眾做周知，濕法腐蝕和濕法清洗在很早以前就已在半導(dǎo)體生產(chǎn)上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優(yōu)越的性能。伴隨IC集成度的提高，硅片表面的潔凈對(duì)于獲得IC器件高性能和高成品率至關(guān)重要，硅片清洗也顯得尤為重要。濕法腐蝕是一種半導(dǎo)體生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的工藝，由于其高產(chǎn)出，低成本，高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應(yīng)用。
濕法腐蝕工藝
濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過(guò)化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。
用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。根據(jù)所選擇的腐蝕劑，又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多，包括各種鹽類(lèi)(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否獲得高純?cè)噭?/span>，以及希望避免金屬離子的玷污這兩個(gè)因素的限制，因此廣泛采用HF—HNO3腐蝕系統(tǒng)。各向異性腐蝕是指對(duì)硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率?；谶@種腐蝕特性，可在硅襯底上加工出各種各樣的微結(jié)構(gòu)。各向異性腐蝕劑一般分為兩類(lèi)，一類(lèi)是有機(jī)腐蝕劑，包括EPW(乙二胺、鄰苯二酚和水)和聯(lián)胺等，另一類(lèi)是無(wú)機(jī)腐蝕劑，包括堿性腐蝕液，如KOH、NaOH、NH4OH等。
就濕法和干法比較而言，濕法的腐蝕速率快、各向異性差、成本低，腐蝕厚度可以達(dá)到整個(gè)硅片的厚度，具有較高的機(jī)械靈敏度。但控制腐蝕厚度困難，且難以與集成電路進(jìn)行集成。
華林科納是國(guó)內(nèi)最早致力于研究濕法清洗設(shè)備的，其中SPM自動(dòng)清洗系統(tǒng)設(shè)備主要用于LED芯片制造過(guò)程中硅片表面有機(jī)顆粒和部分金屬顆粒污染的自動(dòng)清洗工藝。
設(shè)備名稱(chēng)：SPM腐蝕機(jī)
適用領(lǐng)域：外延及芯片制造
設(shè)備用途：硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備
主要功能：通過(guò)對(duì)硅片腐蝕、漂洗等方式進(jìn)行處理，從而達(dá)到用戶(hù)要求的一個(gè)效果。可處理的晶圓材料是硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等?？梢郧逑吹墓杵叽?/span>2-8寸（25片/藍(lán)）。