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產(chǎn)品名稱:

RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備-CSE

上市日期: 2016-03-07

RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE

華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備

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設(shè)????

華林科納(江蘇)CSE-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)

使 用 對(duì) 象

硅晶片2-12inch

??領(lǐng)??

半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS

設(shè) 備 用 途

硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備

主體構(gòu)造特點(diǎn)

1. 設(shè)備包括:設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。

2.設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中

3.主體:設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中;

4.骨?架:鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成,防止外殼銹蝕。

5.儲(chǔ)物區(qū):位于工作臺(tái)面左側(cè),約280mm寬,儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐;

6.安全門:前側(cè)下開透明安全門,腳踏控制;

7.工藝槽:模組化設(shè)計(jì),腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn);

8.管路系統(tǒng):位于設(shè)備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明;藥液管路采用PFA管,純水管路采用白色NPP噴淋管,化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放;

9.電氣保護(hù):電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠;所有可能與酸霧接觸的電氣及線路均經(jīng)PFA防腐隔絕處理,電氣柜CDA/N2充氣保護(hù)其中的電器控制元件;

10.排?風(fēng):后部排風(fēng)和下沉式設(shè)計(jì),風(fēng)量可調(diào)節(jié),對(duì)操作員有安全保護(hù);

11.送風(fēng):設(shè)備頂部有FFU百級(jí)凈化送風(fēng)裝置,設(shè)備沿前側(cè)板鑲嵌入墻體,保證后上部送風(fēng);

12.照明:工作區(qū)頂部配有雙光日光燈照明;

13.水汽槍:機(jī)臺(tái)前部配備有PTFE純水槍和PTFE氮?dú)鈽尭?只置于右側(cè),方便操作員手工清洗槽體或工件;

14.機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。

15.安全保障:完善的報(bào)警和保護(hù)設(shè)計(jì),排風(fēng)壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖,直觀的操作界面,清晰的信息提示,保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示燈置于機(jī)臺(tái)上方明顯處。

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096;18913575037

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RCA 清洗工藝過程及原理:

????? 半導(dǎo)體制程中需要一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完 成,另外,制作過程總是在人的參與下在凈化室中進(jìn) 行,這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對(duì)硅片污染的 情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況,大致可將污染 物分為顆粒、有機(jī)物、金屬污染物及氧化物。一個(gè)硅 片表面具有多個(gè)微芯片,每個(gè)芯片又差不多有數(shù)以 百萬計(jì)的器件和互連線路,它們對(duì)玷污都非常敏感。 玷污經(jīng)常導(dǎo)致有缺陷的芯片。致命的缺陷是導(dǎo)致硅 片上的芯片無法通過電學(xué)測(cè)試的原因。據(jù)統(tǒng) 計(jì), 80% 的芯片電學(xué)失效是由玷污帶來的缺陷引起 的[2]。硅片清洗的目標(biāo)是去除所有表面玷污: 顆粒、 金屬雜質(zhì)、有機(jī)物玷污、自然氧化層。

????? RCA 是 一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法,華林科納半導(dǎo)體CSE的清洗設(shè)備就是以濕法腐蝕清洗為主,并且該設(shè)備也得到了很多企業(yè)的工程師的認(rèn)可。該清洗法主要包括以下幾種清洗液。

????? ( 1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ~ 150) ℃ SPM 具有 很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并 能把有機(jī)物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅 片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬,但是 當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去 除。

????? ?2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ~ 25) ℃ DHF 可 以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧 化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時(shí) DHF 抑制 了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面 的 Al,F(xiàn)e,Zn,Ni 等金屬,DHF 也可以去除附著在自 然氧化膜上的金屬氫氧化物。用 DHF 清洗時(shí),在自 然氧化膜被腐蝕掉時(shí),硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

????? ( 3 ) APM ( SC - 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ~ 80) ℃由于 H2O2 的作用,硅片表面有一層自然氧化 膜( SiO2 ) ,呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗 液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便 落入 清 洗 液 中,從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蝕硅片表面的同時(shí),H2O2 又在氧化硅片 表面形成新的氧化膜。

?????? ( 4) HPM( SC - 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ~ 85) ℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫 下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。

?????? ?5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水,UPW 采用臭氧化的水稀釋化學(xué)品以及化學(xué)清洗后晶片的 沖洗液[3]。

?????? RCA 清洗附加超聲能量后,可減少化學(xué)品及 DI 水的消耗量,縮短晶片在清洗液中的浸蝕時(shí)間,減輕 濕法清洗的各向同性對(duì)積體電路特征的影響,增加 清洗液使用壽命。


更多的半導(dǎo)體RCA腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。?

