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CSE 實驗室自動配液機(灌裝機)化學(xué)品配液機

上市日期: 2019-06-11

  實驗室自動配液機(灌裝機)CSE-LIQOUR-II


  隨著濕化學(xué)設(shè)備在LED、太陽能、MEMS、功率器件、分立器件、先進封裝和半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域自動化程度的不斷提高,傳統(tǒng)的人工手動配液、補液逐漸由自動配液取代。


  然而,在濕制程工藝實驗以及生物配藥實驗等實驗驗證的過程中,大多數(shù)還保持著采用量筒量杯逐一調(diào)配制程藥液的方法。采用人為手工配置藥液不僅精度得不到保證,而且化學(xué)品大多有腐蝕性、毒性等特點(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氫氧化鉀KOH等堿性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有機液),在配比過程中對操作人員具有一定的危險性。


  為解決實驗室手動配液的弊端,華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司開發(fā)研制了新型實驗室自動配液機(灌裝機)CSE-LIQOUR-II。此配液機專為化學(xué)生物制藥工藝實驗室設(shè)計,是用來滿足藥液自動配比的設(shè)備,通過稱重、流量計準確計量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送,配液精確度能夠達到2‰。


  該設(shè)備操作自動化,質(zhì)量好,能預(yù)防藥液污染。適用于半導(dǎo)體清洗和藥廠配制普通液體藥劑等用途,具有以下優(yōu)點:


  1)操作安全:系統(tǒng)應(yīng)具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能,保證操作者安全;


  2)兼容性:與化學(xué)品接觸部分完全與輸送化學(xué)品兼容,對化學(xué)品零污染;


  3)自動控制操作運轉(zhuǎn):系統(tǒng)單元與機臺界面自動化;


  4)精確配比:系統(tǒng)連續(xù)供液(配液、補液)過程中準確可靠,脈動性較好;


  5)泄漏警報:檢測泄漏及緊急關(guān)閉系統(tǒng)(E-MO);


  6)其他:系統(tǒng)自診斷及管路維修保養(yǎng)功能。


  作為濕制程設(shè)備專業(yè)制造商,華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司對實驗室自動配液機(灌裝機)CSE-LIQOUR-II的成功研發(fā),為濕制程工藝實驗室或生物配藥實驗室的精確配比,提升實驗人員的實驗效率提供了有效的保障。


  *設(shè)備主要技術(shù)參數(shù):

  

劑量和溶液的配比方式

最高內(nèi)置存儲可達70個不同的溶液/劑量配比程式
溶劑/溶液數(shù)量最高達5種不同溶劑/溶液
配比方式重量(g) 體積(ml)
配置速度最高14ml/s 壓力0.3bar時
壓力范圍0.2~0.4bar;氣壓或重力
顯示LCD液晶顯示屏
操作數(shù)字鍵盤
尺寸/重量300×350×700(w×d×h),23kg
天平稱重量程1100,2100,5100,6200g/內(nèi)置磁力攪拌器


  


  


  


  


  


  


  


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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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