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發(fā)布時間: 2016 - 11 - 02
全自動濕法去膠清洗機-華林科納(江蘇)CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-全自動濕法去膠清洗機設(shè)備設(shè)備概況尺寸(參考):約3500(L)*1500(W)*2000(H)(具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定)清洗件規(guī)格:一次性可裝8寸晶片25pcs典型生產(chǎn)節(jié)拍:5~10min/籃(清洗節(jié)拍連續(xù)可調(diào))門:不銹鋼合頁門+PVC視窗主題構(gòu)造特點設(shè)備由于是在一個腐蝕的環(huán)境,我們設(shè)備的排風(fēng)方式,臺面下抽風(fēng),每套工藝清洗槽都有自動開閉的槽蓋,槽蓋下有單獨的抽風(fēng)裝置。設(shè)備結(jié)構(gòu)外型,整機主要由機架、工藝槽體、機械手傳輸系統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、水路系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等組成。由于工藝槽內(nèi)藥液腐蝕性強,設(shè)備需要做防腐處理:(1)設(shè)備機架采用鋼結(jié)構(gòu)骨架包塑;(2)殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接,制程區(qū)由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成:(3)電氣區(qū)設(shè)置在設(shè)備后上部,與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離;(4)槽體材料選用耐相應(yīng)溶液腐蝕的材料;(5)機械手探人濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037更多全自動濕法去膠清洗機設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的全自動濕法去膠清洗機設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 07
金屬剝離清洗機-華林科納(江蘇)CSE微機電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-金屬剝離清洗機設(shè)備系列CSE-CX13系列設(shè)備概況尺寸(參考):機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環(huán)境:室內(nèi)放置;主體構(gòu)造特點外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門:無安全門,采用敞開式設(shè)計;管路系統(tǒng):藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;排 風(fēng):后下抽風(fēng),動力抽風(fēng)法蘭位于機臺上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側(cè);隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機臺上方配照明(與工作區(qū)隔離);機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。三色警示燈置于機臺上方明顯處。工作槽參數(shù)剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學(xué)藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動加入;工作溫度:60℃并可調(diào);溫度可調(diào);加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數(shù)位檢測; 計時功能:工藝時間可設(shè)定,并可調(diào),到設(shè)定時間后聲鳴提示,點擊按鈕后開始倒序計時;批次記憶:藥液使用次數(shù)可記憶,藥液供入時間可記憶,設(shè)定次數(shù)和設(shè)定時間到后更換藥液;排液:排液管道材質(zhì)為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動槽蓋;IPA槽...
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 05
管道清洗機設(shè)備—華林科納CSE半自動石英管清洗設(shè)備適用于臥式或立式石英管清洗優(yōu)點石英管清洗:臥式—標(biāo)準(zhǔn)/立式—選項 先進的圖形化界面 極高的生產(chǎn)效率 最佳的占地 結(jié)合最先進工藝技術(shù) 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 應(yīng)用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉(zhuǎn),清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲備槽(根據(jù)使用化學(xué)品的數(shù)量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內(nèi)部進行不斷循環(huán) 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨排液系統(tǒng) 安全蓋子 易于操作和控制 節(jié)約用酸系統(tǒng) 全自動的清洗工藝步驟 備件 經(jīng)濟實惠的PP外殼材料—標(biāo)準(zhǔn)更多的石英管道清洗機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
1、設(shè)備概況:主要功能:本設(shè)備主要采用手動搬運方式,通過對擴散、外延等設(shè)備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領(lǐng) 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設(shè)備名稱:半自動石英管清洗機設(shè)備型號:CSE-SC-N401整機尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;節(jié)拍:約1--12小時(節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實際工藝時間而定)      操作形式:半自動2、設(shè)備描述:此裝置是一個半自動的處理設(shè)備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設(shè)備特點: 腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠;設(shè)備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術(shù)先進,結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作;結(jié)合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各部分遠遠領(lǐng)先同類產(chǎn)品;設(shè)備上層電器控制系統(tǒng)及抽風(fēng)系統(tǒng),中層工作區(qū),下層為管道安裝維修區(qū),主體結(jié)構(gòu)由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風(fēng)系統(tǒng)、工件滾動系統(tǒng)、氮氣鼓泡系統(tǒng)、支撐及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)、管路部分、電控部分。本設(shè)備裝有雙防漏盤結(jié)構(gòu),并有防漏檢測報警系統(tǒng),在整臺設(shè)備的底部裝有接液盤。設(shè)備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正常→啟動電源→人工上料→注酸→槽體底部氮氣鼓泡→石英管轉(zhuǎn)動(7轉(zhuǎn)/min)→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關(guān)閉)→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質(zhì)排出)→初級潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復(fù)循環(huán)(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成1#,2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用...
