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發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 10
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域，由于多晶硅電池片成本較低，其 市 場(chǎng) 占有率已躍居首位，但相對(duì)于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構(gòu)化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各 向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡(jiǎn)單，可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產(chǎn)工序中，同時(shí)成 本 最 低，因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 完美適應(yīng)當(dāng)前所有型號(hào)的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時(shí)可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒（Foup片盒）三種設(shè)備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開口片盒（Foup片盒）清洗產(chǎn)能：每小時(shí)18組前端開口片盒（Foup片盒） 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時(shí)4組花籃和片盒，或是12個(gè)花籃(Cleanstep I/II) 簡(jiǎn)單快捷的對(duì)不同尺寸的片盒和花籃進(jìn)行切換 旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統(tǒng)對(duì)自鎖裝置的檢測(cè)，達(dá)到安全加載片盒和花籃，及其運(yùn)行特征和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用不同化學(xué)品（稀釋劑）來清洗 泵傳輸清洗液 計(jì)量調(diào)整可通過軟件設(shè)置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務(wù)供應(yīng) — 標(biāo)準(zhǔn)化 或有一個(gè)體積約100升的熱水預(yù)備槽（循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預(yù)備槽—選項(xiàng)） 籠子 帶有可變速旋轉(zhuǎn)的控制的高扭矩伺服電機(jī)（按照加載量和設(shè)備配置，最大旋轉(zhuǎn)速度200rpm,） 旋轉(zhuǎn)的不銹鋼籠子 會(huì)自動(dòng)停止工作（運(yùn)行過程中出現(xiàn)失衡狀態(tài)時(shí)）熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據(jù)設(shè)備待機(jī)和工藝運(yùn)行模式的可調(diào)風(fēng)量的風(fēng)扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器，可以溫度控制 軟件監(jiān)控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標(biāo)準(zhǔn)化 也...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備設(shè) 備 名  稱華林科納（江蘇）CSE-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)使 用 對(duì) 象硅晶片2-12inch適 用 領(lǐng)  域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備主體構(gòu)造特點(diǎn)1. 設(shè)備包括：設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體：設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；4.骨 架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲(chǔ)物區(qū)：位于工作臺(tái)面左側(cè)，約280mm寬，儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設(shè)計(jì)，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn)；8.管路系統(tǒng)：位于設(shè)備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護(hù)：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接...
發(fā)布時(shí)間： 2020 - 04 - 21
拋光液供液系統(tǒng)//拋光液供酸系統(tǒng)//拋光液供液設(shè)備//拋光液供酸設(shè)備設(shè)備功能1.提供拋光液和表面活性劑供應(yīng)緩存桶，從而保證設(shè)備工藝流量穩(wěn)定；2.提供溫度，PH值控制，以滿足拋光設(shè)備的工藝需求；3.滿足stock slurry循環(huán)使用需求；特點(diǎn)：1.所有Tank箱體采用SUS304框架+米黃PVC 保管，需配置排氣，排液，排漏以及漏液檢測(cè)報(bào)警。2.Tank材質(zhì)采用NPP或PVDF以上，管道使用PFA，選用材料對(duì)slurry無顆粒和金屬污染(包括Pump內(nèi)部與Slurry接觸部分)；3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater，4.Tank內(nèi)的 Slurry 以及Surfactant處于常時(shí)循環(huán)狀態(tài)， 供應(yīng)設(shè)備管路末端有壓力表；5.為檢測(cè)Tank內(nèi) Slurry 以及Surfactant的容量(Level)， 配置***個(gè)**液位傳感器；6.所有Tank配置水槍，同時(shí)slurry桶上部能開啟，以方便沖洗Tank。7.所有的 Tank內(nèi)要配置溫度和PH sensor，同時(shí)需要將數(shù)據(jù)同步傳送給設(shè)備主機(jī)；8.Tank使用控制面板進(jìn)行顯示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵，滿足現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際揚(yáng)程，流量等能力需求。9. 每個(gè)tank外部供應(yīng)管路配置有自動(dòng)配送閥并由設(shè)備自我控制。更多拋光液供液系統(tǒng)//拋光液供酸系統(tǒng)//拋光液供液設(shè)備//拋光液供酸設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司官網(wǎng)regal-bio.cn,熱線0513-87733829
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 19
