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發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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電氣設(shè)備異質(zhì)結(jié)電池行業(yè)深度報告

時間: 2021-04-12
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1.2、異質(zhì)結(jié)電池工藝流程簡潔，擁有更高開路電壓：

異質(zhì)結(jié)的工藝流程更為簡潔，獨特工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO膜沉積。異質(zhì)結(jié)電池全稱為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer），又稱HIT、HJT或SHJ電池。其工藝流程十分簡潔，主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四道工序。與需要10余項流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工藝流程相當(dāng)簡潔。而且其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨特的工藝在于非晶硅薄膜沉積以及TCO膜沉積。

電氣設(shè)備異質(zhì)結(jié)電池行業(yè)深度報告?

從技術(shù)原理來看，HIT擁有更低的載流子復(fù)合速率和更低的接觸阻抗造就了更高的開路電壓。獲得更高開路電壓的兩個重要條件是避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，同時還要降低電阻促進(jìn)多數(shù)載流子更有效運輸。PERC技術(shù)由于其不可避免的開槽工藝造成了多子橫向輸運損耗，同時在開槽處金屬極與Si局域接觸仍然有較高的復(fù)合。而ITO薄膜（氧化銦錫薄膜，TCO薄膜中性能最好的材料）的特性是載流子復(fù)合速率高，但其接觸電阻率低，而非晶硅薄膜（a-Si:H）的特性是載流子復(fù)合速率低，但接觸電阻率高。異質(zhì)結(jié)電池中薄膜沉積的順序是非晶硅薄膜偏中間而ITO在最外層，這一順序決定了異質(zhì)結(jié)電池完美地結(jié)合了兩者的優(yōu)點。

具體而言，非晶硅薄膜在偏中間位置，當(dāng)光照到電池內(nèi)時，光生伏特效應(yīng)下產(chǎn)生了電子-空穴對，在P-N結(jié)內(nèi)建電場的作用下，電子向N區(qū)定向移動，空穴則向P區(qū)。以P區(qū)為例，這個過程中，在P區(qū)靠近內(nèi)建電場處，由于本征激發(fā)的電子（P區(qū)的少子）受內(nèi)建電場作用可能往N區(qū)移動，P區(qū)的電子和來自向P區(qū)定向移動的空穴就可能互相靠近發(fā)生復(fù)合。在異質(zhì)結(jié)電池中，可能發(fā)生復(fù)合的區(qū)域則沉積了非晶硅薄膜（a-Si:H），低載流子復(fù)合率的優(yōu)勢就發(fā)揮出來了，同時由于在內(nèi)部并沒有與金屬極接觸，高接觸電阻的劣勢并沒有顯現(xiàn)。光生伏特產(chǎn)生的電流導(dǎo)出到金屬電極則經(jīng)過ITO薄膜，此時ITO的低接觸電阻優(yōu)勢發(fā)揮出來。因此，異質(zhì)結(jié)電池?fù)碛懈叩霓D(zhuǎn)化效率。

電氣設(shè)備異質(zhì)結(jié)電池行業(yè)深度報告?

電氣設(shè)備異質(zhì)結(jié)電池行業(yè)深度報告?

薄膜沉積是異質(zhì)結(jié)工藝的核心。異質(zhì)結(jié)電池制造工藝主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO薄膜沉積和絲網(wǎng)印刷，其中核心工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO薄膜沉積。由于高溫易使雜質(zhì)擴散而影響非晶硅薄膜質(zhì)量，從而影響鈍化效果，異質(zhì)結(jié)電池制造過程采用低溫工藝，一般電池制造可能高達(dá)800℃，而異質(zhì)結(jié)電池制造一般不超過200℃。不僅僅是薄膜沉積是低溫工藝，絲網(wǎng)印刷也采用低溫銀漿，這就保證了非晶硅薄膜的質(zhì)量。相對PERC工藝更為簡潔和精密，并借鑒半導(dǎo)體工藝。就BSF電池以及在其基礎(chǔ)上改進(jìn)的PERC而言，其工藝流程步驟相對繁瑣，但異質(zhì)結(jié)電池的工藝僅四步。異質(zhì)結(jié)電池更多地借鑒了半導(dǎo)體工藝，在清洗制絨階段，使用半導(dǎo)體的RCA工藝。由于需要進(jìn)行薄膜沉積，異質(zhì)結(jié)電池工藝使用的PECVD和CVD也更為精密，更偏向半導(dǎo)體工藝。

電氣設(shè)備異質(zhì)結(jié)電池行業(yè)深度報告?

2.1、清洗制絨：

從借鑒半導(dǎo)體RCA工藝到新型臭氧工藝異質(zhì)結(jié)電池對硅片表面清潔度要求更高，主流清洗工藝為RCA工藝，新興工藝為臭氧清洗工藝。硅片經(jīng)過前期的工序加工后，表面可能受到有機雜質(zhì)、顆粒、金屬離子等沾污，在制作電池的第一步都是對硅片進(jìn)行清洗。同時為了增加對光的能量吸收以及提升鈍化效果，在硅片表面腐蝕出金字塔形貌以作為陷光結(jié)構(gòu)也非常重要。異質(zhì)結(jié)電池要形成高鈍化的a-Si:H/ｃ-Si(n)界面，硅面表面清潔度要更高，因此相比BSF和PERC電池而言，異質(zhì)結(jié)電池對清洗制絨的要求也會更高一些。清洗主流工藝為RCA法。RCA法最早由美國RadioCorporationofAmerica研發(fā)用于半導(dǎo)體晶圓清洗工藝，該工藝包含SC1和SC2兩個步驟，分別使用NH4OH、H2O2和HCl、H2O2。由于NH4OH和H2O2本身的揮發(fā)性較強，而RCA工藝溫度高于60℃更是加劇了其揮發(fā)，從而引起更高的清洗成本。以臭氧為基礎(chǔ)的工藝則成為新的關(guān)注點，臭氧去離子水（DIO3）不僅可以更高效地去除有機雜質(zhì)和金屬雜質(zhì)，同時減少化學(xué)品的消耗，而且

不會產(chǎn)生含氮廢水。根據(jù)德國Fraunhofer研究所，臭氧清洗的異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)化效率比RCA最高可高出絕對值0.45%。臭氧清洗工藝已于2015年開始在異質(zhì)結(jié)規(guī)?；a(chǎn)中進(jìn)行推廣，但在國內(nèi)的應(yīng)用還不廣泛。

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