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已廣泛用于BEOL圖案化,以避免等離子體灰化過程中的超低k (ULK)損傷。隨著技術(shù)節(jié)點的進步,新的集成方案必須被用于利用193 nm浸沒光刻來圖案化80 nm間距以下的特征。特別是,為了確保自對準(zhǔn)通孔(SAV)集成,需要更厚的TiN-HM,以解決由光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)未對準(zhǔn)引起的通孔-金屬產(chǎn)量不足和TDDB問題。由于結(jié)構(gòu)的高縱橫比,如果不去除厚的TiN,則Cu填充工藝明顯更加困難。此外,使用TiN硬掩模時,在線蝕刻和金屬沉積之間可能會形成時間相關(guān)的晶體生長(TiCOF)殘留物,這也會阻礙銅填充。在線蝕刻之后的蝕刻后處理是該問題的一個解決方案,但是N2等離子體不足以有效地完全抑制殘留物,并且中提出的CH4處理可能難以對14 nm節(jié)點實施,因此有效的濕法剝離和清潔提供了更好的解決方案。開發(fā)了利用無銅暴露的SiCN保留方案去除厚TiN-HM的方法,并顯示出良好的電氣和可靠性性能,但仍有降低工業(yè)挑戰(zhàn)成本的空間。在本文中,我們通過使用一體化濕法方案圖1作為解決這些問題的替代方法,展示了厚錫-HM去除工藝,重點關(guān)注實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的以下標(biāo)準(zhǔn)(如表1所示)。 結(jié)果和討論首先,為了達到目標(biāo)值( 200/min),研究了每種產(chǎn)品的錫蝕刻速率的溫度依賴性。圖2顯示了錫蝕刻速率和從每個斜率計算的活化能(E...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 12
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發(fā)布時間: 2022 - 04 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文介紹了用于微型量子頻標(biāo)的MEMS堿蒸氣室技術(shù)開發(fā)的實驗結(jié)果。包含光學(xué)室、淺過濾通道和用于固態(tài)堿源的技術(shù)容器的兩室硅電池的經(jīng)典設(shè)計在濕法各向異性硅蝕刻的單步工藝中實現(xiàn)。為了防止在蝕刻穿透硅腔的過程中破壞過濾通道,計算氮化硅掩模的凸角處的補償結(jié)構(gòu)的形狀,并且通過實驗找到硅蝕刻劑的成分。實驗結(jié)果用于制造含氖大氣中87Rb或133Cs同位素蒸汽的芯片級原子鐘單元。 介紹在過去的幾十年中,深堿性硅蝕刻已經(jīng)廣泛用于微機電系統(tǒng)(MEMS)工業(yè)。有機和無機堿性溶液中硅微加工的各向異性本質(zhì)是由于單晶硅不同刻面的溶解速率的顯著差異。與硅的深度垂直等離子體蝕刻相比,堿性蝕刻不需要昂貴的設(shè)備,并且允許同時處理大量晶片。因此,優(yōu)選的是批量生產(chǎn)各種MEMS,這些MEMS包含具有不高縱橫比的簡單矩形拓撲的體結(jié)構(gòu)。這些是壓力傳感器、熱傳感器、加速度計、微流體芯片等。同類型的MEMS包括用于芯片級原子鐘(CSAC)的氣室。包含堿金屬蒸汽的MEMS原子單元是微型光泵量子器件[5]的關(guān)鍵元件,如衛(wèi)星導(dǎo)航中使用的磁力計或頻率標(biāo)準(zhǔn)。基于相干布居俘獲(CPT) 效應(yīng)運行的CSAC體積小、能耗低,這是其在這一領(lǐng)域不可否認的優(yōu)勢。原子蒸汽室通常由夾在兩個透明硼硅酸鹽玻璃晶片之間的硅晶片制成。MEMS電池技術(shù)的主要過程是硅的穿透晶片蝕刻、填充堿金屬源以及在適當(dāng)?shù)木彌_氣氛中真空密...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關(guān)的新的成品率損失機制。