片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 設(shè)備概況：主要功能：本設(shè)備主要手動(dòng)/自動(dòng)搬運(yùn)方式，通過對(duì)片盒化學(xué)液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進(jìn)行處理，從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱：片盒清洗機(jī)設(shè)備型號(hào)：CSE-SC-N259整機(jī)尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設(shè)備非標(biāo)定制）操作形式：手動(dòng) 設(shè)備組成該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成 設(shè)備描述此裝置是一個(gè)手動(dòng)的處理設(shè)備；設(shè)備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；主體材料：德國進(jìn)口 10mmPP 板，優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；臺(tái)面板為德國 10mm PP 板；DIW 管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質(zhì)要求；采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工，焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成排風(fēng)：位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明：上方防酸照明安全考慮：1. 設(shè)有 EMO(急停裝置)2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設(shè)備排風(fēng)口加負(fù)壓檢測(cè)表5. 設(shè)備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報(bào)警 設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi) 更多的花籃和片盒清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費(fèi)的片盒清洗機(jī)解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
自動(dòng)供液系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 13
設(shè)備名稱：晶棒腐蝕機(jī)---CSE產(chǎn)品描述：        ●此設(shè)備自動(dòng)化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動(dòng)機(jī)械傳送裝置,CDS系統(tǒng)，抽風(fēng)系統(tǒng),電控及操作臺(tái)等部分組成;         ●進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動(dòng)門（對(duì)開/推拉式），保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動(dòng)保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;         ●機(jī)械臂定位精度高;         ●整體設(shè)備腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠;         ●設(shè)備成本合理,自動(dòng)化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作.         ●非標(biāo)設(shè)備，根據(jù)客戶要求具體定制，歡迎詳細(xì)咨詢！更多半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響，在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率，然而，通過XPS分析，發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多的表面殘留副產(chǎn)物，在王水和HCl中的表面濃度(氯與銦的比率)分別為7.2和0.38，還觀察到，由于離子化雜質(zhì)散射，表面殘留副產(chǎn)物降低了載流子遷移率，如在蝕刻過程后的ITO圖案中所見，由于快速蝕刻速率，王水發(fā)生了嚴(yán)重的底切，因此，9 M HCl溶液更適合作為ITO/有機(jī)發(fā)光二極管應(yīng)用的蝕刻劑。本研究中采用了ITO鍍膜玻璃，因?yàn)樗谋与娮璧?，在可見光區(qū)的透明度高(90%)，在蝕刻過程開始之前，樣品 依次用丙酮、甲醇、去離子水清洗，用N2氣體干燥，用不同濃度和溫度的鹽酸(HCl)和水溶液(硝酸與鹽酸的體積比為1:3)進(jìn)行蝕刻實(shí)驗(yàn)，將ITO玻璃垂直浸入蝕刻溶液中，在蝕刻過程中不攪拌，在ITO蝕刻過程之后，進(jìn)行各種表征。用能量色散譜(EDS)、霍爾測(cè)量和掃描電鏡(SEM)分別測(cè)量了腐蝕前后ITO膜的表面余氯、載流子濃度、遷移率和表面形貌，此外，通過單色 X射線源進(jìn)行X射線光電子能譜(XPS)測(cè)量，在這項(xiàng)工作中報(bào)道的所有結(jié)合能(BE)都是參考285.3 eV處碳C 1s峰的結(jié)合能。此外，用橢偏儀監(jiān)測(cè)腐蝕前后ITO膜的厚度。在本研究中，使用HCl和王水作為蝕刻溶液，蝕刻反應(yīng)是 In2O3 + 2HC1 → 2...
發(fā)布時(shí)間: 2022 - 03 - 29
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在本研究中，我們研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對(duì)ITO在最有趣的解決方案中的行為進(jìn)行了更詳細(xì)的研究，試圖闡明這些浴液中的溶解機(jī)制。ITO通過每分鐘5.5標(biāo)準(zhǔn)立方厘米的氧流量的直流磁控濺射均勻沉積在玻璃基底上，目標(biāo)的密度為70%，襯底溫度為350°C，沉積電壓和功率設(shè)置分別為375V和1.7kW，得到的ITO層厚度為120納米，在550納米處超過85%的透射率，ITO膜的化學(xué)組成通過以下方式獲得俄歇電子能譜，都在表面和整體。蝕刻實(shí)驗(yàn)是用部分被光刻膠覆蓋的ITO樣品進(jìn)行的，樣品垂直放置在蝕刻劑中，蝕刻后，樣品在去離子水中沖洗，抗蝕劑在丙酮中剝離，樣品在氮?dú)饬髦懈稍?，測(cè)量蝕刻深度，對(duì)于每個(gè)蝕刻率測(cè)定，這至少5次不同的蝕刻時(shí)間，蝕刻深度作為時(shí)間的函數(shù)繪制，蝕刻率以直線的斜率得到，實(shí)驗(yàn)在30或50°C條件下進(jìn)行，溫度保持在0.1°C范圍內(nèi)，電化學(xué)測(cè)量是在室溫下進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)電化學(xué)電池中包含ITO樣品，一個(gè)大面積鉑對(duì)流電極和一個(gè)飽和熱量參比電極(SCE)，使用溫金恒電位器LB75L，結(jié)合高溫度儀器小波發(fā)生器PPRI和飛利浦X-Y記錄器PM8143，在100mV/s的掃描速率下記錄伏安圖。在室溫下在電化學(xué)電池中進(jìn)行電位蝕刻實(shí)驗(yàn)，在這些實(shí)驗(yàn)中，...
