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Marangoni 馬蘭戈尼干燥

上市日期: 2020-04-20


Marangoni 干燥

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Marangoni 馬蘭戈尼干燥是基于?Marangoni?效應(yīng)發(fā)展起來的干燥技術(shù)。典型的?Marangoni?干燥過程如圖?4?所示。晶片進入干燥系統(tǒng)后,在水槽內(nèi)溢流。由氮氣攜帶?IPA?氣體充滿系統(tǒng),在水面上形成?IPA?氣體環(huán)境。隨后晶片與水面緩慢脫離(可通過晶片提拉上升或緩慢排水兩種方式實現(xiàn)) 由于?IPA?的表面張力比水小得多(25 ℃下,IPA?表面張力為?20.9×10-3 ?N/m;水的表面張力為?72.8×10-3 ?N/m),所以會在坡狀水流表層形成表面張力梯度,產(chǎn)生?Marangoni?對流,水被吸回水面,如下圖所示

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 Marangoni 馬蘭戈尼干燥

 Marangoni 馬蘭戈尼干燥

雖然同樣是?IPA 干燥,但是 Marangoni 干燥與 IPA Vapor 干燥有本質(zhì)的不同,前者是通過表面張力梯度將水拉回水面,后者則是靠水的蒸發(fā)。 相比于IPA Vapor 干燥 ,Marangoni 干燥IPA 用量很少,且能夠克服深窄溝渠的脫水困難,比較適合直徑 150 mm ( 6 英寸) 以上晶片的干燥。Marangoni 干燥存在的問題是晶片易出現(xiàn)水痕缺陷,晶片與晶舟接觸處、晶片下方是常見的水痕區(qū)域 。為消除水痕缺陷,這類設(shè)備中一般配備簡易晶舟,以減少晶片與晶舟的接觸面積,另外,采用溫水浴、超聲波震蕩?IPA Bub- bler 和變速提拉等也是常用的消除水痕缺陷的手段。

Marangoni 干燥(馬蘭戈尼干燥)受多種因素影響,如晶片的提拉速度,IPA/N2 ?流量和排風的設(shè)置等,因此此種方法技術(shù)難度較高。

作為濕制程設(shè)備制造商,華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司CSE對干燥系統(tǒng)有豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和產(chǎn)線使用驗證,為硅片的清洗干燥提供有效的保障。

更多化學品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔甩干機、雙腔甩干機)可以關(guān)注華林科納網(wǎng)站regal-bio.cn,熱線電話0513-87733829.

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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