在預(yù)金屬化濕法清洗過程中,含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化后殘留的Cu中產(chǎn)生空隙,導(dǎo)致受影響的陣列電路中的高電阻和功能故障。去離子水中的溶解氧濃度必須最小化,以防止銅的蝕刻。 介紹與鋁互連相比,銅互連具有更高的電阻率和可靠性,因此在微電子行業(yè)獲得了廣泛認可。然而,存在許多與銅金屬化相關(guān)的產(chǎn)量問題,尤其是在濕法化學(xué)清洗期間的穩(wěn)定性方面。在與化學(xué)機械拋光(CMP) 或通孔蝕刻相關(guān)的濕法清洗后(即在蝕刻停止移除之前)[5],經(jīng)常會觀察到銅的腐蝕或蝕刻。已經(jīng)報道了三種不同類型的銅互連腐蝕;光腐蝕、電偶腐蝕和化學(xué)腐蝕。要發(fā)生腐蝕,至少需要兩個反應(yīng);陽極反應(yīng)和陰極反應(yīng)。在陽極,金屬表面被氧化,形成金屬離子和電子。在陰極,電子被幾種可能的電子消耗。此外,陽極和陰極之間必須有電連接,并且必須有電解質(zhì)與陽極和陰極都接觸。銅互連的腐蝕通常取決于圖案。當(dāng)Cu電連接到襯底中的p型Si區(qū)時,在光的存在下觀察到光腐蝕。連接到p型硅(陽極)的銅比連接到n型區(qū)域(陰極)的銅處于更正的電位,使其更容易受到腐蝕。光允許電流流過硅并完成具有電解質(zhì)的電化學(xué)電池,提供腐蝕發(fā)生所需的電荷載體,在等式和中)。銅的蝕刻通常與去H2O沖洗有關(guān)。起初,這似乎是一個令人驚訝的結(jié)果,因為迪H2O通常被認為是一種無...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在化學(xué)機械平坦化(CMP)拋光工藝之后去除晶片上的殘留物是非常重要的,因為這些殘留物會對晶片造成各種缺陷。自20世紀80年代以來,在拋光處理之后,氫氧化銨溶液或其混合物已經(jīng)被用于去除顆粒和污染物。通過混合水、過氧化氫和氫氧化銨制備的被稱為標(biāo)準(zhǔn)清潔(SC)溶液的RCA化學(xué)品被稱為SC1,而水、過氧化氫和鹽酸的混合物被稱為SC2。使用兆頻超聲波和SC溶液對CMP工藝進行的研究得出結(jié)論,SC化學(xué)品的濃度越低,[的清洗效率越高至今仍被廣泛用作清潔劑用于去除硅基表面有機和金屬污染物的試劑,因為它們具有揮發(fā)性且與硅化合物的反應(yīng)性低。除了SC溶液之外,通過使用稀釋的氫氧化銨產(chǎn)生電排斥的方法去除顆粒在半導(dǎo)體工業(yè)中普遍采用本文介紹了對非氨基替代解決方案進行的研究。鑒于新的受控參數(shù),本研究將氨態(tài)氮納入符合表1工業(yè)廢水限值的參數(shù)中。對于位于集水區(qū)下游的標(biāo)準(zhǔn)B設(shè)施,工業(yè)廢水的允許限值設(shè)定為百萬分之20(ppm)。 圖 1 圖2 化學(xué)機械拋光氧化物機理CMP氧化物機理如圖2所示。拋光墊擠壓這些磨粒以拋光晶片表面,拋光過程將均勻地發(fā)生在晶片的整個表面上。由于拋光液富含鉀離子和顆粒,拋光后有效去除這些殘留物至關(guān)重要。拋光站和OnTrack清潔器集成在一起,確保從拋光的晶片上有效去除污染物。SFI工具采用了三個步驟的CMP工藝流程,從拋光開始,接著...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 09
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言已經(jīng)研究了從緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)到裸硅、二氧化硅和圖案化硅水的銅沉積。在二氧化硅表面上不會發(fā)生沉積,而在圖案化的二氧化硅區(qū)域1上觀察到的沉積水平介于裸硅和二氧化硅上的沉積水平之間。每次浸入BOE溶液后,晶片清洗的持續(xù)時間、硅材料以及襯底摻雜不會影響沉積量。從BOE溶液中沉積銅的過程均勻地發(fā)生在晶片表面上。 討論在氫氟酸(HF)和BOE溶液中,銅原子與氟原子形成絡(luò)合物。