久久国产亚洲精品超热碰_日本福利在线观看_亚洲AV永久无码5G_女生私密在线一区二区_国产精品视频大全_三级国产亚洲_无码人妻中文二区_岳装睡到我房间和我做_影音先锋精品网址_黄色污污视频网站

歡迎訪問華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
手機(jī)網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國服務(wù)熱線 --- 0513-87733829
產(chǎn)品中心 Products
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

金屬剝離清洗機(jī)-CSE

上市日期: 2017-12-07

?金屬剝離清洗機(jī)-華林科納(江蘇)CSE

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。

其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)

32.png

設(shè)備名稱

華林科納(江蘇)CSE-金屬剝離清洗機(jī)

設(shè)備系列

CSE-CX13系列

設(shè)備概況

尺寸(參考):機(jī)臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)

清洗量:6寸25裝花籃2籃;

重量:500Kg( 大約);

工作環(huán)境:室內(nèi)放置;

主體構(gòu)造特點(diǎn)

外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。

安全門:無安全門,采用敞開式設(shè)計(jì);

管路系統(tǒng):藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;

閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;

排 風(fēng):后下抽風(fēng),動力抽風(fēng)法蘭位于機(jī)臺上部;

水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側(cè);

隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;

照明:機(jī)臺上方配照明(與工作區(qū)隔離);

機(jī)臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。

三色警示燈置于機(jī)臺上方明顯處。

工作槽參數(shù)

剝離洗槽

槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;

化學(xué)藥品:剝離洗液;

藥液供液:人工手動加入;

工作溫度:60℃并可調(diào);溫度可調(diào);

加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;

液位控制:采用N2背壓數(shù)位檢測;

計(jì)時功能:工藝時間可設(shè)定,并可調(diào),到設(shè)定時間后聲鳴提示,點(diǎn)擊按鈕后開始倒序計(jì)時;

批次記憶:藥液使用次數(shù)可記憶,藥液供入時間可記憶,設(shè)定次數(shù)和設(shè)定時間到后更換藥液;

排液:排液管道材質(zhì)為不銹鋼管,按鈕控制;

槽蓋:配有手動槽蓋;

IPA槽

槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;

化學(xué)藥品:IPA;

供液:手動供液

工作時間:約5min并可調(diào);

工作溫度:常溫;

排放: 槽體底部單獨(dú)直排;

QDR槽

槽體:長×寬×高= 405×220×260mm,NPP板焊接而成;

供水:雙管路自動供水,3/4供水管徑,1/2溢流給水管,氣動閥控制;

工作溫度:RT;

溢流方式:四面溢流,溢流口為波紋狀;

噴淋: 由槽體頂部兩側(cè)的DIW噴淋管和噴嘴實(shí)現(xiàn);

鼓泡:槽底部安裝N2鼓泡系統(tǒng),均勻鼓泡,也可根據(jù)需要關(guān)閉;

排放:氣動閥控制快速排放,N P P排放管路,快速排放時間≤7秒;

工藝流程:水滿→放入花籃→氮?dú)夤呐荽蜷_→溢流漂洗+氮?dú)夤呐荨炫砰y打開,快速排放,→噴淋→快排閥關(guān)閉,同時底部注水,一次沖洗快排工藝結(jié)束;

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096 ;18913575037

?

更多金屬剝離清洗機(jī)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;

現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的金屬剝離清洗機(jī)設(shè)備的相關(guān)方案

?

?

?金屬剝離清洗機(jī)-華林科納(江蘇)CSE

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。

其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)

?

Hot Products / 熱賣產(chǎn)品 More
2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
Copyright ©2005 - 2013 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務(wù)
華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址:中國江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號
電話:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
regal-bio.cn

傳真:0513-87733829
郵編:226500


X
1

QQ設(shè)置

3

SKYPE 設(shè)置

4

阿里旺旺設(shè)置

2

MSN設(shè)置

5

電話號碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開