如水流速度、晶片旋轉(zhuǎn)速度、水溫、晶片尺寸和晶片中的溝槽位置。在表面處理過程的設(shè)計和控制中成功地結(jié)合這種沖洗模擬器將消除對更昂貴和更費時的外部分析技術(shù)的依賴。半導(dǎo)體和其它納米尺寸器件制造順序中的一個關(guān)鍵步驟是在襯底(例如硅或介電層)被圖案化和蝕刻后清潔小結(jié)構(gòu)。圖案化晶片的清洗和沖洗是繼許多其它制造步驟之后最常用的工藝。在整個制造過程中,它也是最大的用水單位,半導(dǎo)體制造廠的用水量超過60%[2]。所有現(xiàn)代工廠現(xiàn)在都使用旋轉(zhuǎn)清洗和沖洗設(shè)備,其中超純水(UPW)被引入到安裝在旋轉(zhuǎn)支架上的晶片上。多個過程,如解吸和再吸附、擴散、遷移和對流,都是這個沖洗過程及其潛在瓶頸的因素。這些過程中的任何一個都可能成為漂洗過程的限速步驟或瓶頸。對圖案化晶片的旋轉(zhuǎn)清洗的基本原理知之甚少。確保漂洗過程中的最佳資源利用和周期...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹對于集成電路(IC)芯片,焊盤金屬化是在晶片被切割和芯片被封裝之前的制造過程中的最后一步。自集成電路工業(yè)開始以來,鋁(Al)一直是使用最廣泛的互連金屬。然而,在過去十年中,它已被新一代IC的銅(Cu)互連所取代。與鋁不同,銅易受環(huán)境退化的影響,并且由于可靠性問題而不能用于金(Au)引線鍵合。因此,對于Cu互連技術(shù),IC制造商要么用Al覆蓋Cu,要么用Al 成最后的互連層。本文介紹了使用化學(xué)鍍鎳-磷/鈀(NiP-Pd)來覆蓋銅焊盤,而不是用鋁來覆蓋它。使用無電工藝覆蓋銅鍵合焊盤比其他替代方案便宜得多,因為無電薄膜可以選擇性地沉積在鍵合焊盤上。這消除了許多步驟,包括光圖案化、蝕刻和清洗。在銅墊上化學(xué)鍍鎳的工作非常有限。然而,近年來,無電NiP/無電Pd (ENEP)、無電NiP/無電鍍金(ENIG)或無電NiP/無電Pd/浸金被廣泛研究和使用,用于覆蓋引線鍵合應(yīng)用的Al焊盤以及倒裝芯片應(yīng)用的凸點下冶金。銅覆蓋的無電鍍工藝提出了許多獨特的挑戰(zhàn)。無電鍍工藝中的所有子步驟都必須優(yōu)化,因為每個步驟都可能導(dǎo)致嚴重的缺陷問題,如腐蝕、表面污染、橋接、臺階沉積、漏鍍、結(jié)節(jié)和毯式電鍍(圖1)。腐蝕是焊盤可靠性最關(guān)鍵的問題之一,也是本文的重點。圖 1在無電處理過程中發(fā)生的兩種類型的腐蝕機制已經(jīng)被確定:腐蝕Cu襯底;和化學(xué)鍍鎳的腐蝕。在這兩種情況下,腐蝕副...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言化合物半導(dǎo)體處理通常使用高密度等離子體蝕刻來建立通孔金屬接觸,該通孔金屬接觸通常在諸如金(Au)的惰性金屬上停止。蝕刻工藝可以從正面或背面穿過襯底和/或有機電介質(zhì),例如聚酰亞胺或雙苯并環(huán)丁烯(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物,該殘留物包含來自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物,以及最后來自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對浸金的蝕刻后殘留物無效,需要在去除殘留物之前對金屬進行單獨的KI浸出。本文描述了一種使用普通fab制造工具在單一工藝中同時去除蝕刻后殘留物的簡單快速的技術(shù)。 介紹小通孔技術(shù)的發(fā)展?jié)M足了許多器件對熱傳導(dǎo)和接觸的需求。其中包括用于軍事和衛(wèi)星通信的30-75微米功率GaAs MMIC,以及用于低成本MESFET的高功率、高頻GaAs pa,用于手機和VSAT應(yīng)用的HBT和pHEMT。[3]雖然這些過孔中的大多數(shù)都是“鉆”穿晶圓襯底,但它們也存在于電介質(zhì)中,如BCB [4]或聚酰亞胺[5],器件性能處于較低頻段,因此可以使用非晶材料,而不會產(chǎn)生諧振頻率效應(yīng)。此外,將正面電介質(zhì)層與背面鍍金相結(jié)合增加了襯底強度,這有利于減薄為了有效的蝕刻速率和可接受的各向異性控制,可以通過使用包含Ar和BCl3/Cl2的氣體混合物的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)或電感耦合等離子體(ICP ),在GaA...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料初始屏蔽檢查對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓,無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能,對橫截面進行SEM檢查,以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度。