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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底;通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層;形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域;并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域,同時以低于第一速率蝕刻掩模層。  介紹      本文涉及半導體處理方法,特別是涉及碳化硅半導體的處理技術。碳化硅)由于其較大的能帶隙和高擊穿場,是高溫度、高功率電子器件的重要材料。碳化硅還具有優(yōu)越的機械性能和化學惰性,適合制造微機電系統(tǒng)(MEMS)和納米機電系統(tǒng)(NEMS)在惡劣環(huán)境中的應用;暴露在高溫、強輻射、強烈振動、腐蝕性和研磨介質(zhì)中的環(huán)境。因此,基于sic的MEMS在高溫傳感器和執(zhí)行器和微機燃氣渦輪機中得到了應用。此外,由于其高聲速(定義為楊氏模量與質(zhì)量密度E/p之比的平方根)和非常穩(wěn)定的表面,碳化硅被認為是一種制造很有前途的超高頻微機械硅的結構材料。 本文實施例是針對使用非金屬掩模層用高選擇性RIE工藝蝕刻碳化硅的方法。在某些實施例中,分別使用氫蝕刻化學和溴蝕刻化學形成。這允許使用非金屬材料在蝕刻過程中掩蓋碳化硅襯底。在一方面,蝕刻是在等離子體室中使用溴化氫(“HBr)蝕刻化學方法進行的。氫溴酸蝕刻化學已被用于蝕刻硅,但不是二氧化硅、氮化硅或碳化硅。那些精通該藝術的人的傳統(tǒng)智慧將教導遠離使用氫溴...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要制造具有弓形、翹曲形、總厚度變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)和現(xiàn)場前最小二乘焦平面范圍(SFQR)等優(yōu)越規(guī)格的碳化硅晶片的方法。所得到的碳化硅晶圓具有一個鏡面的表面,適合于碳化硅的外延沉積。在加入外延層后,保留了晶片的弓形、彎曲、翹曲、總厚度變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)和現(xiàn)場前端最小二乘焦平面范圍(SFQR)的規(guī)范。 介紹本文公開涉及半導體晶片的制造,更具體地說,涉及由碳化硅制成的半導體晶片。半導體芯片行業(yè)的成功在很大程度上要歸功于硅的自然特性。這些特性包括易于生長的天然氧化物(SiO),其天然氧化物的優(yōu)良的整體發(fā)光特性,以及硅晶片和硅晶片內(nèi)的器件的相對容易制造。另一方面,高溫高壓半導體電子學可以受益于碳化硅的自然特性。例如,碳化硅用于超快、高壓肖特基二極管、MOSFETs和用于高功率開關的高溫胸腺管和高功率led。因此,增加碳化硅的可用性有助于這種半導體器件的設計選擇。例如,目前100mm碳化硅晶片的生產(chǎn)遠遠落后于標準的300mm硅晶片。此外,在單晶碳化硅中,晶體管和二極管不能可靠地形成復雜的摻雜譜。復雜的幾何摻雜配置口糧必須通過使用基于步進的光刻方法形成的微米亞微米幾何掩模來實現(xiàn)。 舉例用于制造75mm和100mm直徑的4H碳化硅晶片。晶片的電阻率范圍為0.015–0.028歐姆厘米。對于步驟100-1...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      公開了一種用于從氧化物基器件中獲得改進的氧化物層并由此提高的性能的方法。該方法包括將碳化硅層以低于碳化硅開始顯著氧化速率的溫度的氧化層暴露在氧化源氣體中,同時高到足以使氧化源氣體擴散到氧化層中,同時避免碳化硅的任何大量額外氧化,并且足夠使氧化層敏感并改善氧化層和碳化硅層之間的界面。