發(fā)布時(shí)間: 2022 - 03 - 29
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導(dǎo)致PR實(shí)質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程(BEOL)蝕刻中，在不去除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性是非常具有挑戰(zhàn)性的。概述了現(xiàn)狀、問題和一些新的方法。 介紹光致抗蝕劑用于保護(hù)晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學(xué)物質(zhì)、離子注入等的影響。工藝完成后，需要選擇性地去除光致抗蝕劑并清潔表面，以確保表面沒有殘留物和顆粒。原則上，使用濕化學(xué)物質(zhì)如熱SPM、有機(jī)溶劑或通過使用干等離子體的“灰化”去除抗蝕劑是可能的。然而，在干法蝕刻或注入處理過程中，抗蝕劑會(huì)發(fā)生化學(xué)改性，這種改性會(huì)顯著降低剝離速率。如果更具侵略性-例如，使用高度氧化的化學(xué)物質(zhì)，這可能導(dǎo)致晶片上其他材料的不希望的侵蝕。雖然這些考慮幾十年來，對(duì)于單元工藝開發(fā)非常重要，對(duì)于45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)和更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)的某些iTRS路線圖要求變得越來越嚴(yán)格，以至于工業(yè)實(shí)驗(yàn)室正在考慮對(duì)cMOS集成流程的幾個(gè)模塊進(jìn)行根本性的范式轉(zhuǎn)變。同時(shí)，新的替代集成方案，包括使用應(yīng)變硅、金屬硬掩模和金屬柵電極，導(dǎo)致不同的要求。這使得對(duì)這一主題的研究更加復(fù)雜。在下文中，我們總結(jié)了現(xiàn)狀、問題和新方法，重點(diǎn)關(guān)注FEOL中的源漏注入模塊和BEOL的低k干法刻蝕模塊。 ...
發(fā)布時(shí)間: 2022 - 03 - 28
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)集成和MEMS器件中的新概念要求晶片厚度薄至小于150 μm。機(jī)械研磨因其高減薄率而成為最常見的晶圓減薄技術(shù)。研磨系統(tǒng)通常采用兩步工藝，先以極高的速度(5米/秒)進(jìn)行粗磨，然后以較低的速度進(jìn)行細(xì)磨(£ 1米/秒)以去除由粗磨步驟產(chǎn)生的大部分損傷層。然而，在晶片表面附近仍然存在缺陷帶。該缺陷區(qū)的厚度取決于磨削條件。這些殘余缺陷會(huì)在變薄的晶片中產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致額外的彎曲，并導(dǎo)致晶片破裂。由于殘留的缺陷層和表面粗糙度，需要在機(jī)械研磨后進(jìn)行額外的減薄工藝來提供可靠的薄晶片。這種最終的蝕刻和表面調(diào)節(jié)可以通過CMP、干法蝕刻或濕法化學(xué)蝕刻來完成。最具成本效益的工藝是濕法蝕刻。與機(jī)械研磨相比，在背面使用最終濕法蝕刻工藝減薄的晶片將具有更小的應(yīng)力。將減少晶片破損，并且在切割之后，芯片將具有更少的裂縫和碎片。根據(jù)晶片背面的后續(xù)工藝，表面的最佳粗糙度或光滑度可能不同。對(duì)于金屬沉積，輕微的粗糙度將提高附著力。2對(duì)于晶片鍵合，需要非常光滑的表面。本文對(duì)一些關(guān)鍵工藝參數(shù)進(jìn)行了研究，以提供非常均勻的蝕刻和可控的表面光潔度，并對(duì)這些工藝進(jìn)行了演示。 實(shí)驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)是在SSEC 3300系統(tǒng)上進(jìn)行的。在蝕刻過程中，...
