?半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊
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2017年我國將調(diào)整集成電路等進出口關(guān)稅
據(jù)財政部發(fā)布消息，經(jīng)國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會審議通過，并報經(jīng)國務(wù)院批準，自2017年1月1日起，我國將調(diào)整部分商品的進出口關(guān)稅。
據(jù)介紹，明年關(guān)稅調(diào)整將秉承創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展的理念，繼續(xù)鼓勵國內(nèi)亟需的先進設(shè)備、關(guān)鍵零部件和能源原材料進口，以進口暫定稅率方式降低集成電路測試分選設(shè)備、飛機用液壓作動器、熱裂解爐等商品的進口關(guān)稅。
為豐富國內(nèi)消費者的購物選擇，還將降低金槍魚、北極蝦、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消費品的進口關(guān)稅。為回應(yīng)國民對醫(yī)療和健康的關(guān)注，降低生產(chǎn)抗癌藥所需的紅豆杉皮和枝葉、治療糖尿病藥所需阿卡波糖水合物的進口關(guān)稅。
為充分發(fā)揮關(guān)稅對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的保護作用，明年對此前實行暫定稅率的丙烯酸鈉聚合物、具有變流功能的半導(dǎo)體拈等商品的進口關(guān)稅稅率進行相應(yīng)調(diào)整。明年還將取消氮肥、磷肥和天然石墨等商品的出口關(guān)稅，適當降低三元復(fù)合肥、鋼坯等商品的出口關(guān)稅。
為擴大雙邊、多邊經(jīng)貿(mào)合作，加快實施自由貿(mào)易區(qū)戰(zhàn)略，明年我國將繼續(xù)對原產(chǎn)于25個國家或地區(qū)的部分進口商品實施協(xié)定稅率，其中需進一步降稅的有中國與韓國、澳大利亞、新西蘭、秘魯、哥斯達黎加、瑞士、冰島、巴基斯坦的自貿(mào)協(xié)定；商品范圍和稅率水平均維持不變的有中國與新加坡、東盟、智利的自貿(mào)協(xié)定，以及亞太貿(mào)易協(xié)定；同時，內(nèi)地分別與港澳的更緊密經(jīng)貿(mào)安排（CEPA）將適當增加實施零關(guān)稅的商品范圍，海峽兩岸經(jīng)濟合作框架協(xié)議（ECFA）的商品范圍和稅率維持不變。
2016年9月，我國實施了部分信息技術(shù)產(chǎn)品的最惠國稅率首次降稅，這一優(yōu)惠將在明年上半年繼續(xù)實施，并于明年7月1日起啟動第二次降稅。2017年，我國還將繼續(xù)以進口暫定稅率方式執(zhí)行APEC環(huán)境產(chǎn)品降稅承諾，并繼續(xù)給予有關(guān)最不發(fā)達國家零關(guān)稅待遇。
此外，2017年我國還將對進出口稅則稅目進行調(diào)整，調(diào)整后的稅目總數(shù)將增加至8547個，稅目結(jié)構(gòu)將更加符合國際貿(mào)易發(fā)展的實際需要。（出自：新華網(wǎng)）
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硅晶圓明年調(diào)漲價格10％
暌違8年，半導(dǎo)體矽晶圓（silicon wafer）終于再度“漲”聲響起！矽晶圓廠上周與臺灣半導(dǎo)體廠敲定明年第一季12寸矽晶圓合約價，是近8年首度漲價，平均漲幅約10％，20奈米以下先進制程矽晶圓更是一口氣大漲10美元，環(huán)球晶、臺勝科成為最大受惠者。
由于近幾年矽晶圓廠均無擴產(chǎn)計劃，現(xiàn)有產(chǎn)能無法足額供貨，且預(yù)期大陸晶圓廠龐大需求將在明年下半年浮現(xiàn)，而新建矽晶棒鑄造爐至少要一年以上時間。在此一供需環(huán)境，業(yè)界對第明年二季合約價續(xù)漲已有共識，下半年價格漲幅恐將再擴大，部份半導(dǎo)體廠更決定直接簽下一年長約。
包括環(huán)球晶、臺勝科等臺灣矽晶圓廠，崇越等矽晶圓代理商，及國外矽晶圓廠如SUMCO、信越等，上周陸續(xù)與臺灣半導(dǎo)體廠完成明年矽晶圓議價及簽訂新合約。業(yè)者表示，第一季雖然半導(dǎo)體市場淡季，但包括臺積電、聯(lián)電、力晶、南亞科等，均接受矽晶圓廠調(diào)漲價格。
