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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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中國半導(dǎo)體投資有望增至萬億,專家提醒避免三大誤區(qū)

時間: 2018-10-15
點擊次數(shù): 215

在10月11日舉行的廣州2018小蠻腰科技大會上,中國芯片如何破局成為熱點話題之一。厚生利用投資創(chuàng)始合伙人兼總裁欒凌預(yù)測,中國半導(dǎo)體投資未來十年將增至10000億元。而深圳半導(dǎo)體協(xié)會秘書長常軍鋒提醒說,國內(nèi)芯片投資要避免大而全、半途而廢、短期超越三大誤區(qū)。

中國半導(dǎo)體投資有望增至萬億,專家提醒避免三大誤區(qū)

芯片投資將達(dá)萬億

欒凌介紹說,半導(dǎo)體芯片短板已成為中國人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的挑戰(zhàn)之一。隨著互聯(lián)網(wǎng)、社交媒體、移動設(shè)備的大量普及,以及5G和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,市場對存儲芯片的需求增加,而人工智能芯片技術(shù)的高速迭代又催生出各類AI專用芯片。

目前在集成電路領(lǐng)域,美國擁有英特爾、高通、德州儀器、博通、Nvidia、美光等半導(dǎo)體巨頭。2017年公開數(shù)據(jù)顯示,總部設(shè)在美國的半導(dǎo)體公司銷售額占了全球銷售份額的46%。

中國代表性的半導(dǎo)體企業(yè),正在奮起追趕。2000年成立的中芯國際,目前14納米制程已接近研發(fā)完成,距離2019年量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn),一旦實現(xiàn)目前由海外代工的部分產(chǎn)品將有望回歸國內(nèi)代工。華為海思,2017年以47.15億美元的銷售額成為全球第七大芯片設(shè)計公司,增長率達(dá)到21%;海思的麒麟980芯片是全球首款7納米人工智能手機芯片,在AI運算能力上領(lǐng)先。

在人工智能芯片領(lǐng)域,出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線多家芯片公司。如寒武紀(jì)今年6月完成數(shù)億美元B輪融資,投后估值25億美元;阿里巴巴成立平頭哥半導(dǎo)體有限公司,四個主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯片、量子計算芯片和物聯(lián)網(wǎng)芯片。

國內(nèi)資本快速進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括北京、上海、廣東等在內(nèi)的十幾個省市已成立專門扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的地方政府性基金,撬動地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金超過5000億元。欒凌預(yù)測,“考慮政府資金對產(chǎn)業(yè)資本和金額資本的帶動,未來十年投向集成電路產(chǎn)業(yè)的資金預(yù)計達(dá)到萬億級別”。

避免三大誤區(qū)

面對國內(nèi)涌現(xiàn)的半導(dǎo)體投資熱潮,深圳半導(dǎo)體協(xié)會秘書長常軍鋒冷靜地說,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長:一是半導(dǎo)體支撐業(yè),包含半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備;二是半導(dǎo)體行業(yè),包括分立器件、集成電路,集成電路又分IC設(shè)計、制造和IC封測三個環(huán)節(jié);三是PC、通信、消費電子、汽車等應(yīng)用終端。

中國半導(dǎo)體投資有望增至萬億,專家提醒避免三大誤區(qū)

常軍鋒指出,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈里,中國目前最薄弱的環(huán)節(jié),是基礎(chǔ)材料研究和先進(jìn)設(shè)備制造;其中,集成電路領(lǐng)域,2000年后中國飛速追趕,設(shè)計、制造和封測三個環(huán)節(jié)里最薄弱是制造;相比之下,中國或者說珠三角最有優(yōu)勢在于龐大的半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。

芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域,包括光刻機、刻蝕機和EUV設(shè)備。目前荷蘭ASML占了光刻機市場80%的份額;尼康、佳能占了余下20%的份額;德國蔡司鏡片、荷蘭ASML生產(chǎn)的EUV設(shè)備獲得了英特爾、三星、臺積電三大客戶。中國半導(dǎo)體設(shè)備由于技術(shù)差距,市場份額僅為全球的15%。

半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,據(jù)SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)的報告,2017年全球半導(dǎo)體材料市場銷售額469億美元,增幅為9.6%。生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片需要的19種材料中,日本企業(yè)在硅晶圓等14種重要材料方面均占有50%及以上的份額,而中國半導(dǎo)體材料的銷售額占全球比重不足5%。

集成電路制造領(lǐng)域,據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告,2017年全球晶圓代工總產(chǎn)值約573億美元,同比增長7.1%。2017年10納米制程開始放量,成為晶圓代工產(chǎn)值增長最重要的引擎。目前,臺灣地區(qū)的臺積電是全球晶圓代工的龍頭,占了全球市場份額的59.7%。

所以,常軍鋒對中國半導(dǎo)體投資提出幾點建設(shè):一是半導(dǎo)體設(shè)備和材料,國家主導(dǎo)引導(dǎo),科研參與,企業(yè)產(chǎn)業(yè)化,要有長期奮斗10~30年的目標(biāo);二是半導(dǎo)體設(shè)計,社會投資資本介入,爭取5~10年有設(shè)計能和核心技術(shù)突破;三是半導(dǎo)體封測,社會投資資本介入,爭取做大做強;四是半導(dǎo)體制造,國家引導(dǎo),社會投資資本介入,爭取在5~10年內(nèi)縮小與世界先進(jìn)水平的差距;五是半導(dǎo)體應(yīng)用,配合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化的發(fā)展進(jìn)程。另外,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的人才培養(yǎng)機構(gòu)和公司,也有投資價值。

針對全國各地、多個行業(yè)都涌現(xiàn)的半導(dǎo)體投資熱潮,常軍鋒在接受第一財經(jīng)記者采訪時特別提醒,要避免三大誤區(qū)。首先,投資不要大而全。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成生態(tài)鏈,各地投資不要大而全,要“有所為、有所不為”,形成全國一盤棋,有的地方連教師工資也發(fā)不出更不宜盲目跟風(fēng)。

其次,投資要防備曇花一現(xiàn)。一些企業(yè)沒有充分認(rèn)識到芯片行業(yè)的水有多深,可能要爬50樓,它爬20樓就不爬了,那么前面的投入就會打水漂。像英特爾2017年研發(fā)投入131億美元,占全球半導(dǎo)體研發(fā)投入前十強企業(yè)的研發(fā)投入總額的36%,所以要有持續(xù)投入的準(zhǔn)備和能力才出手。

第三,彎道超車不易。物聯(lián)網(wǎng)時代,人工智能芯片碎片化的需求給中國企業(yè)更多機會。但是,國外半導(dǎo)體巨頭的投入也在持續(xù)增加,還通過國際標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、專利保護(hù)建立了技術(shù)壁壘,所以很難彎道超車。中國企業(yè)可以在5G通訊芯片設(shè)計等領(lǐng)域重點突破,盡力補上芯片材料、設(shè)備和制造等短板,要打持久戰(zhàn),花5~10年縮小芯片設(shè)計差距,花10~30年縮小芯片材料、設(shè)備差距。

來源:芯智訊



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