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1.設(shè)備概況

l 名稱:RCA濕法腐蝕清洗機(jī)?

l 機(jī)臺(tái)尺寸?:1900mmWx1400mmDx2000mmH

l 清洗能力:2--6寸圓片,25/

2.主體構(gòu)造特點(diǎn)

l 規(guī)范:本設(shè)備的設(shè)計(jì)、選購、制造、檢驗(yàn)和測(cè)試均按照相關(guān)國家、半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(SEMI-S2-93)執(zhí)行,ISO9001質(zhì)量管理體系進(jìn)行規(guī)范和保證,但合同中或技術(shù)文件中另有規(guī)定的除外。外購配件執(zhí)行相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范及企業(yè)標(biāo)準(zhǔn);

l 設(shè)備包括:設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。

l 主體:設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP1510mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中;

l ?架:鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成,防止外殼銹蝕。

l 臺(tái)面:高度為850mm

l 儲(chǔ)物區(qū):位于工作臺(tái)面左側(cè),約280mm寬,儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐;

l 安全門:前側(cè)下開透明安全門,腳踏控制;

l 工藝槽:模組化設(shè)計(jì),腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn);

l 管路系統(tǒng):位于設(shè)備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明;藥液管路采用PFA管,純水管路采用白色NPP噴淋管,化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放;

l 電氣保護(hù):電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠;所有可能與酸霧接觸的電氣及線路均經(jīng)PFA防腐隔絕處理,電氣柜CDA/N2充氣保護(hù)其中的電器控制元件;

l ?風(fēng):后部排風(fēng)和下沉式設(shè)計(jì),風(fēng)量可調(diào)節(jié),對(duì)操作員有安全保護(hù);

l 送風(fēng):設(shè)備頂部有FFU百級(jí)凈化送風(fēng)裝置,設(shè)備沿前側(cè)板鑲嵌入墻體,保證后上部送風(fēng);

l 照明:工作區(qū)頂部配有雙光日光燈照明;

l 水汽槍:機(jī)臺(tái)前部配備有PTFE純水槍和PTFE氮?dú)鈽尭?/span>1只置于右側(cè),方便操作員手工清洗槽體或工件;

l 機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。

l 安全保障:完善的報(bào)警和保護(hù)設(shè)計(jì),排風(fēng)壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖,直觀的操作界面,清晰的信息提示,保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示燈置于機(jī)臺(tái)上方明顯處。

3.控制系統(tǒng)

l PLC可程式控制器(歐姆龍)+PROFACE 彩色人機(jī)界面操作。

l 模塊化軟件、硬件設(shè)計(jì),減少故障幾率,便于安裝和維護(hù);

l 空氣開關(guān)、斷路器、電磁閥、按鈕、氮?dú)庹{(diào)壓閥,針閥、三色警燈等均采用SMC、施耐德、和泉、松下、正泰等電氣產(chǎn)品,安全可靠;

l 配備漏電斷路保護(hù)、隔離變壓器、漏液檢測(cè)、EMO開關(guān)等安全保護(hù)裝置;

l 所有程序參數(shù)可修改,操作模式可分為自動(dòng)/手動(dòng),加液和花籃傳遞為手動(dòng);

l 電路區(qū)功能分塊,強(qiáng)電、弱電塊,便于維護(hù);

l 電氣控制部分均有清晰的標(biāo)簽注明

l 具密碼保護(hù)功能以避免操作人員誤改參數(shù):

Password-1.啟動(dòng)及可進(jìn)入自動(dòng)模式內(nèi)容。

Password-2可進(jìn)入手動(dòng)模式。

Password-3可進(jìn)入編輯模式修改制程參數(shù)。

4.安全保護(hù)

l 設(shè)備采用耐腐蝕導(dǎo)線并采用氟套管進(jìn)行保護(hù),防腐防水;

l 設(shè)有防漏電斷路保護(hù)裝置;

l 電控部分正壓空體保護(hù),防水防腐;

l 配有漏電流斷路保護(hù)裝置以及過溫過載保護(hù)裝置。

l 設(shè)備有可靠的接地裝置及緊急關(guān)機(jī)和報(bào)警系統(tǒng);

l EMO緊急開關(guān)位于機(jī)臺(tái)上方明顯處。

l 蜂鳴器聲鳴提示工作完成,三色報(bào)警燈及蜂鳴聲光故障報(bào)警;

l 機(jī)臺(tái)底部設(shè)有防漏盤及漏液感知;

l 液位異常感知/安全液位保護(hù);

l 配有加熱保護(hù),防干燒;

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2016 - 03 - 07
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2016 - 03 - 07
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2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
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刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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