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雙腔甩干機

上市日期: 2016-06-22

?甩干機 (1).png

雙腔甩干機

1. 應(yīng)用范圍:

l?本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.

l?設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.

l?可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).

l?具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.

l?高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.

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2. 操作流程

操作流程.png

3. 圖示

圖示.png

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4. 規(guī)格

l?機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件

l?直流式馬達: DC無刷馬達750W

l?真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染

l?不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μm

l?氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)

l?壓力感測保護(加熱器空燒保護)

l?槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)

l??Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣

l?不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨

l?單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做

l?轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正

l?可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂

故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告

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5. 電控系統(tǒng)

l??控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。

l?軟體功能

??編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?/strong>

??儲存能力

記憶模組:參數(shù)記憶,配方設(shè)定。

?

6. 廠務(wù)需求

l?電力需求: AC220V單向?40A (2組電源)

l??DI:3/8” PFA Tube, 30~40 psi.

l??N2:1/2” PFA Tube, 30~40 psi.

l??CDA :1/4” Tube, 30~50psi.

l?Drain : 1-1/2” PVC Tube.

l?尺寸:480mm(W)x800mm(L)x1800mm(H)


更多的立式腔甩干機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢18021679515可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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雙腔甩干機

1. 應(yīng)用范圍:

l?本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.

l?設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.

l?可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).

l?具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.

l?高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.

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2. 操作流程

操作流程.png

3. 圖示

圖示.png

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4. 規(guī)格

l?機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件

l?直流式馬達: DC無刷馬達750W

l?真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染

l?不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μm

l?氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)

l?壓力感測保護(加熱器空燒保護)

l?槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)

l??Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣

l?不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨

l?單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做

l?轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正

l?可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂

故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告

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5. 電控系統(tǒng)

l??控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。

l?軟體功能

??編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?/strong>

??儲存能力

記憶模組:參數(shù)記憶,配方設(shè)定。

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6. 廠務(wù)需求

l?電力需求: AC220V單向?40A (2組電源)

l??DI:3/8” PFA Tube, 30~40 psi.

l??N2:1/2” PFA Tube, 30~40 psi.

l??CDA :1/4” Tube, 30~50psi.

l?Drain : 1-1/2” PVC Tube.

l?尺寸:480mm(W)x800mm(L)x1800mm(H)

?重量:205Kgs

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Hot Products / 熱賣產(chǎn)品 More
2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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