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發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化...
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在空氣中或有氧存在的加熱的化學(xué)品清洗池中均可產(chǎn)生氧化反應(yīng)。通常在清洗池中生成的氧化物，盡管很薄(10~20nm)，但其厚度足以阻止晶圓表面在以后的工藝過(guò)程中發(fā)生正常的化學(xué)反應(yīng)。這一薄層氧化物隔離了晶圓表面與導(dǎo)電的金屬層之間的接觸。 有氧化物的硅片表面具有吸性，而沒(méi)有氧化物的硅片表面具有憎水性。氫氟之間的接觸。酸是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前，當(dāng)晶圓表面只有硅時(shí)，將其放入盛有氫氟酸 (49%)的池中清洗，以去除氧化物。 在以后的工藝中，當(dāng)晶圓表面覆蓋著之前生成的氧化物時(shí)，用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強(qiáng)度從 100:1 到 10:(HO:HF)變化。強(qiáng)度的選擇取決于晶圓上氧化物的多少，因?yàn)樗蜌浞岬娜芤杭瓤蓪⒕A上孔中的氧化物刻蝕掉，又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除，同時(shí)又不會(huì)過(guò)分地刻蝕其他的氧化層，就要選擇一定的強(qiáng)度。典型的稀釋溶液是 1:50 到 1:100。 如何處理硅片表面的化學(xué)物質(zhì)一直以來(lái)是清洗工藝所面臨的挑戰(zhàn)。一般地，柵氧化前的清洗用稀釋的氫氟酸溶液，并將其作為最后一步化學(xué)品的清洗。這叫做HF 結(jié)尾。HF 結(jié)尾的表面是憎水性的，同時(shí)對(duì)低量的金屬污染是鐘化的。然而，憎水性的表面不容易被烘干，經(jīng)常殘留水印。另一個(gè)問(wèn)題是增強(qiáng)了顆粒的附著，而且還會(huì)使電鍍層脫離表面。 多年來(lái)...
發(fā)布時(shí)間: 2023 - 03 - 27
瀏覽次數(shù)：155
隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的體積正變得越來(lái)越小，這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能，槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求，單片式設(shè)備可以利用很少的藥液達(dá)到槽式工藝不能達(dá)到的水準(zhǔn)，因此單片式刻蝕、清洗設(shè)備開始在半導(dǎo)體制造過(guò)程中發(fā)揮越來(lái)越大的作用。↑ 單片式刻蝕清洗在全自動(dòng)單片清洗設(shè)備中，由于大而薄的硅片對(duì)夾緊力較為敏感，再加上硅片的翹曲率不同，因此對(duì)于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。華林科納研發(fā)的全自動(dòng)單片式清洗設(shè)備采用伯努利非接觸式抓取，不接觸wafer，做到有效的傳送，確保不破片。什么是“伯努利原理”？丹尼爾·伯努利，是瑞士物理學(xué)家、數(shù)學(xué)家、醫(yī)學(xué)家，他是伯努利這個(gè)數(shù)學(xué)家族中最杰出的代表。伯努利成功的領(lǐng)域很廣，除流體動(dòng)力學(xué)這一主要領(lǐng)域外，還有天文測(cè)量、引力、行星的不規(guī)則軌道、磁學(xué)、海洋、潮汐等。伯努利在1726年首先提出：“在水流或氣流里，如果速度小，壓強(qiáng)就大；如果速度大，壓強(qiáng)就小”。我們稱之為“伯努利原理”?！?伯努利（Daniel Bernouli,1700～1782）小時(shí)候的課堂上，做過(guò)這樣的小實(shí)驗(yàn)。我們拿著兩張紙，往兩張紙中間吹氣，會(huì)發(fā)現(xiàn)紙不但不會(huì)向外飄去，反而會(huì)被一種力擠壓在了一起。因?yàn)閮蓮埣堉虚g的空氣被我們吹得流動(dòng)的速度快，壓力就小，而兩張紙外面的空氣沒(méi)有流動(dòng)，壓力就大，所以外面力量大的空氣就把兩張紙“壓”在了一起。這就是“伯...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 10 - 24
