根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響,整體市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力不足致使成長(zhǎng)持續(xù)受到壓抑。然受到車用、工業(yè)與通訊需求助力,2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為明顯,預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6,100萬美元,年增率高達(dá)90.6%。
TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步表示,首先,預(yù)期疫苗問世后疫情有所趨緩,進(jìn)而帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等,以及通訊基站需求回穩(wěn);其次,隨著特斯拉(Tesla)Model 3電動(dòng)車逆變器逐漸改采SiC器件制程后,第三代半導(dǎo)體于車用市場(chǎng)逐漸備受重視;最后,中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化,今年提出十四五計(jì)劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能,上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。
電動(dòng)車、工業(yè)及通訊需求回溫,帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件營(yíng)收上揚(yáng)
觀察各類第三代半導(dǎo)體器件,GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺(tái)積電(TSMC)、世界先進(jìn)(VIS)等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn),然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?,預(yù)期2021年通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6,100萬美元,年增30.8%及90.6%。
其中,GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得消費(fèi)者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進(jìn)。TrendForce集邦咨詢預(yù)期,GaN器件會(huì)持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件,且年增率將在2022年達(dá)到最高峰,后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及,成長(zhǎng)動(dòng)能將略為趨緩。
SiC器件部分,由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該襯底,因而6英寸晶圓的供應(yīng)量顯得吃緊,預(yù)估2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達(dá)6.8億美元,年增32%。目前各大襯底商如科銳(CREE)、貳陸(II-VI)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等已陸續(xù)開展8英寸襯底研制計(jì)劃,但仍有待2022年后才有望逐漸紓緩供給困境。
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