發(fā)布時(shí)間: 2022 - 03 - 28
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發(fā)布時(shí)間: 2022 - 03 - 26
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料用半導(dǎo)體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。在本文報(bào)道的研究中，基于顆粒吸附在晶片表面的機(jī)理，研究了去除吸附在水表面的顆粒的機(jī)理。在顆粒去除實(shí)驗(yàn)中，用濕法清洗工藝中使用的酸性和堿性溶液清洗了人工污染的單晶提拉法和FZ法晶片。已經(jīng)證明，就顆粒去除效率而言，堿性溶液優(yōu)于酸性溶液。據(jù)認(rèn)為，由于堿性溶液中大多數(shù)顆粒的ζ電位為負(fù)，顆粒被晶片表面電排斥。除了從膠體化學(xué)的角度進(jìn)行研究之外，我們認(rèn)為檢查由堿性溶液引起的晶片表面腐蝕也是很重要的。為此，研究了腐蝕速率和微粒去除效率之間的關(guān)系。使用直拉和FZ晶片。此外，用聚苯乙烯乳膠球代表有機(jī)物，研究了在NH，OH-H2O，-H2O溶液中的氧化過程，以找出氧化程度與顆粒物去除率之間的關(guān)系。結(jié)果，它已經(jīng)被顯示應(yīng)該將NH4 H-HOOK-H2O溶液中的NH，OH含量降低到常規(guī)水平的1 /20，以優(yōu)化顆粒去除效率。本文的剩余部分將描述實(shí)驗(yàn)性pro-的細(xì)節(jié)cess和結(jié)果。英寸CZ ( 1，0，0)晶片用于粒子吸附實(shí)驗(yàn)。自然氧化物首先在0。5 Y HF溶液。然后將晶片浸入各種接種有顆粒的溶液中10分鐘，然后沖洗并干燥。在晶片表面形成自然氧化物后，在0.5的氫氟酸溶液中再次去除，然后清洗并干燥。五英寸鋯石(1。0.0)和四英寸FZ ( 1，0，0)晶片用于清洗實(shí)驗(yàn)以研究顆粒去除。使用以下污染源對(duì)晶片進(jìn)行人...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機(jī)酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)具有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘來識(shí)別極性和多型體(對(duì)于SiC ),以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于GaN和SiC，電化學(xué)蝕刻在室溫下在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產(chǎn)生類似的速率，與晶體極性無關(guān)。 介紹寬帶隙半導(dǎo)體GaN、SiC和ZnO對(duì)于許多新興應(yīng)用是有吸引力的。例如，AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMTs)和單片微波集成電路(MMICs)的發(fā)展保證了高頻操作。此外，GaN用于紫外波長(zhǎng)光電器件。它具有高擊穿電場(chǎng)，大于硅或GaAs的50倍，這允許它用于高功率電子應(yīng)用。GaN的寬帶隙允許其用于藍(lán)色/紫外線發(fā)光二極管(led)和激光二極管(LD ),并且由于其低本征載流子濃度，允許其在非常高的溫度下工作。高電子遷移率和飽和速度允許其用于高速電子學(xué)。此外，諸如AlGaN/GaN的異質(zhì)結(jié)構(gòu)允許制造諸如HEMTs的高...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文介紹了在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因?yàn)楦煞ㄎg刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對(duì)于形成細(xì)微的布線是有利的。濕法蝕刻是對(duì)膜進(jìn)行各向同性蝕刻，因此不利于形成精細(xì)的布線，能夠使用的布線有限，在最上層的Al系布線中使用的情況，這是因?yàn)榕c干法蝕刻相比，可以用廉價(jià)的裝置形成。另外，在形成接觸孔和通孔孔時(shí)，為了改善其后成膜時(shí)的覆蓋范圍，有的情況是首先用BHF藥液進(jìn)行濕法蝕刻；另一方面，在現(xiàn)在的半導(dǎo)體器件制造工藝中，作為最多的使用目的，還是去除布線形成后不需要的膜。下面介紹半導(dǎo)體制造過程中的重要組成部分：清洗和使用藥液，下列的表中。首先是粒子去除（清洗），通常使用的藥液是氨和過氧化氫水的混合液，混合比例、液溫、清洗時(shí)間等是各公司的專有技術(shù)，一般來說氨：過氧化氫：純水=1：1-10：20-100，溫度40-70℃,使用時(shí)間為30秒-4分鐘。 