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隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，集成度不斷提高，器件尺寸不斷減小，對(duì)硅拋光片的表面質(zhì)量要求越來(lái)越嚴(yán)格。清洗是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中最重要的步驟。1、硅片的清洗工藝原理硅片經(jīng)過(guò)切片、倒角、雙面研磨、拋光等不同的工序加 工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，清洗的目的主要是清除晶片表面的沾污。硅片表面的污染物通常以原子、離子、分子、 粒子或膜的形式以物理吸附或化學(xué)吸附的方式存在于硅片表面。有以下兩種清洗方式：超聲波是通過(guò)蒸氣漩渦來(lái)輔助沖洗的。振動(dòng)在液體中形 成極微小的氣泡而這些氣泡快速地崩潰而產(chǎn)生極微小的擦 洗的動(dòng)作從而除去顆粒。這一現(xiàn)象稱為氣渦。圖1為超聲清洗效果?！?#160;圖1 超聲清洗效果兆聲波的輔助作用是通過(guò)另外一種機(jī)理來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)流體力學(xué)，固體表面與液體之間有一個(gè)靜止或緩慢移動(dòng)的界面，例如晶片的表面。小的顆粒可被保持在這層界面中而不會(huì)接觸化學(xué)清洗液。兆聲波的能量可以消除這一界面，從而 使顆粒得以清洗。另外，一種叫做聲流的現(xiàn)象使得水或清洗 液流過(guò)晶片的速度加快，從而提高清洗效率。圖2為兆聲清 洗效果。▲ 圖2 兆聲清洗效果2、超聲清洗技術(shù)超聲清洗屬物理清洗，把清洗液放入槽內(nèi)，在槽內(nèi)作用 超聲波。由于超聲波與聲波一樣是一種疏密的振動(dòng)波，在傳 播過(guò)程中，介質(zhì)的壓力作交替變化。在負(fù)壓區(qū)域，液體中產(chǎn) 生撕裂的力，并形成真空的氣泡。當(dāng)聲壓達(dá)到一定值時(shí)，氣 泡迅速增長(zhǎng)，在正壓區(qū)域氣泡由于受到壓...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 09 - 27
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硅片清洗的重要性想必大家是很清楚的，而清洗后硅片表面的各種性能在一定程度上又由清洗設(shè)備本身決定，因此，對(duì)硅片清洗設(shè)備的日常維護(hù)就尤為重要。目前，在半導(dǎo)體的生產(chǎn)中廣泛使用的為濕式化學(xué)清洗方法，在該清洗方法中有大量的化學(xué)試劑被使用，具體使用的化學(xué)試劑及其主要作用見(jiàn)表1。▼表1常用的化學(xué)清洗溶液另外，在半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)廠家，槽式清洗設(shè)備被廣泛使用，由于該類清洗設(shè)備清洗工位較多，任何一個(gè)環(huán)節(jié)的疏忽，都會(huì)導(dǎo)致最終清洗后硅片表面質(zhì)量不合格，且主要表現(xiàn)為硅片表面顆粒超標(biāo)和硅片表面金屬沾污超標(biāo)。硅片表面質(zhì)量的重要參數(shù)是顆粒數(shù)跟金屬沾污，去除顆粒跟金屬沾污也是硅片清洗最主要的目的，所以需對(duì)清洗設(shè)備對(duì)顆粒跟金屬沾污的去除能力進(jìn)行監(jiān)控。如發(fā)現(xiàn)硅片表面顆粒跟金屬沾污超標(biāo)，則需進(jìn)行如下處理：1、將各槽中原液排干，用DI水將槽子沖洗一次，然后將槽中水排盡；2、加入少許（lgallon)DI水，然后加入lgal- lonH2O2，再加入少許DI水，然后加工入lgallonNH4OH，再加DI水至槽滿。如果是工藝槽，則讓混合液循環(huán)2h，否則靜置2h；3、將槽中液排盡，用DI水再次沖洗槽子一次，將槽液排盡；4、重新對(duì)清洗設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。具體的操作流程如下：由于對(duì)清洗設(shè)備的工藝維護(hù)在實(shí)際的生產(chǎn)中起著舉足輕重的作用，故需特別注意。如果發(fā)現(xiàn)問(wèn)題需及時(shí)進(jìn)行解決，直至檢測(cè)合格為止。也可以咨詢本公司進(jìn)行專業(yè)服務(wù)。延展閱讀★華...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 09 - 25
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上一期給大家講解了濕法刻蝕與清洗的基本藥液，那濕法刻蝕清洗機(jī)的結(jié)構(gòu)和工作原理是什么？今天就帶大家瞧一瞧。1、刻蝕清洗設(shè)備分類濕法刻蝕清洗機(jī)按清洗的結(jié)構(gòu)方式可以分為槽式批量清洗和單片清洗機(jī)兩種類型。而槽式清洗又可分為半自動(dòng)清洗和全自動(dòng)清洗兩種機(jī)臺(tái)。2、 清洗設(shè)備結(jié)構(gòu)組成清洗設(shè)備主要由耐腐蝕機(jī)架、 酸槽、 水槽、 干燥槽、 控制單元、 排風(fēng)單元以及氣體和液體管路單元等幾大部分構(gòu)成。其中酸槽和管路單元是清洗設(shè)備的主要組成部分。 