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發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、Ｎ２ 保護單元組成的陰極回轉體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下：從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結構，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結構上的特點，該方法經實驗驗證具有：①結構簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用，產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ皆O備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注華林科納（江蘇）半導體官網，關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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一、 前言電路板使用銅作為導電材料，制作過程中大多采用先進電鍍再蝕刻的方式使電路成型。一般而言，可概分為減成法(subtractive process)及加成法（additive process），前者是以銅箔基板為基材經印刷或壓模、曝光、顯影等程序在基板上形成一線路圖案再將板面上線路部分以外的銅箔蝕刻掉，最終剝除覆蓋在線路上的感光性干膜阻劑或油墨，以形成電子線路的方法；而后者則采未壓銅膜的基板，以化學沉銅沉積的反反復，在基板上欲形成線路的部分進行銅沉積，以形成導電線路。減成法又可細分為全板鍍銅法（pannel plating）及線路鍍銅法（pattern plating），另外還有上述兩種制造方法折衷改良的局部加成發(fā)法（partial additive）。目前電路板制造上還是多以減成法為主。無論哪種制造方式，蝕刻皆是其制造流程中不可或缺的一部分，尤其是減成法最為重要。二、 蝕刻液之分類與說明蝕刻液一般可分為酸性蝕刻液與堿性蝕刻液兩類，酸性蝕刻液會攻擊以錫或錫鉛為主的阻抗液金屬阻劑層，對干膜攻擊力較低；反之，堿性蝕刻液則會攻擊干膜，對金屬阻劑的攻擊力較低，所以目前酸性及堿性蝕刻液在電路板制程上的選用大致上十分清楚；有干膜的流程，如內層蝕刻走酸性蝕刻，有金屬阻劑的制程，如外層蝕刻則走堿性蝕刻。2.1 酸性蝕刻液酸性蝕刻液主要用在內層蝕刻以氯酸鈉、氯化銅以及氯化鐵為...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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一、引言化合物半導體材料砷化鎵 （GaAs）和磷化銦（InP）是微電子和光電子的基礎材料，而砷化鎵則是化合物半導體中最重要、用途最廣泛的半導體材料，也是目前研究得最成熟、生產量最大的化合物半導體材料。由于砷化鎵具有電子遷移率高（是硅的5~6倍）、禁帶寬度大（它為1.43eV，Si為1.1eV）且為直接帶隙，容易制成半絕緣材料（電阻率~?cm）、本征載流子濃度低、光電特性好。用砷化鎵材料制作的器件頻率響應好、速度快、工作溫度高，能滿足集成光電子的需要。它是目前最重要的光電子材料，也是繼硅材料之后最重要的微電子材料，它適合于制造高頻、高速的器件和電路。此外, GaAs材料還具有耐熱、耐輻射及對磁場敏感等特性。所以,用該材料制造的器件也具有特殊用途和多樣性,其應用已延伸到硅、鍺器件所不能達到的領域。即使在1998年世界半導體產業(yè)不景氣的狀況下, GaAs材料器件的銷售市場仍然看好[1]。當然, GaAs材料也存在一些不利因素,如:材料熔點蒸氣壓高、組分難控制、單晶生長速度慢、材料機械強度弱、完整性差及價格昂貴等,這都大大影響了其應用程度。然而, GaAs材料所具有的獨特性能及其在軍事、民用和產業(yè)等領域的廣泛用途,都極大地引起各國的高度重視,并投入大量資金進行開發(fā)和研究。一． 材料的結構2.1砷化鎵的晶體結構砷化鎵晶格是由兩個面心立方(fcc)的子晶格(格點上分別是砷和鎵的兩個子...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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藍寶石窗口片研磨拋光階段的工藝流程為：粗磨（一致化）--精磨（平坦化）--拋光（鏡面化）。其中，粗磨和精磨階段都是采取磨料沖擊破碎藍寶石表面的方式進行，為純物理作用，拋光一般采用堿性二氧化硅溶膠，一邊對藍寶石表面進行輕微腐蝕，一邊通過拋光墊掃除的方式達到鏡面效果，為CMP拋光，即化學物理拋光法。由以上流程可知，藍寶石拋光是一個腐蝕—掃除的過程，其中，腐蝕的厚度僅僅達到埃米級。藍寶石拋光完結應該是鏡片的所有部分都達到鏡面效果。在日常加工中，經常碰到藍寶石拋光異常加長的現(xiàn)象，時間太長的表象為以下幾點：1、 長方形特別是長條形的四個角拋不透；2、 表面有坑點；3、 橘皮水紋等缺陷；4、 表面發(fā)蒙，霧化。以上現(xiàn)象，除第三點外，基本都由前道研磨所產生。