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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱：

片盒清洗機(jī)-CSE
上市日期： 2017-12-19

片盒清洗機(jī)-華林科納CSE

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設(shè)備概況：

主要功能：本設(shè)備主要手動(dòng)/自動(dòng)搬運(yùn)方式，通過對(duì)片盒化學(xué)液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進(jìn)行

處理，從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。

23.jpg

設(shè)備名稱：片盒清洗機(jī)

設(shè)備型號(hào)：CSE-SC-N259

整機(jī)尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設(shè)備非標(biāo)定制）

操作形式：手動(dòng)

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設(shè)備組成

該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成

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設(shè)備描述

此裝置是一個(gè)手動(dòng)的處理設(shè)備；

設(shè)備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；

主體材料：德國(guó)進(jìn)口 10mmPP 板，優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；

臺(tái)面板為德國(guó) 10mm PP 板；

DIW 管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質(zhì)要求；

采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工，焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成

排風(fēng)：位于機(jī)臺(tái)后上部

工作照明：上方防酸照明

安全考慮：

1. 設(shè)有 EMO(急停裝置)

2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離

3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面

4. 設(shè)備排風(fēng)口加負(fù)壓檢測(cè)表

5. 設(shè)備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報(bào)警 設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)

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更多的花籃和片盒清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096?18913575037可立即獲取免費(fèi)的片盒清洗機(jī)解決方案。

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片盒清洗機(jī)-華林科納CSE

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設(shè)備概況：

主要功能：本設(shè)備主要手動(dòng)/自動(dòng)搬運(yùn)方式，通過對(duì)片盒化學(xué)液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進(jìn)行

處理，從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺(tái)產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn)： 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí)，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡1...
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