對于大特征和非關(guān)鍵蝕刻,可能只需要測量掩模厚度。檢查抗蝕劑掩模是否需要去渣。一般來說,通過去除顯影步驟留下的有機殘留物,去渣將使蝕刻步驟在每次運行之間更加一致。在某些情況下,不管曝光和顯影時間如何,這種殘留物都會殘留,并且去渣步驟是蝕刻工作所必需的步驟。二氧化硅上的AZ抗蝕劑的例子如下:要測量掩模厚度,您可以使用橫截面掃描電鏡和補充軟件。此外,對于透明薄膜,如光致抗蝕劑和電介質(zhì),您可以使用反射計或橢偏儀工具。掩模的初始厚度很重要,因為蝕刻過程的結(jié)果稱為選擇性,定義為材料對掩模的蝕刻速率。如果你選擇的工藝的選擇性很差,你將不能蝕刻到你的材料很深,或者你可能需要一個更厚的掩模。另一方面,對于某些工藝,例如深硅蝕刻,對于適當選擇的掩模,選擇性可能非常高,超過100比1。 工具選擇蝕刻工具是高度專業(yè)化的,每種工具都有自己的一套工藝氣體、材料和樣品尺寸限制。為您的工藝選擇合適的樣品并確保您的設(shè)備符合材料限制非常重要。在蝕刻過程中使用錯誤的材料會破壞你自己的工藝,也會污染以后的工具。將腔室恢復(fù)到初始狀態(tài)可以使整個蝕刻室停工一整天來清潔污染物。使用下表作為...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積,從而為家庭消費提供足夠的能量。我們認為,借助光阱方案,適當鈍化的IBC電池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在這項工作中,使用光刻和蝕刻技術(shù)將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠,使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度下進行8小時。使用SF6作為反應(yīng)氣體,對四分之一4英寸c-Si晶片進行RIE 3小時。開發(fā)了用于SU-8光致抗蝕劑沉積的基線光刻工藝流程。TMAH蝕刻技術(shù)的蝕刻速率在0.3-0.45微米/分鐘的范圍內(nèi),反應(yīng)離子蝕刻的蝕刻速率在1.2-1.8微米/分鐘的范圍內(nèi)。反應(yīng)離子蝕刻顯示出獲得更小厚度尺寸的能力,具有比TMAH蝕刻技術(shù)更大的優(yōu)勢。 介紹能源被認為是未來五十年人類面臨的頭號問題。據(jù)估計,太陽能在一小時內(nèi)顯示出供給的潛力,其能量足以滿足世界一年的能源需求總量[2]。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個主要挑戰(zhàn)是以與化石燃料相比具有競爭力的成本產(chǎn)生足夠量的能量。這個因素取決于對高效光伏設(shè)備和降低制造成本的需求[3]。據(jù)報道,較高效率的太陽能電池比使用晶體硅材料的市售太陽能電池的效率高...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始蝕刻,加入CHCI以控制各向異性。大量的氦有助于光致抗蝕劑的保存。已經(jīng)進行了支持添加劑作用的參數(shù)研究。高速率各向異性等離子體蝕刻工藝對于提高加工VLSI晶片器件的機器的效率非常重要。這篇論文描述了這樣一種用于以高速率( 5000埃/分鐘)蝕刻鋁的工藝,并且沒有底切,甚至沒有過蝕刻。先前已經(jīng)報道了使用許多含氯化合物的等離子體在平行板反應(yīng)器中對鋁進行各向異性蝕刻的工藝,包括CCL、bcl和CU/BCS混合物(1-7)。然而,據(jù)報道,這些蝕刻工藝都沒有同時具有高蝕刻速率( 2500/min)和在過蝕刻過程中沒有底切。鋁的蝕刻似乎包括兩個過程:天然氧化鋁層的去除和鋁的蝕刻。據(jù)報道,使用BCS有助于去除氧化層,但是單獨使用BCS蝕刻鋁相對較慢。然而,銅和BCS的混合物:發(fā)現(xiàn)以高速率(1.2 p/min)蝕刻鋁,但各向同性。各向異性蝕刻可以用這種混合物在高蝕刻速率(4000埃/分鐘)下實現(xiàn),然而,在這種情況下,在過蝕刻期間通常會導(dǎo)致底切。通過添加CHC/3等物質(zhì),各向異性蝕刻是可能的。這種添加被認為以類似于用CCLi蝕刻的方式保護側(cè)壁,其中觀察到鋁的各向異性蝕刻與在蝕刻的鋁邊緣...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法,其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min,在50°c下超過100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容,適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術(shù)節(jié)點應(yīng)用。