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歡迎訪問華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)-CSE

上市日期: 2016-11-02

全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)-華林科納(江蘇)CSE

華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國(guó)內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備

?全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)-CSE

設(shè)備名稱

華林科納(江蘇)CSE-全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備

設(shè)備概況

尺寸(參考):約3500L*1500(W)*2000(H)(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)

清洗件規(guī)格:一次性可裝8寸晶片25pcs

典型生產(chǎn)節(jié)拍:5~10min/籃(清洗節(jié)拍連續(xù)可調(diào))

門:不銹鋼合頁門+PVC視窗

主題構(gòu)造特點(diǎn)

設(shè)備由于是一個(gè)腐蝕的環(huán)境,我們?cè)O(shè)備的排風(fēng)方式,臺(tái)面下抽風(fēng),每套工藝清洗槽都有自動(dòng)開閉的槽蓋,槽蓋下有單獨(dú)的抽風(fēng)裝置。

設(shè)備結(jié)構(gòu)外型,整機(jī)主要由機(jī)架、工藝槽體、機(jī)械手傳輸系統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、水路系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等組成。

由于工藝槽內(nèi)藥液腐蝕性強(qiáng),設(shè)備需要做防腐處理:1設(shè)備機(jī)架采用鋼結(jié)構(gòu)骨架包塑;2殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接,制程區(qū)由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成:3電氣區(qū)設(shè)置在設(shè)備后上部,與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離;4槽體材料選用耐相應(yīng)溶液腐蝕的材料;5機(jī)械手探人濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。

應(yīng)用領(lǐng)域

集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096 ;18913575037

更多全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備的相關(guān)方案

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1.設(shè)備概況

l 設(shè)備名稱:金屬去膠清洗機(jī)????????????????????????????????????????????????????????? ?????????????????????????????????????????????????????????????? l 整機(jī)尺寸(參考):約2300mmL×1400mmW×2000mmH

l 硅片尺寸:2寸~6

l 工作環(huán)境:室內(nèi)放置;

l 操作形式:手動(dòng)

l 重量:650Kg( 大約)

2.整機(jī)構(gòu)造

l 骨架:德國(guó)進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;

l 外殼:德國(guó)進(jìn)口10mmPP;

l 安全門:采用透明上下推拉門;

l 管路:管路位于下后部,以節(jié)省空間,采用英制接口;

l 滅火系統(tǒng):煙熱感應(yīng)CO2自動(dòng)滅火系統(tǒng)位于工作臺(tái)面上部;

l 排風(fēng):根據(jù)流體學(xué)原理設(shè)計(jì)位于機(jī)臺(tái)后上部,并配有導(dǎo)流和風(fēng)量調(diào)節(jié)裝置;

l 工作照明:機(jī)臺(tái)上方配照明(與工作區(qū)隔離);

l 臺(tái)面板為優(yōu)質(zhì)不銹鋼材質(zhì)(帶有漏液孔);

l DI/N2 GUN:可伸縮的DI水槍和氣槍各2把,分置于工作區(qū)兩側(cè);

l 人機(jī)界面:Touch Screen彩色界面;

l 支腳:有滑輪裝置和固定裝置,可調(diào)整高度和鎖定;

l 三色報(bào)警等和蜂鳴器

3.控制系統(tǒng)

l PLC可程式控制器(歐姆龍)+Touch Screen彩色人機(jī)界面操作。

l 制程參數(shù)皆采用可設(shè)定、修改;

l 操作模式可分為自動(dòng)/手動(dòng)/編輯/維修。

l 配有獨(dú)立配電箱,電路區(qū)進(jìn)行功能分塊,強(qiáng)電、弱電塊,以便于維護(hù);

l Password功能以避免操作人員誤改參數(shù):

Password-1.啟動(dòng)及可進(jìn)入自動(dòng)模式內(nèi)容。

Password-2可進(jìn)入編輯模式修改制程參數(shù)。

Password-3可進(jìn)入手動(dòng)模式。

4.安全保護(hù)

l 設(shè)備采用耐腐蝕導(dǎo)線并采用氟套管進(jìn)行保護(hù),防腐防水;

l 設(shè)有防漏電斷路保護(hù)裝置;

l 電控部分正壓空體保護(hù),防水防腐;

l 設(shè)備有可靠的接地裝置及緊急關(guān)機(jī)和報(bào)警系統(tǒng);

l EMO 裝置緊急按鈕開關(guān);

l 蜂鳴器聲鳴提示工作完成,三色報(bào)警燈及蜂鳴聲光故障報(bào)警;

l 煙熱感應(yīng)CO2自動(dòng)滅火系統(tǒng)位感應(yīng)到煙熱后自動(dòng)滅火保護(hù);

l 機(jī)臺(tái)底部設(shè)有防漏盤及漏液感知;

l 液位異常感知/安全液位保護(hù);

l 加熱過溫保護(hù)和防干燒;

5.工作位參數(shù)


工序

輔助

處理液

溫度

材質(zhì)

抽風(fēng)

1

超聲加熱槽

加熱

石腦油,丙酮,異丙醇

100

316

2

超聲加熱槽

加熱

石腦油,丙酮,異丙醇

100

316

3

超聲加熱槽

加熱

石腦油,丙酮,異丙醇

100

316

4

超聲加熱槽

加熱

石腦油,丙酮,異丙醇

100

316

5

超聲加熱槽

加熱

石腦油,丙酮,異丙醇

100

316

6

IPA

/

IPA

RT

316

7

QDR

鼓泡+溢流

DI

RT

NPP

8

QDR

鼓泡+溢流

DI

RT

NPP

9

QDR

鼓泡+溢流

DI

RT

NPP

10

QDR

鼓泡+溢流

DI

RT

NPP

11

QDR

鼓泡+溢流

DI

RT

NPP

12

烘干槽

加熱

氮?dú)?/span>

60120

316


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Hot Products / 熱賣產(chǎn)品 More
2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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