介紹      碳化硅(SIC)具有電氣和物理特性的結合,使其對高溫、高壓、高頻率和高功率電子器件的半導體材料具有吸引力。這些特性包括3.0電子伏(eV)帶隙、4毫米伏每厘米(MV/cm)電場擊穿、4.9W/cm-K的熱導熱率和每秒2.0x10厘米(cm/s)電子漂移速度。此外,由于碳化硅將生長熱氧化物,它比其他化合物半導體具有顯著的優(yōu)勢。特別是,形成熱氧化物的能力提高了形成金屬氧化物半導體(MOS)器件的相應能力,包括MOS場效應晶體管(鎂)絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)、MOS可控晶閘晶體管(MCT)和其他相關器件。反過來,mosfet是大規(guī)模集成電路中極其重要的器件。因此,充分利用硅化硅在MOS器件中的電子支柱和由此產(chǎn)生的集成電路需要適當?shù)奶蓟柩趸夹g。 結果和討論      本文的目的是進一步提高碳化硅氧化物的質(zhì)量。本文以一種獲得改進的...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        本文提供一種保護涂層,描述了半導體沉積室中使用的保護涂層的方法。在優(yōu)選實施例中,CVD室設備免受等離子體蝕刻清洗。在氮化硅的CVD之前,腔室設備首先涂上發(fā)射率穩(wěn)定層,如氮化硅。然后這一層被表面氧化。在序列中的不同底物上重復沉積氮化硅后,將腔室清空晶圓,并進行等離子體清洗過程。等離子清洗優(yōu)選選擇氧氮化硅保護涂層。在等離子體清洗過程之后,再應用發(fā)射率穩(wěn)定層氧化,并且可以重新開始多個沉積循環(huán)。 介紹       根據(jù)本文的一個方面,用于等離子體蝕刻處理的含氧氮硅涂層的半導體反應器。根據(jù)本文的另一方面,提供了一種制備晶片支架的方法。該方法包括將晶片支架導入腔室,在晶片室中為晶片支架的氮化硅涂層,并在處理晶片之前氧化晶片支架上的初級氮化硅涂層。在所示的實施例中,基座是碳化硅涂覆石墨緩沖器,反應器配置用于氮化硅沉積。氮化硅的初級涂層由熱CVD形成,并且優(yōu)選地具有a。初級氮化硅涂層包括流動的從由氧、一氧化氮和一氧化二氮組成的組中選擇的氧源。氧化優(yōu)選形成氧化硅約5A和200A之間的氧化硅。 實驗 優(yōu)選實施例的方法雖然優(yōu)選實施例是在單襯底、水平流動冷鏈的背景下提出的反應器,應當理解為的某些方面將應用于其他類型的反應器。所示的單通水平流設...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行,例如在大約23丁和 大約200V之間或者在大約100°CTo然后可以致密該碳化硅層以去除氫含量。此外,碳化硅層可以暴露于氮源以提供活性氮-氫基團,然后可以使用其它方法堡續(xù)沉積薄膜。等離子體處理條件可用于調(diào)節(jié)薄膜的碳、氫或氮含量。 技術領域      本文的第一方面通常涉及在襯底表面上沉積碳化硅層或薄膜的方法。在第一方面的特定實施例中,本文涉及利用有機硅烷前體化合物的原子層沉積工藝。本文的第二方面涉及用于等離子體增強原子層沉積的設備和方法。在第二方面的特定實施例中,該設備利用具有雙通道的噴頭或面板通過第一組通道輸送遠程產(chǎn)生的等離子體,并通過第二組通道輸送前體和其 他氣體。在第三方面,形成碳化硅層的方法可以在根據(jù)第二方面描述的設備中執(zhí)行。  實驗        一般來說,將含有Si、C、H的種子膜暴露于含N的等離子體中對生成膜是有效的。如果被處理的薄膜中含有很少的H,也可以在等離子體混合物中添加少量的氫,以促進產(chǎn)生更多的N-H鍵合??梢愿鶕?jù)等離...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要       柵極氧化物的特性很大程度上取決于清洗過程中使用的最后一種化學溶液。