該化學(xué)品提供了在單晶片工具應(yīng)用的清洗過程中原位控制錫拉回或者甚至完全去除錫掩模的途徑。這些化學(xué)品不含NH4OH或TMAH,因此非常方便用戶使用。 介紹隨著技術(shù)節(jié)點發(fā)展到45納米和更小,半導(dǎo)體器件尺寸的減小使得實現(xiàn)過孔和溝槽的關(guān)鍵輪廓控制更具挑戰(zhàn)性。IC公司正在研究使用金屬硬掩模來提高對低k材料的蝕刻選擇性,從而獲得更好的輪廓控制。為了獲得高產(chǎn)量和低電阻的互連,在下一個工藝步驟之前,必須去除側(cè)壁上的聚合物和在蝕刻過程中產(chǎn)生的通孔底部的顆粒/聚合物殘留物。如果清洗溶液還能夠蝕刻TiN硬掩模以形成拉回/圓角形態(tài),這將是有益的。這將防止低k值的彎曲或硬掩模的底切,使得能夠可靠地沉積阻擋金屬、銅籽晶層和銅填充。將這一概念更進一步,通過消除對阻擋層CMP的需要,完全去除金屬硬掩??梢詾橄掠喂に?,特別是CMP提供許多好處。為了實現(xiàn)這兩個目標,清洗溶液必須與低k和Cu相容,同時能夠去除所有蝕刻副產(chǎn)物和殘留物。已經(jīng)探索了許多去除這些蝕刻殘留物的方法。使用氫氧化銨-過氧化氫-水混合物和四甲基氫氧化銨(TMAH) -過氧化氫-水混合物進行錫蝕刻的研究已經(jīng)進行。還報道了...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷,導(dǎo)致晶片破裂,表面粗糙。因此,化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了在硝酸和氫氟酸的混合溶液中,不同濃度的硝酸對硅片總厚度和重量損失、腐蝕速率、形貌和結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明,總厚度和失重率隨著硝酸濃度和腐蝕時間的增加而增加。硝酸濃度越高,蝕刻速度越快,蝕刻時間越長,蝕刻速度越慢。隨著腐蝕時間和硝酸濃度的增加,光學(xué)顯微鏡觀察到更光滑、更清晰的均勻硅表面圖像。XRD分析表明,腐蝕后硅片的強度比純硅片的強度高,這可能表明腐蝕后硅片表面更光滑。本研究的發(fā)現(xiàn)對于生產(chǎn)集成電路制造中關(guān)鍵的可靠的、理想的硅晶片具有重要的參考價值。 介紹薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和用于射頻識別(RFID)系統(tǒng)的集成電路。微觀世界的新概念機電系統(tǒng)(MEMS)器件要求將晶片減薄到厚度小于150 μm。由于其高減薄率,機械研磨是最常用的晶片減薄技術(shù)。市場上可買到的研磨系統(tǒng)通常采用兩步法,首先以高速(5米/秒)進行粗磨,然后以較低的速度(1米/秒)進行細磨,以去除大部分粗磨步驟產(chǎn)生的損壞層。然而,在晶片表面附近仍然存在缺陷帶。該缺陷區(qū)的厚度取決于磨削條件。殘余缺陷會在變薄的晶片中產(chǎn)生應(yīng)力,...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已廣泛用于BEOL圖案化,以避免等離子體灰化過程中的超低k (ULK)損傷。隨著技術(shù)節(jié)點的進步,新的集成方案必須被用于利用193 nm浸沒光刻來圖案化80 nm間距以下的特征。特別是,為了確保自對準通孔(SAV)集成,需要更厚的TiN-HM,以解決由光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)未對準引起的通孔-金屬產(chǎn)量不足和TDDB問題。由于結(jié)構(gòu)的高縱橫比,如果不去除厚的TiN,則Cu填充工藝明顯更加困難。此外,使用TiN硬掩模時,在線蝕刻和金屬沉積之間可能會形成時間相關(guān)的晶體生長(TiCOF)殘留物,這也會阻礙銅填充。在線蝕刻之后的蝕刻后處理是該問題的一個解決方案,但是N2等離子體不足以有效地完全抑制殘留物,并且中提出的CH4處理可能難以對14 nm節(jié)點實施,因此有效的濕法剝離和清潔提供了更好的解決方案。開發(fā)了利用無銅暴露的SiCN保留方案去除厚TiN-HM的方法,并顯示出良好的電氣和可靠性性能,但仍有降低工業(yè)挑戰(zhàn)成本的空間。在本文中,我們通過使用一體化濕法方案圖1作為解決這些問題的替代方法,展示了厚錫-HM去除工藝,重點關(guān)注實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的以下標準(如表1所示)。 結(jié)果和討論首先,為了達到目標值( 200/min),研究了每種產(chǎn)品的錫蝕刻速率的溫度依賴性。圖2顯示了錫蝕刻速率和從每個斜率計算的活化能(E...
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