誠如前文所述，拋光是逐漸腐蝕的過程，而腐蝕的深度非常細微，藍寶石拋光時間長，無非就是腐蝕還沒達致全局，要想達致全局，只能延長拋光時間。那么造成腐蝕難以短時間達致全局的原因是什么呢？毫無疑問是研磨過后的鏡片的平坦度問題造成的。我們來逐步分析以上幾種現(xiàn)象。1、 角不透。雙面研磨是通過行星輪固定鏡片并隨著行星輪的運轉方式在研磨機的研磨盤上運動，通過研磨盤對研磨砂的帶動來進行沖擊破碎表面，達到研磨目的。但是長方形特別是長條形的鏡片在行星輪里是位置相對固定，無法自轉，即使產生表面不平整，也無法像圓片一樣通...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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一、引言（學習藍寶石襯底的用意及用處）近二十年來，氮化鎵基發(fā)光二極管取得了飛躍式發(fā)展，并實現(xiàn)了大規(guī)模的產業(yè)化生產。氮化鎵基發(fā)光二極管由于其高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)越性能，將取代現(xiàn)有的白熾燈、熒光燈、鹵化燈等而成為主流的固態(tài)照明工具。然而，同質外延生長所需的高質量GaN襯底的價格昂貴且遠不能滿足大規(guī)模生產的需求?，F(xiàn)有的外延襯底大部分仍是藍寶石，由于藍寶石與GaN材料存在晶各失配和熱失陪等缺點，這阻礙了GaN晶體質量的提高，從而導致了GaN的發(fā)光器件性能的進一步提高。大量研究表明，圖形化藍寶石襯底有利于降低晶體的位錯密度和應力釋放，從而大大改善GaN晶體的質量和GaN的發(fā)光器件性能。二、藍寶石襯底的常規(guī)清洗方法在正常的室溫下，有機溶劑超聲清洗，以及加熱條件下，丙酮浸泡。實施本發(fā)明的藍寶石襯底清洗方法，取消了傳統(tǒng)清洗方法中使用的三氯乙烯試劑，減少了環(huán)境污染，避免人員中毒，在清洗過程中，使用超聲波和加熱清洗，可節(jié)省清洗時間，提高清洗效率和質量。工藝簡單、操作方便，滿足環(huán)保要求。然而，使用超聲波清洗機清洗藍寶石襯底，是利用了超聲波在液體中的空化作用、加速度作用及直進流作用對液體和污物直接、間接的作用，使污物層被分散、乳化、剝離而達到清洗目的。三、藍寶石襯底清洗用超聲波設備類型中的光學超聲波清洗機深圳威固特VGT-1403FH為光學超聲波清洗機，設備共有14個功能槽，配置有循環(huán)過濾系統(tǒng)、有機溶劑蒸...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常壓CVD (Normal Pressure CVD) （2）低壓CVD (Low Pressure CVD) （3）熱CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）電漿增強CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic   CVD) & 分子磊晶成長(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生長法 (LPE) 4、涂敷光刻膠 （1）光刻膠的涂敷 （2）預烘(pre bake) （3）曝光（4）顯影（5）后烘(post bake) （6）腐蝕(etching) （7）光刻膠的去除5、此處用干法氧化法將氮化硅去除6 、...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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一、單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。       單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。   單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越 低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材， 外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要 用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英 寸。外延片主要用于集成電路領域。   由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用最廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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簡介硅片的準備過程從硅單晶棒開始，到清潔的拋光片結束，以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間，從一單晶硅棒到加工成數(shù)片能滿足特殊要求的硅片要經過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外，整個過程幾乎都要在無塵的環(huán)境中進行。硅片的加工從一相對較臟的環(huán)境開始，最終在10級凈空房內完成。工藝過程綜述硅片加工過程包括許多步驟。