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發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ皆O(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ?#160;設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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最新半導(dǎo)體行業(yè)新聞關(guān)注熱點

時間: 2016-12-10
點擊次數(shù): 189

?華林科納關(guān)注半導(dǎo)體業(yè)界動態(tài)

1. 北京君正擬126億收購豪威和思必科

12月1日，北京君正集成電路股份有限公司晚間發(fā)布公告稱，擬采用非公開發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買北京豪威科技有限公司100%股權(quán)、北京視信源科技發(fā)展有限公司100%股權(quán)以及北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司40.43%股權(quán)。本次交易作價共計約126.22億元，募集配套資金不超過21.55億元。北京君正認(rèn)為，收購?fù)瓿珊螅劳萍紝⒑退急瓤瞥浞职l(fā)揮協(xié)同作用。豪威科技將利用技術(shù)優(yōu)勢，結(jié)合思比科的成本控制能力，遏制市場內(nèi)中低端圖像傳感器芯片企業(yè)蠶食市場空間，能夠有效應(yīng)對價格沖擊。

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2. 廈門與中科院簽訂合作協(xié)議共建學(xué)院

11月30日，廈門市和中國科學(xué)院簽訂共建“中國科學(xué)院大學(xué)廈門微電子工程學(xué)院”暨“廈門微電子產(chǎn)業(yè)研究院”合作框架協(xié)議。中國科學(xué)院大學(xué)廈門微電子工程學(xué)院為中國科學(xué)院大學(xué)二級學(xué)院，主要培養(yǎng)工程高端型+實用型的復(fù)合型人才，將實行雙導(dǎo)師制(學(xué)院和企業(yè)各一名)。學(xué)院預(yù)計從2018年起開始招收研究生，學(xué)歷教育以工程學(xué)位為主。同時，將開展集成電路相關(guān)專業(yè)的本科三、四年級專業(yè)課程及項目實訓(xùn)教育。廈門微電子產(chǎn)業(yè)研究院是適應(yīng)廈門微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展及技術(shù)創(chuàng)新要求，集產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)和關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、企業(yè)孵化、技術(shù)服務(wù)及人才培養(yǎng)等于一體的新興研發(fā)組織。

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3. 紫光旗下新華三集團落戶合肥高新區(qū)

11月28日，新華三集團安全產(chǎn)品基地項目簽約儀式在合肥稻香樓賓館舉行。該項目主要從事云計算、大數(shù)據(jù)、核心芯片、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)、移動通信等核心領(lǐng)域的安全技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品銷售，未來將打造成為新華三集團大安全產(chǎn)品及解決方案的全球研發(fā)及銷售中心。該項目計劃總投資不低于20億人民幣，預(yù)計投產(chǎn)運營后當(dāng)年可實現(xiàn)銷售收入10億人民幣，并保持15%以上年增長率，到2025年可實現(xiàn)銷售收入過100億人民幣、稅收6億人民幣、集聚研發(fā)人員近1000人的目標(biāo)。

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4. 東莞IC產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值今年預(yù)計超15億

11月30日，為促進東莞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，加強大陸和臺灣集成電路產(chǎn)業(yè)區(qū)域交流，智博會系列活動之一“2016 DITis東莞市IT產(chǎn)業(yè)峰會暨集成電路高峰論壇”在松山湖凱悅酒店舉行。論壇發(fā)布了《東莞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》?！栋灼凤@示，東莞今年集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計約15.48億元?！栋灼吠嘎叮瑬|莞是全國最重要的電子信息制造業(yè)產(chǎn)地之一，云集了華為、OPPO、vivo等產(chǎn)業(yè)巨頭。智能手機、消費電子、智能裝備等領(lǐng)域的發(fā)展，催生了對集成電路巨大的市場需求。據(jù)業(yè)內(nèi)評估，2016年東莞IC應(yīng)用市場的規(guī)模達1000億元以上。

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5. 寧波時代全芯PCM項目舉行專場路演

11月29日，股權(quán)投資平臺云投行攜手寧波時代全芯，在深交所舉辦了以“全球半導(dǎo)體業(yè)步入新常態(tài)，迎全芯時代”為主題的寧波時代全芯相變存儲器(PCM)項目專場路演會。主要負責(zé)相變存儲技術(shù)的產(chǎn)品化研究、引進消化和在中國的產(chǎn)業(yè)化，其中包括：致力于相變存儲技術(shù)的引進、消化和二次開發(fā)，發(fā)展具有一批中國自主知識產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體存儲技術(shù)和專利，成為世界領(lǐng)先的新一代存儲技術(shù)的研發(fā)機構(gòu)；與國內(nèi)外的從事半導(dǎo)體存儲技術(shù)科研機構(gòu)開展技術(shù)合作，培養(yǎng)和培訓(xùn)中國本地的半導(dǎo)體存儲技術(shù)相關(guān)人才；建立自己生產(chǎn)工廠，生產(chǎn)最先進相變存儲芯片。

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6. 摩托羅拉將無限期推遲智能手表項目

12月2日，新浪科技訊，早在Android Wear 2.0延期發(fā)布的消息公布之前，華為、LG和摩托羅拉等合作伙伴就已宣布，今年不會推出新款智能手表。另，摩托羅拉也不會再推出搭載Android Wear 2.0的智能手表。摩托羅拉全球產(chǎn)品開發(fā)負責(zé)人、聯(lián)想移動集團的沙吉爾·巴卡特(Shakil Barkat)指出，市場上“沒有足夠的需求，以支撐新款智能手表的推出”。在摩托羅拉退出之后，谷歌在2017年初Android Wear 2.0發(fā)布時將失去一家長期以來的合作伙伴。另，智能手表廠商抱團取暖，傳Fitbit擬收購競爭對手Pebble。

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7. KAIST告三星、高通侵犯FinFET專利

12月1日，韓國媒體朝鮮日報、東亞日報報導(dǎo)，韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)專利管理子公司KAIST IP于11月30日向德州聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟，控告三星電子、高通(Qualcomm)和格羅方德(Global Foundries)擅自盜用其所擁有的“FinFET”技術(shù)專利，要求支付專利使用費。KAIST IP指出，“長期以來持續(xù)和三星就支付使用費一事進行協(xié)商，不過三星全面拒絕，導(dǎo)致協(xié)商破裂。且除了三星、高通和格羅方德之外，今后也計劃對臺積電、蘋果(Apple)提告”。

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8. 珠海艾派克39億美元完成收購美國利盟

11月30日，廣東省珠海市艾派克科技股份有限公司發(fā)布《關(guān)于重大資產(chǎn)購買完成交割的提示性公告》，宣布正式完成對美國利盟國際100%股權(quán)的收購，最終交易額為39億美元(約260億人民幣)。此次收購由艾派克及太盟投資集團(PAG)共同牽頭完成，并有聯(lián)想控股旗下的朔達投資參與，三大投資方出資比例分別為51.18%、42.9%和5.88%。艾派克主營業(yè)務(wù)包括集成電路芯片、通用打印耗材及核心部件和再生打印耗材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，占據(jù)國內(nèi)打印機耗材芯片市場龍頭地位。

（資料來源網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸“求是緣半導(dǎo)體”“所有，感謝原編輯）

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