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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

半自動石英管清洗機

上市日期: 2016-03-14

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1、設備概況:

主要功能:本設備主要采用手動搬運方式,通過對擴散、外延等設備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;

設備名稱:半自動石英管清洗機

設備型號:CSE-SC-N401

整機尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;

被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物

設備形式:室內(nèi)放置型;

節(jié)拍:約1--12小時(節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實際工藝時間而定)??????

操作形式:半自動

2、設備描述:

此裝置是一個半自動的處理設備。

PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作

清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。

3、設備特點:

腐蝕漂洗能力強,穩(wěn)定,安全;

設備成合理,自動程度高,使成本低;

技術先進,結構合理,宜生產(chǎn)線上大批次操作;

結合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各分遠遠領先同類產(chǎn)品;

設備上層電器控制系統(tǒng)及抽風系統(tǒng),中層工作區(qū),下層為管道安裝維修區(qū),主體結構由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風系統(tǒng)、工件滾動系統(tǒng)、氮氣鼓泡系統(tǒng)、支撐及旋轉驅動機構、管路部分、電控部分。

本設備裝有雙防漏盤結構,并有防漏檢測報警系統(tǒng),在整臺設備的底部裝有接液盤。

設備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。

4、工藝流程:

檢查水、電、氣正?!鷨与娫础斯ど狭稀⑺帷垠w底部氮氣鼓泡→石英管轉動(7/min)→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關閉)→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質(zhì)排出)→初級潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復循環(huán)(人工控制)→下料。?

酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成

1#2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用

?5、臺面布局如下:

101.png

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6、各槽工藝參數(shù):

102.png

?

7、設備可靠性保障措施:

系統(tǒng)結構采用國外典型處理方法,保證系統(tǒng)結構的合理性和適應性;

結構采用潔凈化處理技術,可達到國外同類產(chǎn)品水平;

采用國外引進元器件及專業(yè)廠家產(chǎn)品;

國產(chǎn)元器件采用國內(nèi)專業(yè)廠家生產(chǎn)和經(jīng)證實質(zhì)量優(yōu)質(zhì)的高性能元件;

設計、生產(chǎn)、制造采用 ISO9001 和軍工質(zhì)量管理體系保證;

設備的生產(chǎn)加工除下料、焊接在普通廠房內(nèi)進行外,裝配、調(diào)試等工序都在萬級超凈間內(nèi)進行;

所有零部件在進入萬級超凈間前均進行清洗;

設備出廠前都經(jīng)過嚴格的滲漏檢查;


更多的半導體石英管清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。?

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1、設備概況:

主要功能:本設備主要采用手動搬運方式,通過對擴散、外延等設備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;

設備名稱:半自動石英管清洗機

被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物

設備形式:室內(nèi)放置型;

節(jié)拍:約1--12小時(節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實際工藝時間而定)

操作形式:半自動

2、設備描述

此裝置是一個半自動的處理設備。

PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示?/檢測?/操作

清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。

3、設備特點:

腐蝕漂洗能力強,穩(wěn)定,安全;

設備成合理,自動程度高,使成本低;

技術先進,結構合理,宜生產(chǎn)線上大批次操作;

結合華林科納公司全體同仁之力,年品質(zhì)保障,使其各分遠遠領先同類產(chǎn)品;

設備上層電器控制系統(tǒng)及抽風系統(tǒng),中層工作區(qū),下層為管道安裝維修區(qū),主體結構由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風系統(tǒng)、工件滾動系統(tǒng)、氮氣鼓泡系統(tǒng)、支撐及旋轉驅動機構、管路部分、電控部分。

本設備裝有雙防漏盤結構,并有防漏檢測報警系統(tǒng),在整臺設備的底部裝有接液盤。

設備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。

4、工藝流程:

檢查水、電、氣正常→啟動電源→人工上料→注酸→槽體底部氮氣鼓泡→石英管轉動(7/min)→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關閉)→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質(zhì)排出)→初級潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復循環(huán)(人工控制)→下料。?

酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成

1#2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用

5、設備可靠性保障措施:

系統(tǒng)結構采用國外典型處理方法,保證系統(tǒng)結構的合理性和適應性;

結構采用潔凈化處理技術,可達到國外同類產(chǎn)品水平;

采用國外引進元器件及專業(yè)廠家產(chǎn)品;

國產(chǎn)元器件采用國內(nèi)專業(yè)廠家生產(chǎn)和經(jīng)證實質(zhì)量優(yōu)質(zhì)的高性能元件;

設計、生產(chǎn)、制造采用 ISO9001 和軍工質(zhì)量管理體系保證;

設備的生產(chǎn)加工除下料、焊接在普通廠房內(nèi)進行外,裝配、調(diào)試等工序都在萬級超凈間內(nèi)進行;

所有零部件在進入萬級超凈間前均進行清洗;

設備出廠前都經(jīng)過嚴格的滲漏檢查;

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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