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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

上市日期: 2017-12-06

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GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSE

Chemical Dispense System System?

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-GMP自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等

主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。
控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式

GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE1.jpg

設(shè)備名稱

華林科納(江蘇)CSE-GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)

設(shè)備型號(hào)

CSE-CDS-N2601

設(shè)計(jì)基準(zhǔn)

1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS

2. CDS?將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS?系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;

3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);

4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液?雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);

5. 過(guò)濾器:配有10”?PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;

6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái)?PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;

7. Empty Sensor & Level Sensor:

酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);

8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。

CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格

?

1. 系統(tǒng)主要功能概述

設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;

系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);

2. 操作模式:

?CDS?系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,

兼具自動(dòng)化與親和力。

在自動(dòng)模式情形下可自行達(dá)成供酸之功能。

在手動(dòng)模式及維修模式底下可針對(duì)單一自動(dòng)元件操作。

3. 設(shè)備結(jié)構(gòu):

(1)機(jī)架(Frame):盤底SUS 方管50x50x1.5T 與機(jī)體以SUS 方管38x38x1.5T方管,全周焊架構(gòu)而成,具有調(diào)整腳座。

(2)外觀:酸堿類系統(tǒng)的外觀以WPP 被覆。

(3)?箱體

(一)?箱體材質(zhì)型式

供腐蝕性化學(xué)品用之材質(zhì)為WPP/ 透明PVC。

(二)?閥體材質(zhì)型式

.供腐蝕性化學(xué)品用之材質(zhì)為PFA或PTFE。

(三)?泄漏偵測(cè)型式

采靜電容式或光電式,須能耐酸鹼之浸泡。

(四)?分流箱(VMB)必要設(shè)施說(shuō)明

箱體外部須清楚標(biāo)示其所輸送化學(xué)品之名稱與化學(xué)式。

?4. 設(shè)備內(nèi)部空間規(guī)劃:

(1)配管區(qū):管路流程整齊清楚,操作方便,具有防止噴濺及承接并排放泄漏功能。

(2)電控區(qū):完全密封,可防止酸氣侵蝕電控元件。

(3)取樣區(qū):取樣方便具有防止酸液噴濺及排放泄漏功能。

(4)桶槽區(qū):方便更換桶槽,并有鏈條防止桶槽滑動(dòng),有正壓及排氣功能,保持區(qū)域內(nèi)之潔凈度,下方有排放泄漏功能。

5. 電控系統(tǒng)︰

(1)空間規(guī)劃︰完全與酸氣隔離的獨(dú)立空間并有N2 Purge 功能,從后方有寬大維修空間。

(2)重要元件︰

PLC: OMRON

GP: 10” OMRON Touch

Empty Sensor & Level Sensor:采用靜電容近接開關(guān)

6. 附屬裝置:

(1)排氣裝置︰每一個(gè)Unit 皆配備排氣裝置

(2)每一個(gè)Unit 皆配備一組DIW GUN.

7. 安全保護(hù)裝置:

(1)漏電斷電斷路保護(hù)裝置

(2)機(jī)臺(tái)底部漏液檢知裝置

(3)電控箱正壓裝置

(4)E.M.O.裝置

8. 適用條件:

所有設(shè)備均應(yīng)滿足以下條件;

裝置場(chǎng)所: 室內(nèi)。

標(biāo)高: 海平面1000 公尺以下。

環(huán)境溫度: 最高30℃,最低0℃,平均30℃。

相對(duì)濕度: 最大90 ﹪。

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096;18913575037

更多GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)的相關(guān)方案

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GMP自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSE

Chemical Dispense System System?

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-GMP自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等

主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。
控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式

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2016 - 03 - 07
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2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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