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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網,關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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行業(yè)動態(tài):中芯1.2億美元下單最先進EUV光刻機,后續(xù)還得解決這些問題

時間: 2018-05-18
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據知情人士透露,中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經訂購了一臺EUV設備,在中美兩國貿易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場領先者的技術差距,確保關鍵設備的供應。EUV是當前半導體產業(yè)中最先進也最昂貴的芯片制造設備。

中芯國際的首臺EUV設備購自荷蘭半導體設備制造商ASML,價值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場領導者兩到三代,此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導體制造技術的雄心壯志,也保證了在最先進的光刻設備方面的供應。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買該設備,以確保在此后的先進工藝中能制造性能更強大、設計更領先的芯片。

目前,臺積電、英特爾、三星等公司都訂購了ASML的EUV設備。據供應鏈消息人士透露,臺積電今年已預訂了多達10臺該設備,三星預訂了大約6臺,英特爾在今年則預計需要3臺,全球第二大代工廠格芯也預訂了一臺。ASML在4月中旬的財報中表示,計劃在今年內出貨20臺EUV設備,但沒有指明采購者詳情。

知情人士透露,中芯國際是在4月份美國宣布對中興制裁的第二天下的訂單。他表示,中芯國際購買該價格不菲的設備獲得了來自政府背景基金的部分資助,這臺EUV設備成本與中芯去年的凈利潤1.264億美元大致相當。消息顯示,中芯預定的EUV預計在2019年初交付。

長期以來,中國進口前沿芯片制造設備一直受到限制。業(yè)內皆知的瓦森納協(xié)定是一種建立在自愿基礎上的集團性出口控制機制,涵蓋出口可能具有軍事用途的技術,這些限制是合理的, 但是公司可以免除這些限制。ASML的一位發(fā)言人對日經記者表示,公司對待包括中國在內的全球客戶都是一視同仁的,根據瓦森納協(xié)議向中國客戶出售EUV設備沒有限制。但是他拒絕對中芯國際、臺積電、三星等公司的訂單作出評論。中芯國際也未立即回應日經的置評請求。

一位接近中芯的業(yè)內人士對集微網表示,1.2億美元的價格和2019年的交付時間可能不太準確,但是下了訂單是確實的。他表示,如果真的是1.2億美元的話,臺積電、三星拿到設備的價格可能都不會比這個更低了。也就是說,這個價格已經算是很便宜了。

雖然目前中芯國際14nm取得飛速進展,但是進一步邁進7nm還有較大距離。上述業(yè)內人士表示,中芯國際對未來先進工藝做儲備是意料之中的,也證明該公司對未來發(fā)展的路徑非常清晰。他指出,EUV這種新型的光刻設備還未經過大規(guī)模量產的檢驗,而且成本極高,因此ASML對設備更新?lián)Q代的周期相對會較長。此時中芯國際若能成功購買到EUV設備,也能爭取到更多的學習時間。而且取得設備只是硬件前提,后面還有一系列制造工藝流程、良率等軟性條件,以及在設計上是否有芯片設計企業(yè)合作等方面都會面臨更大挑戰(zhàn)。

半導體行業(yè)專家莫大康對集微網表示,中芯有錢提前布局7nm是件好事,由于EUV光刻與之前的193nm不同,從原理到配套是個產業(yè)鏈,包括如EUV光刻膠、掩膜、pellicle、檢測設備等。目前該設備實用性方面還有一些問題,例如光源連250瓦都還穩(wěn)定不了,所以需要做許多配套工作。對于中芯來說,要從人員培訓開始,正好是個學習機會,等中芯能做7nm可能至少5年以上,還趕得上。他強調,1.2億美元,加上配套是個大投資,是為研發(fā)作好準備。在沒有拿到貨之前,尚不能說ok,因為設備的出口許可證,不是ASML說了算,還要聽美國的。

全球領先芯片制造商競搶EUV

中國和美國目前正在就貿易問題談判,美國總統(tǒng)特朗普在上周日晚間的推文中似乎透露出關于此前對中興禁售的決定發(fā)生了180度的轉變。目前劉鶴副總理一行于5月15日至19日赴美訪問,同美方經濟團隊繼續(xù)就兩國經貿問題進行磋商。

但即便特朗普扭轉美國對中興的禁令,在雙方舉行新一輪貿易談判前釋出善意,先前對中興的嚴厲打擊舉措也已使中國明確地意識到,中國需要盡快推動自主芯片技術的發(fā)展,以減少對國外的過度依賴。

EUV對于未來芯片技術的發(fā)展至關重要,并一直被視為摩爾定律的救星。1965年提出的摩爾定律,隨著工藝演進,晶體管尺寸縮微越來越困難,在近年來越來越多人擔心它將走到盡頭。該光刻設備采用波長為13.5nm的極紫外光源,相比于現(xiàn)在主流光刻機用的193nm光源,新的EUV光源能給硅片刻下更精細的溝道,從而能在芯片上集成更多的晶體管,繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。

領先的幾家芯片制造商仍在努力安裝和測試EUV設備,由于還沒有成功生產這一先進工藝芯片(7nm以下)的經驗,仍有很多挑戰(zhàn)需要克服。

拓璞產業(yè)研究院的分析師Lin Jian-hung指出,如果成功安裝,EUV掃描機可以幫助縮短芯片生產周期,并替代一些先進制程上非常復雜的工藝。但同時該設備也要求許多新材料的支撐,并且還需要通過許多測試。

目前,蘋果iPhone X和iPhone 8系列的核心處理器采用了臺積電的10nm工藝,今年新款iPhone的處理器預計將采用7nm工藝。工藝尺寸越小,開發(fā)越昂貴且難度越大,當然芯片性能也越強大。行業(yè)共識認為,更尖端的芯片制造工藝將小于5nm,并且必須使用EUV才能實現(xiàn)。

中芯國際在制造工藝方面大約比臺積電、三星和英特爾落后兩到三代。三星是全球最大的內存芯片制造商,而英特爾在個人電腦和服務器微處理器領域占據主導地位。目前中芯國際仍在努力改進自己的28nm工藝,去年梁孟松加盟使其14nm工藝研發(fā)進程提速不少。三星和臺積電則正在7nm領域展開競爭。

一位業(yè)內人士表示,中芯國際的努力表明,盡管費用高昂而且可能需要多年時間才能趕上行業(yè)領先者,它仍將在半導體技術方面繼續(xù)投資,購買這樣昂貴的設備并不能保證中芯國際芯片制造技術順利取得進展,但至少表明了這一承諾。

在中芯國際剛發(fā)布的第一季度財報中,公司實現(xiàn)營收8.31億美元,不含技術授權收入的銷售額為7.23億美元,毛利率為26.5%,去年同期為27.8%;凈利潤2937.7萬美元,同比下降57.9%。中芯聯(lián)合首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事趙海軍透露,公司今年將全年資本支出從19億美元上調至23億美元,用于先進制程的研發(fā)、設備開支以及擴充產能。

他預測未來幾年中國芯片設計廠商數(shù)量將繼續(xù)以每年20%的速度增長,中芯作為本土的晶圓代工廠處于有利地位,能夠抓住有潛力的市場,并通過加速公司制造工藝的發(fā)展來擴大可預期的市場空間。 (出自:集微網


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