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產(chǎn)品名稱:

自動供酸系統(tǒng)(CDS)-CSE

上市日期: 2016-03-07

自動供系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSE

Chemical Dispense System System?

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等

主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。
控制模式:手動控制模式、自動控制模式

自動供酸系統(tǒng)(CDS)-CSE01.jpg

設(shè)備名稱

華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)

設(shè)備型號

CSE-CDS-N1507

設(shè)計基準(zhǔn)

1.供液系統(tǒng)Chemical Dispense System System簡稱:CDS

2. CDS?將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)酸堿溶液CDS?系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房

3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)

4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液?雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;

5. 過濾器:配有10”?PFA材質(zhì)過濾器外殼

6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺?PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;

7. Empty Sensor & Level Sensor:

酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)

8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。

CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格

?

1. 系統(tǒng)主要功能概述

設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;

系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);

2. 操作模式:

?CDS?系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,

兼具自動化與親和力。

在自動模式情形下可自行達成供酸之功能。

在手動模式及維修模式底下可針對單一自動元件操作。

3. 設(shè)備結(jié)構(gòu):

(1)機架(Frame):盤底SUS 方管50x50x1.5T 與機體以SUS 方管38x38x1.5T方管,全周焊架構(gòu)而成,具有調(diào)整腳座。

(2)外觀:酸堿類系統(tǒng)的外觀以WPP 被覆。

(3)?箱體

(一)?箱體材質(zhì)型式

供腐蝕性化學(xué)品用之材質(zhì)為WPP/ 透明PVC。

(二)?閥體材質(zhì)型式

.供腐蝕性化學(xué)品用之材質(zhì)為PFA或PTFE。

(三)?泄漏偵測型式

采靜電容式或光電式,須能耐酸鹼之浸泡。

(四)?分流箱(VMB)必要設(shè)施說明

箱體外部須清楚標(biāo)示其所輸送化學(xué)品之名稱與化學(xué)式。

?4. 設(shè)備內(nèi)部空間規(guī)劃:

(1)配管區(qū):管路流程整齊清楚,操作方便,具有防止噴濺及承接并排放泄漏功能。

(2)電控區(qū):完全密封,可防止酸氣侵蝕電控元件。

(3)取樣區(qū):取樣方便具有防止酸液噴濺及排放泄漏功能。

(4)桶槽區(qū):方便更換桶槽,并有鏈條防止桶槽滑動,有正壓及排氣功能,保持區(qū)域內(nèi)之潔凈度,下方有排放泄漏功能。

5. 電控系統(tǒng)︰

(1)空間規(guī)劃︰完全與酸氣隔離的獨立空間并有N2 Purge 功能,從后方有寬大維修空間。

(2)重要元件︰

PLC: OMRON

GP: 10” OMRON Touch

Empty Sensor & Level Sensor:采用靜電容近接開關(guān)

6. 附屬裝置:

(1)排氣裝置︰每一個Unit 皆配備排氣裝置

(2)每一個Unit 皆配備一組DIW GUN.

7. 安全保護裝置:

(1)漏電斷電斷路保護裝置

(2)機臺底部漏液檢知裝置

(3)電控箱正壓裝置

(4)E.M.O.裝置

8. 適用條件:

所有設(shè)備均應(yīng)滿足以下條件;

裝置場所: 室內(nèi)。

標(biāo)高: 海平面1000 公尺以下。

環(huán)境溫度: 最高30℃,最低0℃,平均30℃。

相對濕度: 最大90 ﹪。

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096;18913575037

更多CDS自動供酸系統(tǒng)可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供自動供液系統(tǒng)的相關(guān)方案

自動供酸系統(tǒng)(CDS)


設(shè)備用途:本系統(tǒng)主要用于濕法腐蝕清洗等工序需要使用的腐蝕液集中進行配送,經(jīng)營道配送至使用端;具有自動化程度高、配比精準(zhǔn)、操作簡便等特點,具有耐腐蝕性。
適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等
控制模式:手動控制模式、自動控制模式

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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