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發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ皆O(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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行業(yè)新聞：保利協(xié)鑫1.5億美元收購美國光伏材料鼻祖SunEdison

時(shí)間: 2017-04-06
點(diǎn)擊次數(shù): 203

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日前，H股光伏“龍頭”保利協(xié)鑫正式對外宣布，該公司已于美國時(shí)間3月31日，成功完成了對美國SunEdison的收購案。而SunEdison曾是全球最領(lǐng)先的清潔能源資產(chǎn)公司之一。

早在去年8月份，保利協(xié)鑫就曾對外公布，該公司與美國SunEdison各公司簽署了協(xié)議，保利協(xié)鑫將以1.5億美元的全現(xiàn)金方式收購SunEdison及其附屬公司SunEdison Products Singapore、MEMC Pasadena和Solaicx的部分技術(shù)和資產(chǎn)。

但彼時(shí)這項(xiàng)收購還存在較多不確定性，其中包括有無其他出價(jià)競爭，以及美國破產(chǎn)法院的裁決、美國司法部反壟斷局、聯(lián)邦貿(mào)易委員會、美國外國投資委員，以及中國商務(wù)部和新加坡相關(guān)部門的審查結(jié)果。

而今，保利協(xié)鑫宣布完成了對美國SunEdison的收購案，則意味著上述障礙已被逐一跨越。

完善硅烷流化床產(chǎn)業(yè)鏈

值得一提的是，與預(yù)案不同，此番保利協(xié)鑫并未收購了韓國SMP股權(quán)。在業(yè)內(nèi)人士看來，“這是專注于技術(shù)收購。例如，其未收購美國及韓國的現(xiàn)有制造工廠和生產(chǎn)線，只是接收美國的技術(shù)及研發(fā)人員，也不承擔(dān)韓國項(xiàng)目的債務(wù)?！?/p>

如此一來，保利協(xié)鑫收購SunEdison，將獲得電子級硅烷流化床顆粒硅技術(shù)及資產(chǎn)、第五代CCZ連續(xù)直拉單晶技術(shù)及資產(chǎn)、包含相關(guān)設(shè)備及知識產(chǎn)權(quán)等“干貨”。

其中，針對電子級硅烷流化床顆粒硅技術(shù)，保利協(xié)鑫相關(guān)人士認(rèn)為，“盡管國內(nèi)晶硅生產(chǎn)企業(yè)大都還在采用傳統(tǒng)的西門子改良技術(shù)，但未來肯定會被更先進(jìn)的硅烷流化床技術(shù)取代”。

而硅烷流化床顆粒硅技術(shù)正是SunEdison附屬公司MEMC Pasadena公司開發(fā)的技術(shù)。業(yè)界普遍看好流化床技術(shù)，被認(rèn)為是最有希望大幅度降低多晶硅以及單晶硅成本的新技術(shù)。

材料行業(yè)專家表示，相比傳統(tǒng)的西門子改良生產(chǎn)技術(shù)，硅烷流化床技術(shù)有兩大突出好處。協(xié)鑫選擇的硅烷流化床法承接了改良西門子法的三氯氫硅原料，利用了改良西門子法的部分工藝段，比改良西門子法流程大幅度縮短，完全反應(yīng)很少副產(chǎn)物，這一方面大大節(jié)省能耗，硅烷流化床全程耗電在25度以下，是現(xiàn)有最好的西門子改良技術(shù)的35%左右；大幅度降低成本，是現(xiàn)有最好的西門子改良技術(shù)的一半。

事實(shí)上，早在此前，保利協(xié)鑫已從2013年開始，在改良西門子法多晶硅技術(shù)基礎(chǔ)上投入硅烷流化床新工藝，其萬噸硅烷和3000噸流化床項(xiàng)目于2015年投入試生產(chǎn)。

布局高效N型單晶

2015年5月份，保利協(xié)鑫旗下成立寧夏協(xié)鑫晶體科技發(fā)展有限公司，從2016年第一季度開始生產(chǎn)單晶硅片。不過，保利協(xié)鑫并不愿在普通直拉單晶上進(jìn)行重復(fù)投資，而是潛心于高效N型單晶。其中，以鑄錠單晶替代普通單晶，“經(jīng)客戶驗(yàn)證，鑄錠單晶硅片的轉(zhuǎn)化效率和直拉單晶相當(dāng)，但卻顯著降低了生產(chǎn)的能耗成本。而協(xié)鑫也可以根據(jù)市場對單多晶硅片的需求，只需要對現(xiàn)有鑄錠設(shè)備加以熱場改造，便可實(shí)現(xiàn)?！毕嚓P(guān)業(yè)內(nèi)人士向記者介紹。

而此番保利協(xié)鑫通過收購SunEdison而獲取的其獨(dú)有技術(shù)——第五代CCZ連續(xù)直拉單晶技術(shù)，可使晶體效率分布更均勻且產(chǎn)量更大?！爸暗闹崩夹g(shù)中，一根硅棒約可拉出2米多，后來也嘗試了多次加料，但不是連續(xù)的，而新技術(shù)采用后，一個坩堝中可連續(xù)拉2—3根棒，每根硅棒長達(dá)4米多，可連續(xù)加料連續(xù)提拉，成本將大幅下降，晶體生產(chǎn)的轉(zhuǎn)化率也更高。”上述業(yè)內(nèi)人士稱。

保利協(xié)鑫的公告中稱，收購能夠“大幅改善其單晶錠生產(chǎn)的拉晶效率和質(zhì)素”，如果這一技術(shù)能夠量化為產(chǎn)能，那么保利協(xié)鑫單晶硅生產(chǎn)的成本優(yōu)勢就能顯現(xiàn)。而做為業(yè)務(wù)主力的多晶硅片也通過全面導(dǎo)入金剛線切大幅度降低成本，再次拉開市場上普通P型單晶技術(shù)的差距，實(shí)現(xiàn)單多晶并舉，進(jìn)一步鞏固提升其光伏原料龍頭地位。

公開資料顯示，SunEdison原名MEMC，曾是美國太陽能巨頭、全球最大潔凈能源開發(fā)商。該公司始創(chuàng)于1959年，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及光伏行業(yè)硅材料的鼻祖之一。該公司長期為全球領(lǐng)先光伏組件企業(yè)提供多晶硅原料、硅片等產(chǎn)品，并于2010年逐漸向光伏電站開發(fā)領(lǐng)域拓展。因進(jìn)入電站開發(fā)領(lǐng)域后過度擴(kuò)張?jiān)斐山?jīng)營不善，該公司于2016年4月19日正式遞交Chapter11破產(chǎn)保護(hù)申請進(jìn)入破產(chǎn)重整階段。

反觀保利協(xié)鑫，2016年，保利協(xié)鑫共生產(chǎn)多晶硅69345公噸，銷量9951公噸；共生產(chǎn)硅片17.33GW，銷量17.52GW。其中多晶硅產(chǎn)品全球市占率約23%，硅片產(chǎn)品全球市占率約30%左右，均列全球第一。在業(yè)界看來，保利協(xié)鑫的業(yè)績完全能夠支撐這場并購，而SunEdison恰好進(jìn)入破產(chǎn)重整階段，又為這場并購的成功完成提供了絕佳的機(jī)遇。?出自：證券日報(bào)

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