按照材料的差異， 槽體可分為用不銹鋼材質(zhì)的生產(chǎn)的槽、 用NPP 材質(zhì)生產(chǎn)的抗腐蝕的槽、 用PVDF材質(zhì)生產(chǎn)的槽、 用PTFE材質(zhì)生產(chǎn)的槽、 用石英材質(zhì)生產(chǎn)的槽等， 按照功能的差異槽體又可分為酸堿刻蝕槽、 溢流清洗槽、 快速排水槽和使晶圓快速干燥的干燥槽等， 根據(jù)清洗工藝要求的不同， 還可以增加腐蝕液的超聲及兆聲清洗、 腐蝕液加熱或制冷、攪拌、 循環(huán)及去離子水加熱等清洗功能?！鴿穹涛g清洗機(jī)的組成部分在材料選擇上， 不銹鋼槽主要用于有機(jī)溶液或堿性溶液； 而石英加熱槽主要用于酸性溶液， 而且該槽耐高溫， 一般為二百攝氏度， 最高可以達(dá)到四百攝氏度；高純度聚丙烯槽主要用于溫度小于八十?dāng)z氏度的酸堿溶液；聚氟乙烯槽常常用來(lái)承裝 BOE 以及氫氟酸， 要求溫度最高不能高于一百二十?dāng)z氏度。 聚四氟乙烯槽可用于幾乎所有的酸堿以及有機(jī)溶液，其耐溫小于150攝氏度。在功能選擇上， Q...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 09 - 13
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大家知道濕法刻蝕中清洗時(shí)所需的基本藥液有哪幾種嗎？首先是刻蝕液，刻蝕液主要有磷酸、氫氟酸、緩沖刻蝕劑（BOE）、鋁刻蝕劑（M2）、硝酸等。1、磷酸刻蝕液磷酸刻蝕液由純磷酸和去離子水組成， 工作溫度為 160攝氏度。 主要功能是用來(lái)刻蝕氮化硅膜及其下面的氧化膜。其對(duì)氮化硅膜的刻蝕速率是55A/Min,對(duì)氧化膜的刻蝕速率是1.7-10A/Min。 該刻蝕液的反應(yīng)速率主要取決于反應(yīng)溫度和溶液中水的含量。其反應(yīng)機(jī)理如下：Si3N4 + 6H2O --- 3SiO2 + 4NH3（需要用 H3PO4作催化劑）晶圓在磷酸刻蝕液反應(yīng)槽里反應(yīng)后必須被傳送到熱的去離子水槽里進(jìn)行清洗，否則易受到熱應(yīng)力的破壞而造成破片。2、氫氟酸刻蝕液氫氟酸刻蝕液主要用來(lái)刻蝕氧化膜。根據(jù)濃度不同可分為CHF、 LHF、 DHF等。CHF 是濃度為 49%的氫氟酸刻蝕液， 主要用來(lái)刻蝕Poly以及氮化物， 其反應(yīng)速度很快，很難用其來(lái)刻蝕掉特定的厚度，因此只能用在過(guò)刻蝕的情況。 LHF 是 CHF用水稀釋后的產(chǎn)物，其中氫氟和水的比例為50：1。該刻蝕液刻蝕速度穩(wěn)定， 晶圓生產(chǎn)上常用其刻蝕特定厚度的氧化膜。 DHF 是 LHF 進(jìn)一步稀釋后的產(chǎn)物， 其中氫氟酸和水的比例為 100：1。由于其濃度較低，所以其刻蝕速率很低，主要用來(lái)刻蝕晶圓表面的自然氧化膜。3、緩沖刻蝕劑緩沖刻蝕劑又叫作 BOE(全稱 Buffered...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 09 - 13
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上一期給大家講解了關(guān)于半導(dǎo)體硅片清洗設(shè)備及裝置，接下來(lái)我相信大家也很想了解一下關(guān)于，半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)清洗設(shè)備的主要部件的設(shè)計(jì)：晶圓清洗主要去除吸附在晶圓表面的各種雜質(zhì)粒子，如微粒、有機(jī)物、無(wú)機(jī)金屬離子等，使晶圓的表面潔凈度達(dá)到 ULSI 工藝要求。 濕法晶圓清洗的原理是使用各種化學(xué)藥液與晶圓表面各種雜質(zhì)粒子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成溶于水的物質(zhì)，再用高純水沖洗，依次去除晶圓表面各雜質(zhì)。一、加熱酸槽設(shè)計(jì)在半導(dǎo)體清洗工藝中，有些化學(xué)試劑在處理晶圓時(shí)，對(duì)溫度有要求，通常，需要進(jìn)行加熱，如SC1、SC2 在 RAC 清洗工藝中就要求溫度在 70~80 ℃ 。我們?cè)谶x擇這些加熱酸槽材質(zhì)時(shí)，一般選用石英材質(zhì)。加熱酸槽一般由石英槽體、加熱器、液位保護(hù)裝置、溫度檢測(cè)裝置、排放裝置及電氣控制裝置等主要部分組成。由于我們所設(shè)計(jì)的加熱器是內(nèi)置投放式，故對(duì)所選加熱器的要求比較高，不僅能耐酸，而且還要求能耐高溫。 我們所選加熱器所有的加熱絲及其導(dǎo)線都是用 PFA 包裹起來(lái)的， 而且外包的 PFA 材質(zhì)十分潔凈，不會(huì)對(duì)酸液有所污染。 加熱器的加熱功率根據(jù)槽體的容積選取。由于加熱器是置于槽體底部，所以，液位保護(hù)裝置優(yōu)為重要。 液位保護(hù)裝置主要用于檢測(cè)石英槽內(nèi)是否有酸液，防止加熱器在沒(méi)有酸液的情況下工作而發(fā)生危險(xiǎn)。 溫度檢測(cè)裝置主要用于檢測(cè)石英槽內(nèi)酸液的溫度， 將檢測(cè)的溫度信號(hào)反饋給溫度器，由溫控器實(shí)現(xiàn)溫度控制。...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 09 - 05
