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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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芯片巨頭宣告不玩高端技術(shù) 中芯會是一個闖關(guān)勇者?

時間: 2018-08-29
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全球 7 納米戰(zhàn)局又傳震撼消息,GlobalFoundries 宣布將暫停所有 7 納米 FinFET 技術(shù)的研發(fā),這代表大客戶 AMD 產(chǎn)品將全數(shù)委由臺積電代工,且未來參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠僅剩英特爾、臺積電和三星三家,然值得關(guān)注的是,中芯國際曾表示明年要進(jìn)入第二代 FinFET 技術(shù)的開發(fā),是否會直攻 7 納米,搶下全球第四張入場券,值得后續(xù)高度關(guān)注!


芯片巨頭宣告不玩高端技術(shù) 中芯會是一個闖關(guān)勇者?


半導(dǎo)體高端技術(shù)是個燒錢的游戲,要不要玩下去,對許多廠商都是個困難的決定,三星、臺積電這些一線大廠沒有選擇的權(quán)利,只能一路玩到底,但聯(lián)電已經(jīng)用行動宣布退出高端工藝的競賽,停在 14 納米工藝世代,如今,GlobalFoundries 也用退出 7 納米研發(fā)的決定,宣告世人“高端技術(shù)不玩了!”


芯片利潤集中在前三家,7 納米投資過大已讓二線廠難見投資回報


GlobalFoundries 退出后,全球 7 納米戰(zhàn)局成為英特爾、臺積電、三星三家半導(dǎo)體大廠的閉門游戲,且英特爾日前也淡出晶圓代工業(yè)務(wù),即使開發(fā)出 7 納米的技術(shù),會以自己產(chǎn)品為主,未來能開放代工服務(wù)的,僅剩下臺積電和三星。


其實 GlobalFoundries 退出高端技術(shù),對于臺積電是短多長空,短多是可以 100% 拿下 AMD 訂單,但未來在 7 納米高端技術(shù)上,客戶若是要尋求第二供應(yīng)商分散風(fēng)險,只能被迫找三星做代工,這等于是變相扶植三星的晶圓代工業(yè)務(wù)成長茁壯,而三星是臺積電的頭號敵人,因此,這樣的轉(zhuǎn)變對于臺積電而言,長線確有隱憂。


芯片巨頭宣告不玩高端技術(shù) 中芯會是一個闖關(guān)勇者?


然而 GlobalFoundries 和聯(lián)電不玩高端技術(shù)想必是很痛的決定,但卻是可以被理解的。


過去半導(dǎo)體贏家的致勝之道,是要一路不回頭、咬緊牙關(guān)不斷投資,當(dāng)景氣在低谷時更要加碼,當(dāng)對手放棄時更要堅持,只要比競爭對手撐得更久,最后一定是贏家通吃,因為芯片產(chǎn)業(yè)是第一名賺大錢,第二名打平,第三名活得很辛苦,第四名之后通通賠錢,也因為如此,所有廠商咬牙持續(xù)投資就是為了要擠入前三名。


7 納米研發(fā)需要巨資,但全球真正有能力使用 7 納米工藝的客戶十分有限,客戶光是開一顆 7 納米的光掩膜就需要 1000 萬美元,過去 28 納米頂多100 萬美元??上攵?,7 納米客戶數(shù)目是集中在部分有需求的大公司,但不會是所有中小型芯片公司都需要。


細(xì)數(shù) 7 納米客戶無非是蘋果、高通、博通、英偉達(dá)、AMD、賽靈思、聯(lián)發(fā)科、海思等,現(xiàn)在又加入加密貨幣的客戶如嘉楠耘智、比特大陸等,且?guī)缀醵际桥_積電的客戶,如此有限的客戶數(shù)量,對比需要投入的巨資,進(jìn)行 7 納米投資能否收回成本,這會是一大問題。


除了客戶數(shù)量少,投資報酬率恐無法回本外,第二個大問題是 7 納米的技術(shù)門檻持續(xù)拉高。


GlobalFoundries 技術(shù)卡關(guān),臺積電通吃 AMD 代工訂單


今年真正可以進(jìn)入 7 納米工藝量產(chǎn)的僅有臺積電,明年三星才會加入 7 納米生產(chǎn),而英特爾光是 10 納米的工藝技術(shù)就一直難產(chǎn),一延再延,可以想見半導(dǎo)體工藝技術(shù)未來的發(fā)展,連技術(shù)巨擘如英特爾都顯露出吃力的樣子,何況別人?