因此,銅可能以Cu”、CuF*或CuF物種的形式存在。這三種物質(zhì)的分布取決于溶液中氟離子的濃度(圖10)。對于在整個實驗中使用的30∶1 BOE溶液,氟離子濃度為11.54M,結(jié)果銅主要以CuFJ形式存在。銅在硅表面上的沉積機理如下 si+2cu F3-r Cu+SiF { fiG,=-624 kJ銅沉積到硅表面上的過程作為電化學(xué)還原發(fā)生,其中銅離子在硅表面的選定位置被陰極還原,而硅在相應(yīng)的陽極位置進行溶解。作為半導(dǎo)體的硅襯底能夠在陽極和陰極反應(yīng)之間傳導(dǎo)電子,并維持電化學(xué)電池?;旧?,電化學(xué)反應(yīng)與控制整個過程的混合電位有關(guān)。人們認識到,在反應(yīng)過程中,混合電位可能會移動。這一現(xiàn)象當(dāng)然得到了實驗結(jié)果的支持。從第三組晶片的結(jié)果來看,銅的沉積隨時間保持線性。與吸附等溫線不同,這種行為持續(xù)到超過6×101 Cu原子·cm-3的沉積水平,接近單層...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 09
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言已經(jīng)研究了RCA清洗順序的幾種變化對薄柵氧化物(200-250A)的氧化物電荷和界面陷阱密度的影響。表面電荷分析(SCA) xvil1用于評估氧化物生長后立即產(chǎn)生的電荷和陷阱。然后制造具有鋁柵極的電容器,以通過在HP4145參數(shù)分析儀上的破壞性電場擊穿測試來確定器件的介電強度,使用同時高頻/低頻系統(tǒng)從C-V測試中獲得總氧化物電荷和界面陷阱密度。 介紹水清洗工藝是去除污染物最常用的技術(shù)。這種去除對半導(dǎo)體工業(yè)至關(guān)重要,因為人們普遍認為集成電路制造中超過50%的產(chǎn)量損失是由微污染造成的。此外,留在表面上的金屬會擴散到硅中,導(dǎo)致產(chǎn)量損失和/或可靠性問題。無論污染物是特定的還是一般的,也無論污染物的來源是已知的還是已知的,成功去除污染物是清潔的本質(zhì)。二氧化硅和氧化物-硅界面的電子性質(zhì)對器件的工作和長期可靠性有深遠的影響。在大多數(shù)情況下,這些效應(yīng)在器件設(shè)計和加工過程中已經(jīng)考慮在內(nèi)。在已經(jīng)使用的許多清潔溶液中。最普遍的是RCA溶液,它是過氧化氫。氧化物的完整性和可靠性對于金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)超大規(guī)模集成(ULS)技術(shù)是非常重要的。MOS電容-電壓(C)測量是監(jiān)測自然生長氧化物中污染的最常用技術(shù)。C-V曲線的特征被用于提取氧化物的幾種性質(zhì),包括總氧化物電荷(Qox)、dlld界面陷阱密度(D,I)。不幸的是,C-V測量技術(shù)需要額外的氧化后處理...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料半導(dǎo)體器件制造中涉及的一個步驟是在進一步的處理步驟,例如,在形成柵極氧化物之前。進行這種清洗是為了去除顆粒污染物、有機物和/或金屬以及任何天然氧化物,這兩者都會干擾后續(xù)處理。特別是清潔不充分是對柵極氧化物的性質(zhì)有害,這反過來影響整個器件的性質(zhì)。種程序用于清潔硅晶片。一個廣泛使用的程序是標(biāo)準(zhǔn)的RCA清潔。RCA清洗包括暴露在三種不同的溶液中——SC1、氫氟酸和SC2。SC1溶液包含氫氧化銨、過氧化氫和水,通常能有效去除顆粒和金屬從硅晶片表面去除。SC2溶液含有鹽酸、過氧化氫和水,通常能有效去除不溶于氨水的堿金屬離子和金屬氫氧化物氫氧化鈾。HF從表面剝離任何自然氧化物。存在多種RCA清潔劑,但有35種由于使用了SC1和/或SC2解決方案,仍被稱為RCA院長。典型的RCA清洗包括連續(xù)的步驟:HF 去離子水沖洗® SC1 ®去離子水沖洗® SC2 去離子水沖洗。