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雙腔甩干機(jī)

上市日期: 2016-06-22

?甩干機(jī) (1).png

雙腔甩干機(jī)

1. 應(yīng)用范圍:

l?本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.

l?設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.

l?可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).

l?具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.

l?高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.

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2. 操作流程

操作流程.png

3. 圖示

圖示.png

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4. 規(guī)格

l?機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件

l?直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750W

l?真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染

l?不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μm

l?氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)

l?壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))

l?槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)

l??Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣

l?不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨

l?單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做

l?轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正

l?可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂

故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告

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5. 電控系統(tǒng)

l??控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。

l?軟體功能

??編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?/strong>

??儲(chǔ)存能力

記憶模組:參數(shù)記憶,配方設(shè)定。

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6. 廠務(wù)需求

l?電力需求: AC220V單向?40A (2組電源)

l??DI:3/8” PFA Tube, 30~40 psi.

l??N2:1/2” PFA Tube, 30~40 psi.

l??CDA :1/4” Tube, 30~50psi.

l?Drain : 1-1/2” PVC Tube.

l?尺寸:480mm(W)x800mm(L)x1800mm(H)


更多的立式腔甩干機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢18021679515可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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雙腔甩干機(jī)

1. 應(yīng)用范圍:

l?本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.

l?設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50~100片.

l?可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).

l?具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.

l?高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.

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2. 操作流程

操作流程.png

3. 圖示

圖示.png

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4. 規(guī)格

l?機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件

l?直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750W

l?真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染

l?不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μm

l?氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)

l?壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))

l?槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)

l??Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣

l?不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨

l?單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做

l?轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正

l?可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂

故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告

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5. 電控系統(tǒng)

l??控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。

l?軟體功能

??編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?/strong>

??儲(chǔ)存能力

記憶模組:參數(shù)記憶,配方設(shè)定。

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6. 廠務(wù)需求

l?電力需求: AC220V單向?40A (2組電源)

l??DI:3/8” PFA Tube, 30~40 psi.

l??N2:1/2” PFA Tube, 30~40 psi.

l??CDA :1/4” Tube, 30~50psi.

l?Drain : 1-1/2” PVC Tube.

l?尺寸:480mm(W)x800mm(L)x1800mm(H)

?重量:205Kgs

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Hot Products / 熱賣產(chǎn)品 More
2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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