下圖中顯示了粒子、金屬雜質(zhì)、有機(jī)雜質(zhì)被清洗的機(jī)理的例子；在APM液中過氧化氫水的作用下，硅晶圓表面形成0.8 納米左右的極薄氧化膜，使用臭氧水（臭氧濃度10 ppm左右，溫度25℃以下）時(shí)，由于臭氧的作用，同樣會(huì)形成0.8 納米左右的極薄氧化膜，并且，APM液中的氨具有蝕刻去除形成的氧化膜的作用，在去除氧化膜的同時(shí)，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料GaAs晶圓擁有強(qiáng)大的性能特性，使其成為快速發(fā)展的技術(shù)世界的理想選擇，這些半導(dǎo)體正在推動(dòng)移動(dòng)通信的未來，所以移動(dòng)設(shè)備需要足夠堅(jiān)固的半導(dǎo)體來承受快速的電子傳輸速度，但由于電子移動(dòng)速度加快，所以GaAs晶圓為移動(dòng)設(shè)備開啟了改進(jìn)的功能。   5G是什么？5G代表了所有蜂窩網(wǎng)絡(luò)的第五代標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，是一個(gè)非常強(qiáng)大的寬帶蜂窩網(wǎng)絡(luò)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過4G網(wǎng)絡(luò)的速度。  了解GaAs晶圓GaAs，或砷化鎵，是一種由元素鎵和砷組成的半導(dǎo)體，砷化鎵的用途很少，因?yàn)槿狈σ筮@種特殊半導(dǎo)體特性的先進(jìn)技術(shù)，但鑒于現(xiàn)代技術(shù)的需求，所以GaAs經(jīng)歷了復(fù)蘇。  為什么是GaAs而不是硅？盡管硅被認(rèn)為是半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)材料，但GaAs晶圓提供的電子特性更適合5G移動(dòng)設(shè)備。那么，在5G網(wǎng)絡(luò)方面，GaAs和硅相比究竟如何？GaAs和硅在5G網(wǎng)絡(luò)方面，GaAs的電子移動(dòng)速度比硅快得多； 與GaAs不同，硅不耐輻射； 而且GaAs可以在微波頻率下工作。GaAs與5G的關(guān)系對(duì)于運(yùn)行在5G上的移動(dòng)設(shè)備來說，它需要一個(gè)可以完全支持信號(hào)速度的晶片。  GaAs晶片被廣泛認(rèn)為是集成電路的未來，當(dāng)我們考慮到這些半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額及其增長(zhǎng)速度時(shí)，這一事實(shí)變得非常明顯，如果我們只看GaAs威化，市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增加超過目前38億美元凈值的五倍。5G與4G4G...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料濕法晶片清洗雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān)，因?yàn)榫?jīng)過數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。晶片上的單個(gè)顆粒就足以造成致命的缺陷或偏移，最終導(dǎo)致器件故障，當(dāng)今最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)設(shè)備用于智能汽車、醫(yī)療保健和工業(yè)應(yīng)用等關(guān)鍵應(yīng)用。因此，器件可靠性比以往任何時(shí)候都更加重要。這意味著更嚴(yán)格的設(shè)備分類和寧濱，從而影響產(chǎn)量。不幸的是，許多傳統(tǒng)的晶片清洗方法不僅不足以用于先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)技術(shù)，它們還會(huì)對(duì)finFETs和硅通孔等精密結(jié)構(gòu)造成損壞。所以選擇正確的濕法晶片清洗技術(shù)不應(yīng)該是事后才想到的，而是應(yīng)該作為穩(wěn)健制造工藝流程的一部分仔細(xì)考慮。考慮到這一點(diǎn)，讓我們看看濕法晶片清洗技術(shù)是如何從一門藝術(shù)發(fā)展成為一門科學(xué)的，以及濕法晶片清洗技術(shù)是如何專門針對(duì)先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求而開發(fā)的。有幾個(gè)清洗步驟？ 45納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)需要大約150-200個(gè)單獨(dú)的清洗工藝步驟。10納米節(jié)點(diǎn)處理使用了3倍于此的數(shù)量，大約800個(gè)清洗過程步驟，包括:光致抗蝕劑條、蝕刻后剝離、植入帶、常規(guī)晶圓清洗、用于多重圖案化和EUV的背面清洗、縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)需要雙重、三重甚至四重圖案化光刻工藝。這給整個(gè)工藝流程增加了數(shù)百個(gè)額外的步驟，包括額外的清洗步驟，雖...
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