也可以執(zhí)行40中的步驟不同的順序,例如顛倒HF和SC 1步驟的順序,或者省略一個步驟,例如省略SC2步驟。然而,RCA清洗的一個問題是,SC1溶液有導(dǎo)致粗糙化的趨勢硅表面,由于OH-在45SC1解決方案。并且這種粗糙化有可能干擾器件性能,特別是50隨著器件尺寸和間距變得更小。因此,不使硅表面變粗糙的柵極前清洗是理想的??赏ㄟ^以下方式獲得有利的平滑度。在進行HF清洗的情...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文介紹了抗蝕劑工藝的基礎(chǔ)知識,包括實用技術(shù),接近模式是一種具有成本效益的過程,具有實現(xiàn)任意2-3微米寬度模式的潛力,在解釋了標(biāo)準(zhǔn)過程和機制之后,描述了MEMS區(qū)域中的一些問題。光刻的基礎(chǔ)是基板面統(tǒng)一的并列處理,與利用工具的機械加工相比,能夠越精細地增加制作裝置數(shù)量等,發(fā)揮包括生產(chǎn)率在內(nèi)的威力,在MEMS領(lǐng)域中,在圖案化中,可能不是利用步進器,而是利用對準(zhǔn)器的近距離曝光,成本效益高,最小穩(wěn)定圖案寬度為2-3微米。圖1圖1是經(jīng)驗少的學(xué)生利用OFPR-800LB光刻膠進行圖案化的例子,圖1(a)乍一看是壞的(1)整個基板上附有細小的垃圾;(2)光刻膠顏色不均勻,有漸變部分;(3)上部提供間距為10微米的線-和-空間(占空比為1:1),但5µm寬的線可能傾斜或丟失。說明原因:(1)中的細小垃圾當(dāng)然應(yīng)該清除,將圓型晶片切割,做成小芯片狀使用,可以認為是此時的垃圾,作為基板清洗,學(xué)習(xí)使用食人魚溶液(硫酸和過氧化氫水)等強化學(xué)藥品進行處理。實際上,在圖1(a)中進行了該清潔處理,但是,劃片中最有可能的垃圾是硅的碎片。食人魚溶液對有機物有效,不能去除硅。建議用有機溶劑和軟纖維,如棉簽,機械擦拭,擦拭的方向不要往復(fù),以一定的方向為好;(2)和(3)是同樣的理由,從細小的模式流動可以推測,模式轉(zhuǎn)錄本身已經(jīng)完成,但濕顯影處理發(fā)生了異常,正抗蝕劑基本上與基板...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 07
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料通過基于DLVO理論計算相互作用力、利用AFM測量漿液顆粒與晶片表面之間的粘附力等基礎(chǔ)研究,可以提高對清洗機理的認識和清洗過程的發(fā)展,本文從基礎(chǔ)原理到當(dāng)前和未來,概述了CMP后的清洗過程,為了控制表面的潤濕性,研究了在不同濃度的氫氧化鉀基添加劑溶液中的接觸角和附著力,接觸角和粘附力隨溶液a濃度的變化而減小,溶液A作為聚硅表面的表面氧化劑,在去離子水中形成更親水的表面。在測量了聚硅CMP過程中的摩擦力和襯墊層溫度與溶液a濃度的關(guān)系,由于溶液A濃度的增加,表面的親水性導(dǎo)致摩擦力和墊溫度低,在疏水聚硅晶片表面觀察到墊片顆粒的污染,晶片上的襯墊顆粒污染量隨著溶液A濃度的增加而減少,說明有機硅表面的疏水性可能是由有機墊顆粒污染和疏水性引起的,眾所周知,在干燥過程中,在疏水表面上比在親水表面上更容易產(chǎn)生水痕,在墊顆粒周圍觀察到水痕跡,結(jié)果表明,對晶片表面潤濕性的控制對有機殘留物在聚硅表面的粘附力和去除力起著重要作用。選擇性對于減少侵蝕非常重要,當(dāng)晶片在染色墊上拋光時,由于漿料分布不佳,銅的去除率降低了約30%左右,由于墊上表面的副產(chǎn)物增強了機械磨損,選擇性降低了40%以上,選擇性越低,對拋光圖案晶片的侵蝕程度就越高,染色墊上較高的摩擦力導(dǎo)致銅的溫度和蝕刻率升高,這可能是銅線凹陷和傾斜的原因,通過調(diào)節(jié)溶液的pH值,可以控制溶液中粒子與表面之間的相互作用力。下圖...
發(fā)布時間: 2022 - 04 - 07
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