標準 RCA、HF-last、SCl-last和僅HF工藝是本實驗中使用的柵極氧化物預清洗工藝。清洗后在900°C的氧化爐中進行熱氧化,生長岀一種100埃的柵氧化層,并用壽命檢測器、VPD原子吸收光譜儀、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡和原子力顯微鏡對其進行了表征。HF-last和HF-only的結果顯示對去除金屬雜質(zhì)非常有效。這兩個分裂也顯示了長的少數(shù)載流子壽命。用原子力顯微鏡和透射電鏡觀察了氧化物的表面和界面形貌。用含有SCI溶液的清潔裂口觀察粗糙的表面形態(tài)。用純HF清洗工藝觀察到光渭的表面和界面。 介紹       隨著半導體加工技術向深亞微米器件結構發(fā)展,薄柵氧化層生長前的硅表面清洗變得更加關鍵。當柵極氧化物厚度減小到小于100A3-6時,柵極氧化之前的清潔工藝的重要性更加突出。影響氧化物質(zhì)量的主要因素是顆粒和金屬雜質(zhì)。 實驗  略  結果和討論elementssB1B2B3B4AI145.914.71313.812.3鐵153.7221.4235.3122.3銅3.81.44.11.4表1顯示了 HF-last(B2)...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      打開你的智能手機機身,你是否看到小的黑色矩形卡在電路板上?那些黑色的矩形是封裝好的芯片。外部芯片結構保護內(nèi)部脆弱的集成電路,并散熱,保持芯片彼此隔離,重要的是,提供與電路板和其他元件的連接。制造這些保護結構和連接的制造步驟統(tǒng)稱為“封裝”。晶圓級封裝      在傳統(tǒng)的封裝中,完成的晶片被切割成單個的芯片,然后這些芯片被結合和封裝。晶片級封裝(WLP),顧名思義,包括在管芯還在晶片上時封裝管芯:保護層可以結合到晶片的頂部和/或底部,然后準備電連接,并將晶片切割成單個芯片。舉個烘焙的例子,傳統(tǒng)的包裝類似于給單個紙杯蛋糕蒙上糖霜,而WLP就像給整個蛋糕蒙上糖霜,然后把它切成小塊。因為側(cè)面沒有WLP涂層,所以最終封裝的芯片尺寸很小(與芯片本身的尺寸大致相同),這是我們的智能手機等足跡敏感型設備的一個重要考慮因素。其他優(yōu)勢包括簡化的制造和在切割前測試芯片功能的能力。凸點和倒裝芯片      芯片和電路板之間最簡單的電連接之一可以用導電材料的小球制成,稱為凸點。然后,可以將凸起的芯片上下翻轉(zhuǎn)并對齊,使凸起與電路板上的匹配焊盤相連。與傳統(tǒng)的引線鍵合相比,倒裝芯片鍵合有幾個優(yōu)點,包括封裝尺寸小和器件速度更快。凸塊可以通過擴展傳統(tǒng)的晶片制造方法來實現(xiàn)。芯片制造完成...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      硅光子學最有吸引力的一個方面是它能夠提供極小的光學元件,其典型尺寸比光纖器件的尺寸小一個數(shù)量級。這種尺寸差異使得光纖到芯片接口的設計具有挑戰(zhàn)性,多年來,在該領域激發(fā)了大量的技術和研究工作。光纖到硅光子芯片接口可以大致分為兩大類:面內(nèi)和面外耦合器。屬于第一類的器件通常提供相對較高的耦合效率、較寬的耦合帶寬(波長)和較低的偏振依賴性,但是需要相對復雜的制造和組裝過程,這與晶片級測試不直接兼容。相反,面外耦合器件效率更低,帶寬更窄,并且通常與偏振相關。然而,它們通常與大批量制造和封裝工藝更兼容,并且允許在晶片上接近光學電路的任何部分。在這篇文章中,我們回顧了光子集成電路的光耦合器的當前技術水平,旨在給讀者一個全面和廣闊的視野,確定每種解決方案的優(yōu)缺點。由于光纖到芯片耦合器與封裝技術有著內(nèi)在的聯(lián)系,光學封裝的共同設計變得至關重要,我們還回顧了目前用于封裝和組裝具有硅光子集成電路的光纖的主要解決方案。 