GlobalFoundries 原本就是 AMD 分拆出來的晶圓代工廠,原本的計劃是,AMD 的 7 納米產(chǎn)品是委由臺積電和 GlobalFoundries 兩家代工生產(chǎn),不過,之前就傳出 GlobalFoundries 的 7 納米開發(fā)進(jìn)度恐跟不上,因此 AMD 的 CPU 芯片和 GPU 芯片代工訂單都轉(zhuǎn)到臺積電。


芯片巨頭宣告不玩高端技術(shù) 中芯會是一個闖關(guān)勇者?


如今 GlobalFoundries 確認(rèn)退出 7 納米技術(shù)的開發(fā),臺積電是大贏家,獨吃 AMD 的 CPU 芯片和 GPU 芯片代工訂單。AMD也在周一宣布所有的 7 納米產(chǎn)品都交由臺積電代工。


超微 CTO Mark Papermaster 表示,7 納米是超微下一個里程碑,包含 7 納米 Vega 繪圖晶片、 7 納米Rome 伺服器處理器,以及 7 納米的 Zen 2 處理器、 Navi 繪圖晶片等都交由臺積電代工,目前已與臺積電合作完成數(shù)個 7 納米的流片(tape-out),初步結(jié)果很令人滿意。


不過,AMD 和 GlobalFoundries 雖然不合作 7 納米工藝,仍會 14 納米和 12 納米的產(chǎn)品線上持續(xù)合作。


7 納米戰(zhàn)局剩三家大廠關(guān)起門來玩,中國大陸是否加入值得關(guān)注


GlobalFoundries 和聯(lián)電相繼退出 7 納米技術(shù)大戰(zhàn)后,該戰(zhàn)局成為英特爾、臺積電、三星三家半導(dǎo)體大廠的閉門游戲,不過,關(guān)于全球 7 納米戰(zhàn)局,未來還埋了一個巨大變數(shù),這個變數(shù)的所在地位就在中國大陸。


中芯國際日前才宣布 14 納米FinFET 技術(shù)開發(fā)成功,同時透露會朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā),若中芯國際一舉朝 7 納米前進(jìn),將會成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商。


行業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,中芯國際在 14 納米 FinFET 技術(shù)開發(fā)成功后,往下究竟是規(guī)劃 10 納米?7 納米?或是介于中間的工藝技術(shù)?盡管目前公司尚未透露,但相信中芯國際未來在 7 納米工藝上不會缺席。


GlobalFoundries 的新首席執(zhí)行官 Tom Caulfield 上任后,有很多政策性的改變,日前才宣布裁員,以及中國成都 12 寸晶圓廠要開放合作伙伴入股,現(xiàn)在又宣布終止 7 納米工藝技術(shù)的開發(fā),一切的布局都是朝“cost down”進(jìn)行。


GlobalFoundries 表示,公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源集中在 14 納米和 12 納米 FinFET 平臺和服務(wù)客戶,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新 IP 及功能,基于戰(zhàn)略調(diào)整,將擱置 7 納米 FinFET 項目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案。


GlobalFoundries 進(jìn)一步表示,在裁減相關(guān)人員的同時,一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到 14 納米和 12 納米 FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。


GlobalFoundries 也正在建立獨立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的 ASIC 業(yè)務(wù)全資子公司,該獨立 ASIC 實體將為客戶提供 7 納米及以下的晶圓代工替代選項,讓 ASIC 業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司。


隨著聯(lián)電、GlobalFoundries 相繼退出 7 納米技術(shù)開發(fā),反映高端技術(shù)的投資回報率回收不易,以及高端技術(shù)門檻難以跨越,沒有把握的人只能放棄。


未來的芯片戰(zhàn)局是英特爾、臺積電、三星呈現(xiàn)三強鼎立,而晶圓代工戰(zhàn)局是臺積電、三星捉對廝殺,這種封閉式戰(zhàn)局會讓戰(zhàn)況更升溫、更為緊張,彼此不能出一個差錯、不錯掉一個拍子,不然會給對手坐大的機(jī)會,有沒有新加入者會進(jìn)來打破這恐怖平衡的局勢?會是中芯國際嗎?這一切,值得持續(xù)關(guān)切注意。

來源:DeepTech深科技

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