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產品名稱:

零部件清洗機CSE

上市日期: 2016-12-05

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零部件清洗機_華林科納CSE

CleanStep的零部件被設計用于PECVD刻蝕清洗設備,以及石墨舟、石 英舟、碳化硅舟等擴散舟的刻蝕和清洗設備。


優(yōu)點

> 通過關閉的工藝腔室的安全操作,加載和僅一次工藝腔室 沖洗之后卸載,完成整個工藝過程。

> 安全門自鎖裝置

> 工藝腔室保護防止水溢流

> 排風監(jiān)控部件

> 用于門自鎖的電導傳感器(僅適用于石英舟清洗設備)

> 簡便、安全操作的高品質觸摸屏

> 很少的化學品消耗產生最小的生產費用,與浸泡式工藝相 比至少節(jié)約2-3倍

> 減少了操作次數(shù)

> 化學品的消耗,與浸泡式工藝相比要少于大約10倍

> 穩(wěn)定的清洗工藝,水的消耗,與浸泡式工藝相比少于2倍

> 設備高利用率和低維修率,得益于它獨特的模塊化設計和 長壽命零部件的應用

> 最佳的占地


應用

CleanStep的零部件被設計用于PECVD刻蝕清洗設備,以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴散舟的 刻蝕和清洗設備。標準化設計的設備是用于2個石墨舟或4個石英舟的清洗。同時也強有力的證明 了用噴淋工藝代替浸泡工藝不僅節(jié)約了工藝時間,同時也節(jié)約了化學品的消耗量。

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選項

> 廢液槽起重裝置

> 系統(tǒng)外殼結構[FM認可材質]

> HF有毒氣體檢測裝置

> Centrotherm 一套石墨舟花籃可裝載19片到21片晶圓?可拆卸石墨舟?

> Centrotherm 一套石墨舟可裝載23片?可拆卸石墨舟?

> 石英部件清洗的石英舟夾具

> 漏液盤連接閥

> 電阻率監(jiān)測裝置

> 手動加載花籃干燥的烘干箱

> 30升的HNO3 / HF/ DI-H2O的預備槽

> 獨立的設備化學品供應用于回收用過的HF

> 氮氧化物有毒氣體檢測裝置

> 晶圓背面腐蝕的ACL片盒夾

> N2 凈化


更多的半導體零部件清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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