華力微基于SONOS的55納米閃存試產(chǎn)

日前，賽普拉斯與華力微共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS （氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器（MCU）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的理想選擇。2017年下半年，華力的客戶即可采用該技術(shù)和設(shè)計(jì)IP進(jìn)行全面量產(chǎn)。

高性能氧化銥/鉑納米錐復(fù)合鍍層提高神經(jīng)電極電刺激性能

近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院醫(yī)工所微納中心研究員吳天準(zhǔn)及其研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出一種具有納米結(jié)構(gòu)的高性能氧化銥／鉑納米錐復(fù)合鍍層。這種高性能復(fù)合鍍層有效解決了隨著電極陣列化和集成化帶來(lái)的高電化學(xué)阻抗、低電荷存儲(chǔ)能力及低電荷注入能力的問(wèn)題，并顯著提高了神經(jīng)電極的電刺激性能。相關(guān)研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes（《鉑納米錐上電沉積氧化銥在改善神經(jīng)刺激電極中的應(yīng)用》）已在線發(fā)表于電化學(xué)期刊ElectrochimicaActa。同時(shí)該工作的階段性成果被IEEE NEMS 2017收錄，并入圍最佳會(huì)議海報(bào)獎(jiǎng)（Finalist of best conference poster award）。

工藝升級(jí)16nm 兆芯處理器性能每年增長(zhǎng)30%

提到X86處理器，世人皆知Intel、AMD，殊不知還有個(gè)VIA（威盛），在Intel反壟斷世紀(jì)大戰(zhàn)中VIA公司作為Intel霸權(quán)的受害者也最終確認(rèn)了X86授權(quán)，不過(guò)VIA與前面兩家的實(shí)力相差太遠(yuǎn)，X86處理器業(yè)務(wù)早已退縮到少數(shù)低功耗產(chǎn)品中。威盛后來(lái)與上海政府基金成立了兆芯公司，這家公司一直以國(guó)產(chǎn)自主X86處理器為口號(hào)，目前的ZX-D系列處理器使用的還是上海華力微電子的國(guó)產(chǎn)28nm工藝，但是兆芯表示已經(jīng)尋求TSMC合作，明年將用上TSMC的16nm工藝。

在新一代產(chǎn)品上，Digitimes援引兆芯公司副總裁傅城博士稱兆芯ZX-E 8核處理器將與TSMC合作，制程工藝升級(jí)到16nm，預(yù)計(jì)在2018年大規(guī)模量產(chǎn)。

PS：Digitimes這篇報(bào)道實(shí)際上“舊聞”了，兆芯宣稱下代CPU使用TSMC 16nm工藝的新聞在上月中就已經(jīng)傳遍了，而且除了制程工藝從40nm、28nm到16nm之外，兆芯還提過(guò)12nm工藝。此外，關(guān)于處理器性能，兆芯也表示旗下處理器每年有望實(shí)現(xiàn)30%的性能增長(zhǎng)。

12寸晶圓需求為SOI工藝制程爆發(fā)鋪平道路

中國(guó)至少已浮出三家晶圓廠將采用SOI工藝先進(jìn)制程。根據(jù)MarketsandMarkets 最新預(yù)估，SOI市場(chǎng)在2022年市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)18.6億美元，2017-2022年期間平均復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)29.1%。其中，亞太區(qū)晶圓廠將是主力客戶。

高通為什么開撕蘋果：iPhone 8s要用自研4G基帶

在iPhone 7上，蘋果做了一個(gè)很大的調(diào)整，也正是這個(gè)舉動(dòng)讓他們跟高通開始鬧得越來(lái)越不愉快。

前不久，蘋果把高通告上了法庭，其訴訟高通征收過(guò)高的專利費(fèi)，這是不平等行為，隨后高通進(jìn)行了還擊，認(rèn)為蘋果利用自己行業(yè)壟斷地位，對(duì)他們進(jìn)行嚴(yán)重剝削。

這一切的根源還要從頭說(shuō)起，iPhone 7上有很少的一部使用的是英特爾基帶（XMM7360），很顯然這是蘋果故意而為之，因?yàn)槭褂玫挠⑻貭柣鶐啾雀咄ㄐ阅芤詈芏?，但是蘋果采取了對(duì)高通基帶性能限制，這樣兩者就處于同一水平了。?

蘋果想要避免高通在iPhone基帶上的壟斷地位，于是硬拉英特爾上馬，但是后者也只是墊背的，因?yàn)檫@一切的一切都是他們自己設(shè)好的局。

現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)爆料達(dá)人在微博上給出消息稱，蘋果的基帶項(xiàng)目已經(jīng)做了5、6年了，下半年會(huì)有產(chǎn)品出樣，2018年就準(zhǔn)備改用自己研發(fā)的4G基帶了。

看到這里是不是恍然大悟，蘋果拉入英特爾入局，顯然是在為自研基帶做準(zhǔn)備，而之前蘋果還拋出了自研GPU、電源管理芯片的動(dòng)作，其都是想再說(shuō)一件事，重要芯片將會(huì)越來(lái)越采取自研形式，基帶如此重要的部件，蘋果必然不能防過(guò)。

我國(guó)石墨烯微型超級(jí)電容器件技術(shù)研究獲進(jìn)展

近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所二維材料與能源器件研究組研究員吳忠?guī)泩F(tuán)隊(duì)利用紫外光還原氧化石墨烯技術(shù)，一步法實(shí)現(xiàn)了氧化石墨烯的還原與石墨烯圖案化微電極的構(gòu)筑，批量化制備出不同構(gòu)型的微型超級(jí)電容器。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACS Nano（DOI：10．1021／acsnano．7b01390）上。