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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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光刻版清洗設(shè)備工藝

時間: 2017-01-11
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光刻版清洗設(shè)備工藝

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光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和微光學(xué)、微機械技術(shù)的先導(dǎo)和基礎(chǔ),他決定了集成電路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物,這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年,國家將 LED照明列入為重點發(fā)展產(chǎn)業(yè),LED 行業(yè)迅猛發(fā)展。

LED 制造過程中,具有光刻版的使用量多,使用頻繁的特點。大多生產(chǎn)廠家為了節(jié)省成本,主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低

廉的設(shè)備達到較高的曝光精度,但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚,在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠,

導(dǎo)致光刻膠粘附到光刻版表面(圖 1)。對于 IC 行業(yè),因為線條更細,精度要求更高,所以光刻版的潔凈程度更加重要。對于硅片清洗而言,其顆粒移除率(PRE)不需要達到 100%,但對于光刻版而言卻并非如此,其原因是對于產(chǎn)品良率而言,光刻版表面顆粒的影響更大,單晶圓缺陷只影響一個缺陷,而一個光刻版卻影響到每一個芯片[2,3]。

由于零成像缺陷是可以實現(xiàn)的,工廠內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈,必須定期對光刻版進行清洗,而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。

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1 光刻版清洗工藝

1.1 光刻膠及其他有機污染物的去除對于光刻膠及其他有機污染物,比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同時可以超聲提高浸泡效果。對于比較干凈的光刻版,浸泡基本就能將有機污染物去除干凈。對于光刻膠較多的光刻版,浸泡只能將光刻膠泡軟,還需要用無塵布或無塵棉蘸丙酮輕輕擦洗,或在光刻版清洗設(shè)備中采用毛刷刷洗,通過外力將頑固的光刻膠去除掉。毛刷刷洗基本原理如圖 2 所示,光刻版勻速旋轉(zhuǎn),噴嘴向光刻版表面噴灑丙酮等化學(xué)液,使得光刻膠由于溶解而變得松軟,然后毛刷接觸到光刻板表面,光刻板旋轉(zhuǎn)時與毛刷產(chǎn)生相對運動,輔以噴嘴噴出的化學(xué)液,對光刻版表面起到刷洗作用。刷洗完成后,通常采用高壓 DI 水沖洗光刻版,通過高壓微細水滴的沖擊力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻膠。

第二種辦法對于所有的有機材料都是有效的,它采用濃硫酸和 30%過氧化氫的混合物 (在>100 ℃時,混合比通常為 2:1~4:1),之后是去離子水(DI)沖洗,稱為 Piranha 刻蝕。這種方法對于特別難去除的光刻膠或由于接觸過高溫等環(huán)境導(dǎo)致已經(jīng)變性的光刻膠非常有效,并且可以得到很

高的去膠效率。隨后的清潔即去除圖案化、檢查和修復(fù)任何殘留在光刻版表面的光刻膠或顆粒污染物。在最有效的工藝中,強氧化劑清洗之后是氫氧化銨噴霧,以抵消殘留酸(從而形成硫酸銨,一種易去除的鹽);然后用去離子水沖洗以消除硫酸銨。

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1.2 無機顆粒污染物的去除

對于較大顆粒的去除,前面所述的有機溶劑去膠方式和氧化劑氧化方式都會緊接著用 DI 水沖洗或輔助高壓水沖洗,大顆粒已經(jīng)去除干凈。

對于較小顆粒(0.2~0.5 μm),由于光刻版表面靜流層(Viscous boundary layer)的存在,普通的DI 水沖洗的方式無法將其去除。通常采用在 DI水中加兆聲的方式,利用兆聲產(chǎn)生高速水分子流動,清洗微小顆粒。圖 3 表示的是一種在單片旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備上常用的兆聲噴頭清洗方式。

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1.3 干燥

在手工清洗工藝中,一般采用氮氣噴槍將光刻版吹干,這種方式受人為因素影響大,人手接觸光刻版時可能將其再次污染,氮氣噴槍使用不當(dāng)導(dǎo)致液體飛濺,易在光刻版表面殘留水漬。

目前比較成熟的干燥方式是在單片旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備上采用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力將光刻版甩干,在這個過程中可以采用氮氣噴頭提高干燥速度。若仍需要提高效率,氮氣也可以采用加熱的方式或氮氣噴頭在光刻版表面做掃描運動(見圖 4)。

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2 光刻版清洗典型設(shè)備結(jié)構(gòu)

光刻版清洗設(shè)備整體結(jié)構(gòu)根據(jù)其自動化水平可以分為半自動光刻版清洗機和全自動光刻版清洗機。圖 5、圖 6 是兩種設(shè)備的臺面布局圖,圖 7是單片旋轉(zhuǎn)清洗腔功能示意圖。

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對于半自動光刻版清洗機,通常配置一個浸泡工位和一個單片旋轉(zhuǎn)清洗工位。光刻版先在浸泡工位內(nèi)浸泡,然后拿到單片旋轉(zhuǎn)清洗腔內(nèi)清洗、甩干。這種設(shè)備操作簡單,設(shè)備價格低,適用于光刻版不經(jīng)常清洗的半導(dǎo)體廠家。

對于全自動光刻版清洗機,通常配置上下料工位、傳輸機械手、1~2 個單片旋轉(zhuǎn)清洗腔、光刻版自動翻轉(zhuǎn)工位等。只需要將裝有光刻版的片架放到上下料工位,啟動程序,設(shè)備會自動完成光刻版的傳輸、雙面清洗、干燥等。這種設(shè)備智能化程度高,一次可以清洗 10~20 塊光刻版,且工藝效果

和工藝一致性好。全自動光刻版清洗機適用于光刻版清洗量大,曝光工藝主要還采用接觸接近式曝光的半導(dǎo)體廠家,例如 LED 生產(chǎn)廠家。

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如圖 7 所示,單片旋轉(zhuǎn)清洗腔主要工作原理

是在光刻版旋轉(zhuǎn)的同時采用擺臂噴頭向其表面依次噴灑各種化學(xué)液或 DI 水。這種方式使得反應(yīng)了的藥液馬上流走,能夠保證噴到光刻表面的都是新鮮的化學(xué)液,從而防止交叉污染,保證了清洗的效果。單片旋轉(zhuǎn)清洗腔采用集成度很高的模塊化設(shè)計,在其中包含了外腔、防濺腔、旋轉(zhuǎn)卡盤、自動門、罩子、各種工藝等。工藝可以根據(jù)需要選擇化學(xué)液(例如 ACETONE、IPA)、毛刷 刷 洗、常 壓 DI水、兆聲 DI 水、高壓 DI 水(或高壓熱 DI 水)、氮氣(或熱氮氣)等,工藝組合靈活,適用性強。

3 光刻版清洗效果

在前面所述的全自動光刻版清洗機上,對某LED 廠家的光刻版進行了清洗,清洗前后在 200倍的顯微鏡下效果如圖 8 所示。能夠很明顯看到,光刻膠被有效去除。

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4 結(jié) 論

本文指出了光刻版清洗的重要性,闡述了兩種常用的光刻版清洗工藝,列舉了較成熟的半自動光刻版清洗機和全自動光刻版清洗機的主要結(jié)構(gòu)及組成及其適用對象,最終通過在全自動光刻版清洗機上進行了試驗,得到了非常理想的工藝效果。(來源于:期刊:電子工業(yè)專用設(shè)備)


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