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隨著集成電路制程工藝節(jié)點(diǎn)越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)實(shí)際制造的幾個(gè)環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對(duì)雜質(zhì)含量越來(lái)越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會(huì)引入一些顆粒、有機(jī)物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進(jìn)行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。今天《半導(dǎo)體小課堂》帶大家細(xì)數(shù)一下，常用的四種半導(dǎo)體硅片清洗設(shè)備及裝置：1、浸入式濕法清洗槽濕法化學(xué)清洗系統(tǒng)既可以是浸入式的又可以是旋轉(zhuǎn)式的。一般設(shè)備主要包括一組濕法化學(xué)清洗槽和相應(yīng)的水槽，另外還可能配有甩干裝置。硅片放在一個(gè)清洗專用花籃中放人化學(xué)槽一段指定的時(shí)間，之后取出放人對(duì)應(yīng)的水槽中沖洗。對(duì)于清洗設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，材料的選擇至關(guān)重要。使用時(shí)根據(jù)化學(xué)液的濃度、酸堿度、使用溫度等條件選擇相應(yīng)的槽體材料。從材質(zhì)上來(lái)說(shuō)一般有NPP、PVDF、PrFE、石英玻璃等。例如：PVDF、IyIFE、石英玻璃等一般用在需加熱的強(qiáng)酸強(qiáng)堿清洗，其中石英玻璃不能用在HF清洗中，NPP一般用在常溫下的弱酸弱堿清洗。而常溫化學(xué)槽，一般為NPP材料?！鴪D1  石英加熱槽槽內(nèi)溶液可加熱到180℃甚至更高，它一般由石英內(nèi)槽、保溫層、塑料(PP)外槽組成。石英槽加熱可以通過(guò)粘貼加熱膜或者直接在石英玻璃上涂敷加熱材料實(shí)現(xiàn)。石英槽內(nèi)需...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 09 - 04
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半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于產(chǎn)業(yè)鏈的上游，是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料應(yīng)用于集成電路、LED等多個(gè)領(lǐng)域，其中以集成電路的占比和技術(shù)難度最高。一、半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過(guò)程主要包括晶圓制造（前道，F(xiàn)ront-End）和封裝（后道，Back-End）測(cè)試，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱為中道（Middle-End）。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多，所以在制造過(guò)程中需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備和材料。在這里，我們以最為復(fù)雜的晶圓制造（前道）和傳統(tǒng)封裝（后道）工藝為例，說(shuō)明制造過(guò)程的所需要的設(shè)備和材料?！呻娐樊a(chǎn)業(yè)鏈晶圓生產(chǎn)線可以分成7個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)域：擴(kuò)散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長(zhǎng)（Dielectric Deposition）、拋光（CMP）、金屬化（Metalization）。這7個(gè)主要的生產(chǎn)區(qū)和相關(guān)步驟以及測(cè)量等都是晶圓潔凈廠房進(jìn)行的。在這幾個(gè)生產(chǎn)區(qū)都放置有若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。例如在光刻區(qū)，除了光刻機(jī)之外，還會(huì)有配套的涂膠/顯影和測(cè)量設(shè)備?！冗M(jìn)封裝技術(shù)及中道（Middle-End）技術(shù)▲IC晶圓制造流程圖二、IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料▲傳統(tǒng)封裝工藝流程傳統(tǒng)封裝（后道）測(cè)...
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