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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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產(chǎn)品名稱:

甩干機(jī)—華林科納CSE

上市日期: 2017-04-06

甩干機(jī)—華林科納CSE

Spin-dry machine

?

圖1.png

設(shè)備名稱

CSE-甩干機(jī)

主要功能

晶圓或器件的清洗甩干

腔體數(shù)量

單腔/雙腔/四腔

尺寸(參考)

L×D×H=面寬480mm×縱深820mm×高度1750mm

清洗件規(guī)格

4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圓或器件

操作流程

人工上貨→DI噴洗加轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)→HOTN2吹干加轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)→加速旋干含艙體加熱保溫→完成設(shè)備預(yù)設(shè)之制程結(jié)束。

工作轉(zhuǎn)速

300—2400r/min

主體構(gòu)造特點(diǎn)

外觀材質(zhì)本體以W-PP10t板材質(zhì)組焊組合。

設(shè)備骨架SUS25*25*1.2T骨架組合,結(jié)構(gòu)強(qiáng)固。

作業(yè)視窗視窗采透明壓克力材質(zhì),有效掌握作業(yè)情況。

管路系統(tǒng):OneChamber模塊化。

排風(fēng)系統(tǒng)間接式抽風(fēng)設(shè)計(jì),有效穩(wěn)定空氣擾流,并同時(shí)減低異味。

機(jī)臺(tái)支腳具高低調(diào)整及鎖定功能。

機(jī)臺(tái)正壓保護(hù)N2正壓保護(hù)。

機(jī)臺(tái)微塵控制量:<80AddedAt0.2MicronorBetter

無(wú)刷伺服電機(jī)

去靜電

?

?

氮?dú)饪刂茊卧?/span>

1)管件閥門:SMC電磁閥、PFA高純管件、PTFE氣動(dòng)閥門。

2)氮?dú)饧訜峁δ埽翰讳P鋼加熱器在線加熱

3)低壓氮?dú)夤δ埽捍龣C(jī)時(shí),保持腔內(nèi)正壓,防止污染。

DIW控制單元

1)采用旋流式?jīng)_洗噴嘴。

2)排水口安裝電阻率探頭,對(duì)腔體排水水質(zhì)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

3)沖洗工藝完成后,氮?dú)鈱埩粼跊_洗管路內(nèi)的去離子水吹凈。

4)待機(jī)時(shí),保持回水盒內(nèi)有水流入且流量可調(diào)。

電控單元及軟件系統(tǒng)

1)控制器操作界面:5.7記憶人機(jī)+PLC可程序自動(dòng)化控制器(人機(jī)TouchScreen)

2)軟件功能編輯/儲(chǔ)存制程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作熒幕上修改。

3)儲(chǔ)存能力記憶模塊參數(shù)記憶配方設(shè)定。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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