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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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華林科納(江蘇)CSE關(guān)注新聞——硅晶圓前五大供貨商全球市占率達(dá)92%

時(shí)間: 2017-04-25
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導(dǎo)讀:?目前全球硅晶圓已集中在前五大供貨商手中,包括信越半導(dǎo)體、勝高、臺(tái)灣的環(huán)球晶、德國的Silitronic、南韓LG等,全球市占率達(dá)92%,其中勝高是臺(tái)積電最大供貨商,其次是信越,但信越全球市占高達(dá)27%,略高于勝高的26%,預(yù)料在二大硅晶圓廠下半年采取溫和漲價(jià)下...


全球前二大半導(dǎo)體硅晶圓廠信越半導(dǎo)體和日本勝高(SUMCO)達(dá)成默契,下半年硅晶圓漲幅僅一成,遠(yuǎn)低于市場傳言的三成,跌破市場眼鏡。

此外,勝高也與臺(tái)積電議定四年的供應(yīng)長約,約定漲幅不會(huì)超過四成,凸顯面臨硅晶圓供不應(yīng)求的情況,全球市占超過五成的日本二大半導(dǎo)體硅晶圓廠決定維持溫和調(diào)漲,不希望急漲讓部分停產(chǎn)的小廠死灰復(fù)燃。

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這也是硅晶圓在連二季大漲后,主要供應(yīng)大廠在價(jià)格策略踩煞車,對近期市場傳出下半年再漲三成,且明年再漲一倍的傳言,澆了一盆冷水。

臺(tái)積電最大硅晶圓供貨商日本勝高,證實(shí)對臺(tái)積電硅晶圓供應(yīng)價(jià)格不會(huì)如外傳般狂飆,而會(huì)采取溫和且保證長期供應(yīng)穩(wěn)定,不會(huì)恣意漲價(jià)。

半導(dǎo)體業(yè)者表示,全球硅晶圓過去因長期處于供過于求,不堪嚴(yán)重虧損,部分業(yè)者逐步停產(chǎn)或出售,例如環(huán)球晶近幾年就相繼收購日本CVS和美國的半導(dǎo)體硅晶圓廠。

但前年半導(dǎo)體硅晶圓逐趨供需平穩(wěn),前年下半年一度試著漲價(jià),但短暫調(diào)漲一季后就沉寂。

去年下半年,市場擔(dān)心中國大陸晶圓廠產(chǎn)能開出后硅晶圓恐缺貨,因此大量屯積貨源,導(dǎo)致供需產(chǎn)生缺口,甚至連測試片都缺貨,導(dǎo)致今年首季主要供應(yīng)大廠調(diào)漲硅晶圓售價(jià)10%到15%,環(huán)球晶圓等本季更擴(kuò)大漲幅至20%。

不過,近期法人密集拜會(huì)中芯、勝高、信越都表示,硅晶圓漲幅不會(huì)如外傳般大,會(huì)采取溫和漲價(jià)。

對于中國大陸高達(dá)十多座12吋晶圓廠將陸續(xù)產(chǎn)出,大陸主要供應(yīng)12吋晶圓的新升半導(dǎo)體現(xiàn)正著手?jǐn)U大產(chǎn)出,似乎也不想硅晶圓供貨遭日商控制。

目前全球硅晶圓已集中在前五大供貨商手中,包括信越半導(dǎo)體、勝高、臺(tái)灣的環(huán)球晶、德國的Silitronic、南韓LG等,全球市占率達(dá)92%,其中勝高是臺(tái)積電最大供貨商,其次是信越,但信越全球市占高達(dá)27%,略高于勝高的26%,預(yù)料在二大硅晶圓廠下半年采取溫和漲價(jià)下,這波硅晶圓漲勢,將趨收斂。

業(yè)者:硅晶圓溫溫漲有利產(chǎn)業(yè)

半導(dǎo)體硅晶圓廠縮減下半年漲幅,讓晶圓代工廠臺(tái)積電等大廠松了一口氣。不過硅晶圓采取溫漲價(jià)策略,其實(shí)有助產(chǎn)業(yè)更趨于健康。

半導(dǎo)體業(yè)者分析,日商二大晶圓廠不想趁晶圓供需失衡,坐地起價(jià),除了考量市場并非寡占,各家都想多從對手中多獲取更多市占。

例如這波缺貨中,信越半導(dǎo)體就想增加對臺(tái)積電硅晶圓的供應(yīng)量,因此不愿漲幅過大,因而牽制勝高的漲價(jià)行動(dòng),勝高也乘勢與臺(tái)積電簽訂長約,鞏固長期合作。

臺(tái)積電目前是全球半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊,硅晶圓用量居臺(tái)廠之冠,長期以來硅晶圓采購也都維持分散原則。