據(jù)了解，12寸拋光矽晶圓（polished）原本合約均價為每片50～60美元，外延矽晶圓（epitaxial）為每片80美元，第一季均調(diào)漲10％幅度。20奈米以下高階矽晶圓原本合約均價約120美元，第一季已調(diào)漲10美元至130美元左右。
在這波矽晶圓漲價潮中，環(huán)球晶的表現(xiàn)最受法人青睞，因為環(huán)球晶看準市場即將供不應(yīng)求，搶在漲價前完成并購案，如今已是全球第三大矽晶圓廠。
法人指出，環(huán)球晶2012年收購日商Covalent Silicon不到1年就虧轉(zhuǎn)盈，去年中決定并購SunEdison（SEMI）時曾一度被市場看衰，但現(xiàn)在卻將環(huán)球晶推上全球第三大矽晶圓廠，更迎接此波8年來首度漲價潮。（出自：工商時報）
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北方微電子單片退火系統(tǒng)進入14納米工藝驗證階段
近日，七星電子全資子公司北方微電子推出的Booster A630 plus 單片退火系統(tǒng)，成功進入中芯國際上海先進工藝生產(chǎn)線驗證。據(jù)悉，這是北方微電子繼NMC 612D硅刻蝕機之后，第二臺進入14納米工藝驗證階段的機臺。
目前，世界范圍內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進，工藝制程向更加精細化的方向發(fā)展，這對14納米工藝設(shè)備提出了更嚴苛的挑戰(zhàn)。隨著北方微電子28納米工藝設(shè)備陸續(xù)實現(xiàn)商用化，14納米工藝設(shè)備開發(fā)也取得了突破性進展。本次推出的Booster A630 plus 單片退火系統(tǒng)，在28納米技術(shù)基礎(chǔ)上，通過設(shè)計優(yōu)化，大幅提高了系統(tǒng)潔凈度，提升了機臺的可靠性。Booster A630 plus 單片退火系統(tǒng)具備雙模加熱、升溫速率高、溫度均勻性好及產(chǎn)能大等特點，工藝指標達到國際先進水平。
七星電子方面認為，公司作為中國集成電路高端裝備的先行者，將深耕發(fā)展，開拓創(chuàng)新，加快先進工藝設(shè)備的開發(fā)速度，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展作好裝備配套支撐。（出自：證券時報）
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海力士72 層3D NAND 內(nèi)存，傳2017年領(lǐng)先全球量產(chǎn)
SK 海力士最先進72 層3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
若按計劃進行，海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72 層3D NAND 的內(nèi)存廠。為順應(yīng)市場需求增溫，海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15 兆韓圜來增加DRAM 與NAND 內(nèi)存產(chǎn)能。
隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D 垂直方式堆疊內(nèi)存做突破，但制程技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013 年量產(chǎn)48 層3D NAND 內(nèi)存，至于64 層3D NAND 芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。
據(jù)市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 統(tǒng)計，三星第三季 NAND 內(nèi)存營收來到 37.44 億美元，市占率較前季進步 0.3 個百分點至 36.6%。東芝以 19.6% 位居第二，Western Digital、海力士與美光分居三、四、五名，市占率依序為17.1%、10.4% 與9.8%。（出自：MoneyDJ新聞）
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