介紹      光學技術已經(jīng)徹底改變了通信領域,允許通過光纖進行現(xiàn)代高帶寬跨洋傳輸。在過去的十年中,硅光子學已經(jīng)成為實現(xiàn)光收發(fā)器和光處理器的平臺,旨在為電信和數(shù)據(jù)通信應用提供低成本和高性能的組件。使用硅(Si)波導作為基本元件,可以實現(xiàn)多種光學組件。 光耦合的不同...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      經(jīng)過多年的努力,極紫外(EUV)光刻技術在2018年達到了一個重要的里程碑:為先進半導體器件的大規(guī)模生產(chǎn)做好了準備。已經(jīng)實現(xiàn)了250瓦的EUV源功率,提供了在20 mJ/cm2的劑量下每小時超過140個晶片的工具生產(chǎn)能力.對于多個系統(tǒng),全晶圓臨界尺寸(CD)均勻性現(xiàn)在小于0.5納米,而匹配機器覆蓋為1.1納米。這些成像和覆蓋性能滿足5納米節(jié)點邏輯和16納米動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)器件的生產(chǎn)要求。與此同時,ASML繼續(xù)提高EUV曝光工具的性能,以獲得更高的吞吐量、更好的圖像質(zhì)量和更嚴格的覆蓋規(guī)格,從而進一步提高生產(chǎn)率和能力。需要進一步改進抗蝕劑和掩模材料,以將EUV單一圖案化擴展到低k1狀態(tài)。最后,ASML已經(jīng)開始開發(fā)一種數(shù)值孔徑為0.55的EUV曝光系統(tǒng),以便在未來十年后繼續(xù)擴大半導體制造的規(guī)模。 介紹      EUV光刻技術的發(fā)展加速,并展示了一種基于EUV的測試器件結構。2011年,R&D曝光系統(tǒng),NXE:3100,包含新開發(fā)的光學系統(tǒng),其數(shù)值孔徑為0.25,被開發(fā)并交付給半導體公司[5]。NXE:3300系統(tǒng)于2013年交付,其較高的NA為0.33[6]。這些掃描系統(tǒng)的發(fā)展促進了掩模和抗蝕劑材料的發(fā)展。最新的系統(tǒng)(NXE:3400)于201...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      近十年來,顯示工藝采用了RCA清洗,應用于大面積,解決了環(huán)境問題。然而,接近臭氧化的概念,氫化或電解水清潔技術屬于RCA清潔范例。在這項工作中,基于Pourbaix概念,僅將電解陽極水用于清潔顆粒和有機物以及金屬,并引入MgO顆粒作為測試載體來證明這一新概念。電解后的陽極水具有很強的氧化性,氧 化還原電位高,pH值低,分別超過900毫伏和3.1。將氧化鎂顆粒浸入陽極水中,并隨時 間測量其由于溶解引起的重量損失。在250毫升陽極水中,重量損失在100至500微克的范圍內(nèi),這取決于它們的氧化還原電 位和酸堿度。因此,得出的結論是,陽極水中的清潔自由基至少在1至5埃20埃/250毫升 陽極水中,相當于1E18埃/立方厘米。      因此,可以假設陽極水用于顯示器清潔,因為正在處理1EL0至lE15ej/cm3范圍的污染 物。此外,觀察到陽極水在疏水表面上不形成微粗糙,而在天然氧化硅上形成微粗糙。 介紹      清洗工藝覆蓋了半導體工藝總數(shù)的三分之一和生產(chǎn)成本的很大一部分,因此在技術上、經(jīng)濟上,環(huán)境和生態(tài)。還必須實現(xiàn)超潔凈的晶片表面,無顆- 粒、無金屬雜質(zhì)、無有機物、無濕氣、無天然氧化 物、無表面微粗糙度、無電荷,諸如顆粒、金屬雜質(zhì)和有...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 10
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