不過,硅晶圓廠強(qiáng)調(diào),這波硅晶圓漲價(jià),硅晶圓占臺(tái)積電等晶圓代工廠成本也只不過才5~6%,相較過去在90納米世代,一片硅晶圓賣價(jià)200美元,硅晶圓占制造成本近10%,今年硅晶圓漲價(jià)對晶圓制造廠,尤其是先進(jìn)制程占比高的臺(tái)積電,增加的成本有限,也是業(yè)者認(rèn)為在缺貨問題到明年未能解決下,還有再漲的空間。

業(yè)者估計(jì),今年硅晶圓上半年漲幅30%,下半年雖然漲幅收斂,但估計(jì)今年漲幅也達(dá)40%,對剛收購美商SunEdison半導(dǎo)體事業(yè)的環(huán)球晶圓是最大的利多。

環(huán)球晶圓原本市占僅7%,收購SunEsison半導(dǎo)體部門后,全球市占躍升至17%,成為全球第三大供應(yīng)商,未來也有機(jī)會(huì)切入臺(tái)積電、三星、IBM及英特爾的供應(yīng)鍵,加上硅晶圓漲價(jià),讓環(huán)球晶圓原本預(yù)定收購SunEdison可能得花二年時(shí)間才能損平,有機(jī)會(huì)在今年提前達(dá)陣。

硅晶圓廠建議簽長約,代工廠競爭加劇

全球半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大,近期業(yè)界傳出硅晶圓龍頭供應(yīng)商信越半導(dǎo)體,已向臺(tái)積電、聯(lián)電提議簽三年長約,以確保客戶未來料源供貨無虞,甚至信越透露包括英特爾(Intel)、GlobalFoundries(GF)兩家美系半導(dǎo)體大廠,均已同意簽長約,將這一波硅晶圓搶產(chǎn)能戲碼推至高潮,但亦將讓未來幾年晶圓代工價(jià)格戰(zhàn)火更劇烈。

半導(dǎo)體業(yè)者指出,過去硅晶圓廠虧損累累,不愿新增產(chǎn)能,近幾年高階製程熱潮崛起,對硅晶圓規(guī)格要求拉高,可提供10、7納米規(guī)格硅晶圓的業(yè)者寥寥可數(shù),讓高階製程硅晶圓變成洛陽紙貴,加上全球瘋狂擴(kuò)產(chǎn)3D NAND Flash,以及大陸半導(dǎo)體12吋廠擴(kuò)建潮,更讓全球硅晶圓陷入瘋狂缺貨窘境,漲價(jià)潮從12吋硅晶圓蔓延至8、6吋硅晶圓,每季都有約10%漲幅。

目前硅晶圓最大供應(yīng)商就是信越,業(yè)界透露近期信越終于發(fā)動(dòng)攻勢,對于全球主要半導(dǎo)體客戶發(fā)出邀請函,信越強(qiáng)調(diào)將全力增加硅晶圓產(chǎn)能,但希望客戶能以行動(dòng)支持,簽下三年的產(chǎn)能保障供貨合約,并提出一定數(shù)量的產(chǎn)能和價(jià)格作保護(hù)。

半導(dǎo)體業(yè)者表示,臺(tái)積電和聯(lián)電已開始評估是否簽此長約,且信越為讓兩家大廠點(diǎn)頭,透露英特爾、GlobalFoundries已同意簽約,這代表未來三年英特爾和GlobalFoundries將可掌握足夠的硅晶圓來擴(kuò)增高階製程,甚至發(fā)動(dòng)價(jià)格戰(zhàn),引爆另一波搶奪晶圓代工市佔(zhàn)戰(zhàn)火。

信越將新增的產(chǎn)能主要是10、7、5納米12吋硅晶圓產(chǎn)能,針對高階智慧型手機(jī)應(yīng)用,放眼全球硅晶圓廠,其他供應(yīng)大廠如Sumco、德國Wacher旗下Siltronic等,恐怕都沒有本錢跟進(jìn),但未來不排除會(huì)效法信越簽長約方式,來綁住主要客戶。

未來三年若信越的硅晶圓主要產(chǎn)能,都被臺(tái)積電、聯(lián)電、英特爾、GlobalFoundries等大廠鎖住,信越能提供其他半導(dǎo)體陣營、甚至是大陸半導(dǎo)體廠的產(chǎn)能將減少,恐讓硅晶圓供給吃緊的時(shí)間點(diǎn)拉長,其他客戶亦會(huì)追價(jià)爭搶剩馀的料源。

半導(dǎo)體業(yè)者指出,自從2016年第4季硅晶圓嚴(yán)重缺貨以來,業(yè)界便在猜測誰會(huì)開出簽長約的第一槍,結(jié)果如預(yù)期是由信越發(fā)動(dòng)攻勢,且時(shí)間點(diǎn)提前不少,代表這家龍頭廠已看到未來幾年硅晶圓缺口將持續(xù)擴(kuò)大,并提前備戰(zhàn),進(jìn)一步甩開競爭對手的追趕。

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