所有的步驟概括為三個主要種類：能修正物理性能如尺寸、形狀、平整度、或一些體材料的性能；能減少不期望的表面損傷的數(shù)量；或能消除表面沾污和顆粒。硅片加工的主要的步驟如表1.1的典型流程所示。工藝步驟的順序是很重要的，因為這些步驟的決定能使硅片受到盡可能少的損傷并且可以減少硅片的沾污。在以下的章節(jié)中，每一步驟都會得到詳細介紹。硅片加工過程步驟1.       切片2.       激光標識3.       倒角4.       磨片5.       腐蝕6.       背損傷7.    ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1  介紹    化合物半導體材料的研究可以追溯到上世紀初，最早報導的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年，德國科學家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作為一種新的半導體族來研究，并指出它們具有Ge、Si等元素半導體材料所不具備的優(yōu)越特性。五十多年來，化合物半導體材料的研究取得了巨大進展，在微電子和光電子領域也得到了日益廣泛的應用。    砷化鎵（GaAs）材料是目前生產量最大、應用最廣泛，因而也是最重要的化合物半導體材料，是僅次于硅的最重要的半導體材料。由于其優(yōu)越的性能和能帶結構，使砷化鎵材料在微波器件和發(fā)光器件等方面具有很大發(fā)展?jié)摿?。目前砷化鎵材料的先進生產技術仍掌握在日本、德國以及美國等國際大公司手中，與國外公司相比國內企業(yè)在砷化鎵材料生產技術方面還有較大差距。2  砷化鎵材料的性質及用途    砷化鎵是典型的直接躍遷型能帶結構，導帶極小值與價帶極大值均處于布里淵區(qū)中心，即K=0處，這使其具有較高的電光轉換效率，是制備光電器件的優(yōu)良材料。  在300 K時，砷化鎵材料禁帶寬度為1.42 eV，遠大于鍺的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化鎵器件可以工作在較高的溫度下和承受較大的功率。...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1介紹半導體IC制程主要以20世紀50年代以后發(fā)明的四項基礎工藝（離子注入、擴散、外延生長及光刻）為基礎逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內各元件及連線相當微細，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前等均需要進行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質。華林科納（江蘇）半導體設備有限公司是國內比較早的從事晶圓濕法清洗設備的廠家?！?#39; O( O& o6 r7 [$ o6 S3 R! X2污染物雜質的分類8 ?. X8 k$ Y1 y+ [' F5 ^) \% f' dIC制程中需要一些有機物和無機物參與完成，另外，制作過程總是在人的參與下在凈化室中進行，這樣就不可避免的產生各種環(huán)境對硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物。   C$ a: E& t5 [6 B3 v- ~2.1顆粒,@/e&~,I/|#C$R& @# R' H+ X8 n& l6 U4 D& ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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一、主要生產設備 二、工藝流程簡述 晶體、合成莫桑寶石生產工藝流程1、粉料研磨：本項目外購的硅粉有的時候粒徑較大，為了后續(xù)合成，需利用粉料研磨機將其進行研磨。整個研磨過程全部在密閉倉內進行。由于需要研磨的硅粉一般粒徑均較大，因此研磨投料過程中無粉塵產生。研磨好后的細硅粉由密閉輸送管道送至塑料包裝袋內儲存?zhèn)溆?，在物料輸送至塑料包裝袋的過程中可能會有少量硅粉散逸。全部為無組織排放。2、粉料合成：將研磨好的粉料裝入 SIC 粉料合成爐配套的石墨堆塌內（每次可投加物料約1公斤）,蓋好蓋，然后將爐內抽真空至0.5*10-3pa,同時為了進一步防止粉料合成過程中碳粉被氧化，還需通入氧氣進行保護。SIC粉料合成爐加熱溫度約為2000℃，采用電加熱，加熱時間約20個小時。經粉料合成后的碳粉和硅粉就基本已經成為碳化硅小晶體了，只是晶體粒徑較小，完全不能滿足客戶的需求，還需將小的晶體進一步生長使其成為一塊大的碳化硅晶體。該工序污染物主要為粉狀物料在使用過程中散逸的少量粉塵。3、晶體生長：品體生長的方法是在高溫和真空條件下，在石墨堆塌中心放入一顆很小的籽晶作為種子，然后在籽晶周圍放入粉料合成爐合成的小的碳化硅品體。在這種環(huán)境下，小的碳化硅晶體會不斷生長變大，從而形成成塊的碳化硅品體，尺寸約為2英寸、三英寸，厚20mm左右的圓柱體。品體生長所需溫度約為2200度，加熱采用電加熱，真空度...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
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