久久国产亚洲精品超热碰_日本福利在线观看_亚洲AV永久无码5G_女生私密在线一区二区_国产精品视频大全_三级国产亚洲_无码人妻中文二区_岳装睡到我房间和我做_影音先锋精品网址_黄色污污视频网站

歡迎訪問(wèn)華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
手機(jī)網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國(guó)服務(wù)熱線 --- 0513-87733829
產(chǎn)品中心 Products
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱(chēng):

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

上市日期: 2017-12-06

?旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)

結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。

傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:

圖片4.png圖片5.png

從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。


傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)

斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)

本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。

圖片6.png

?

華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。

實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最大晶圓直徑6寸(可實(shí)現(xiàn)2″~4″ (50~100mm)方片鍍制);凸點(diǎn)高度一致性可達(dá)到3.4%以下(以6寸圓片為準(zhǔn))。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

設(shè)備名稱(chēng)

華林科納(江蘇)CSE-旋轉(zhuǎn)噴鍍臺(tái)

工藝類(lèi)型:

電鍍:AU、CU、SN

應(yīng)用:

半導(dǎo)體/MEMS/LED等微電子領(lǐng)域設(shè)計(jì)

和制造的

基本描述:

根據(jù)客戶要求,在設(shè)備中設(shè)置相應(yīng)電鍍工位及清洗活化工位。其設(shè)備特點(diǎn)如下:

適應(yīng)多尺寸樣片的電鍍。

適合研發(fā)和批量生產(chǎn)。

單元化和人性化設(shè)計(jì),提供設(shè)備使用的靈活性。

從設(shè)計(jì)到材料和加工來(lái)保證設(shè)備的質(zhì)量和可靠性。

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096 ;18915583058

更多晶圓電鍍臺(tái)可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8798-096,18915583058可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍?cè)O(shè)備的相關(guān)方案

Hot Products / 熱賣(mài)產(chǎn)品 More
2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
Copyright ©2005 - 2013 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務(wù)
華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址:中國(guó)江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號(hào)
電話:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
regal-bio.cn

傳真:0513-87733829
郵編:226500


X
1

QQ設(shè)置

3

SKYPE 設(shè)置

4

阿里旺旺設(shè)置

2

MSN設(shè)置

5

電話號(hào)碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開(kāi)