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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

廢氣處理系統(tǒng)---CSE

上市日期: 2016-06-06

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廢氣處理系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSE

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE 的廢氣處理系統(tǒng)可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負(fù)壓范圍為:-500Pa -1500Pa;

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設(shè)備名稱

華林科納(江蘇)CSE-廢氣處理系統(tǒng)

系統(tǒng)說明

1.可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負(fù)壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa;

2.工藝穩(wěn)定,負(fù)壓波動在15%.

3.電壓:380V,三相五線,8KW;

4.采用英國廢氣處理系統(tǒng)工藝,CSE在原工藝上經(jīng)過升級改造,新的系統(tǒng)推出市場后,客戶反映效果較好;

系統(tǒng)工作原理

為酸性/堿性/其它特殊氣體處理系統(tǒng),主要由以下幾大部分組成:負(fù)壓腔、正壓腔、初級錐形噴淋塔、三級噴淋凈化塔、高壓射流器、抽風(fēng)孔、負(fù)壓動力泵、循環(huán)噴淋泵、電控系統(tǒng);

廢氣經(jīng)過一級錐形噴淋塔進(jìn)入負(fù)壓腔內(nèi)(每個噴淋塔中間為傘裝型噴頭,對廢氣層形成水封,瞬間中和廢氣)、通過射流器產(chǎn)生負(fù)壓把負(fù)壓腔內(nèi)的廢氣抽入正壓腔內(nèi)中和(在負(fù)壓腔與正壓腔之間設(shè)有三級噴淋凈化塔,三級噴淋凈化塔內(nèi)配有PP填料,配有噴嘴,再次充分噴淋中和廢氣)、處理完的氣通過正壓腔上的排氣口排出。

成功案例

河北普興電子有限公司
上海新傲半導(dǎo)體有限公司
上海硅酸鹽研究所中試基地
蘇州納維科技有限公司

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn?400-8768-096 ;18913575037

更多半導(dǎo)體行業(yè)廢氣處理系統(tǒng)可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供廢氣處理系統(tǒng)的相關(guān)方案。

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE 的廢氣處理系統(tǒng)可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負(fù)壓范圍為:-500Pa -1500Pa

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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