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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關(guān)清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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中央化學品配送CDS系統(tǒng)工藝

時間: 2017-01-10
點擊次數(shù): 1722

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??從半導體原材料到轉(zhuǎn)化為各式各樣的集成電路或者分立器件,其轉(zhuǎn)化過程利用了幾百種復雜程度不同的化學反應。毫無疑問,在半導體的制造工業(yè)中,需要大量的特殊材料和化學品。芯片制造首要是一種化學工藝,或者更準確地說,是一系列的化學 物理工藝過程,高達20%工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。

??近年來光電與光伏半導體工業(yè)發(fā)展迅速,相關(guān)的制程越來越復雜,線寬越來越窄(已將進入納米級),工藝要求也越來越高,生產(chǎn)過程需要使用大量的化學藥品,而這些化學品都具有一定危險性和腐蝕性,稍有疏忽,就會造成人員傷亡和設備的損失,所以如何將這些化學品在保證品質(zhì)的前提下安全輸送到制程設備并安全使用是至關(guān)重要的,同時如何將這些使用過的化學品合理地回收處理,也將是半導體產(chǎn)業(yè)工廠生產(chǎn)安全的重要問題,這些都對工廠各系統(tǒng)的持續(xù)無故障運行能力以及所提供的制程相關(guān)原料品質(zhì)提出了更高的要求。在半導體產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)中,化學液供應系統(tǒng)主要以中央供應系統(tǒng)為主,用量較少之化學液則采取人工供應方式。

?? 中央化學液供應系統(tǒng)縮寫為CDS(Chemical Dispense Systerm)或者簡寫為BCD(Bulk Chemical Distribution),它是為生產(chǎn)線24h不間斷供應化學液的系統(tǒng)。一般使用CDS系統(tǒng)的化學液都有需求量大、危險性高的特點。

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CDS系統(tǒng)上主要供應給以下的工藝步驟:

  • 光刻顯影制程需要的化學液顯影芯片圖案;

  • 晶圓清洗制程需要的化學液用以清洗芯片上的雜質(zhì)、微粒子等;

  • 濕法刻蝕制程需要的化學液用以刻蝕.芯片圖案;

  • 薄膜制備制程需要的化學氣相沉積前置反應物;

  • 化學機械拋光制程需要的化學液用以拋光芯片.

  • 研磨制程需要的化學液用以研磨芯片:

清洗配件載體需要的化學液用以清洗制程設備零配件,半導體各個制程中使用的工藝會對運輸?shù)皆O備的化學液提出各種要求,其中對化學液的溫度、濃度、成分比例、狀態(tài)、反應或者混合時間、使用量的人小、流速等都有具體的要求,所以在運輸前、運輸中以及運輸后這些狀態(tài)是否要達到標準,是否會隨著運輸或者儲存時間狀態(tài)發(fā)生變化。這些因素決定了化學液注入最終使用設備是否能直接參與工藝使用。

半導體工藝過程中主要使用的化學液大致可分四類,酸、堿、有機物化學研磨液、配比類化學液。

(l)酸。含有氫離子的液體叫做酸,包括HF、HNO3、H2SO4、王水和H3PO4等,以下是一些在半導體加工中常用的酸及其用途:

a)氫氟酸HF,是氟化氧的水溶液,無色透明液休,蒸汽有刺激臭味,劇毒。通過氫氟酸溶解二氧化硅這一特性來腐蝕玻璃、石英和硅片表面上的氧化層來達到刻蝕和請洗的目的。

b)鹽酸HCL,是氯化氫氣體溶解于水制得的無色透明有刺激性氣味的液體,腐蝕性強,易揮發(fā)鹽酸、雙氧水和去離子水組成SC2溶液。通過雙氧水氧化污染的金屬,而酸與金屬離子生成可溶性的復化物而溶解,最終達到去除金屬污染物的目的。

c)硫酸H2SO4,無色無嗅的油狀液體。濃度95%-98%,相對體積質(zhì)量為1.838的硫酸為濃硫酸,氧化性強、吸水脫水性、腐蝕性強和高沸點難揮發(fā)性等,Piranha Clean溶液由硫酸和雙氧水組成,通過硫酸及雙氧水的強氧化性和脫水性破壞有機物的碳氫鍵,去除有機不純物。

(2)堿,含有氫氧離子的液體叫做堿,包括NH3.H2O、NAOH、KOH和氫氧化四甲基銨,以下是一些在半導體加工中常用的堿及其用途:

a)氨水NH4OH。SC1溶液是由氨水、雙氧水和去離子水組成。通過利用氮水的弱堿性活化硅晶圓及微粒子表面,使Wafer表面與微粒子間產(chǎn)生了相互排斥作用,以達到去除微粒子的作用。并且氨水與部分過度金屬離子形成可溶性絡合物,去除金屬不溶物。具有氧化作用的雙氧水氧化wafer表面的作用,然后氮水對硅氧化物進行微刻蝕,去除顆粒。

b)氫氧化鉀KOH,溶有硅土(Silica,SiO2)的氫氧化鉀溶液或者氨水溶液,使用在化學機械拋光制程中,是一種界電層平坦化研磨液,還是組成光刻后顯影液的一種成分

(3)有機溶劑,包含異丙醉、NMP、乙醉、顯影液、光刻膠稀釋劑等等。以下是一些在半導體加工中常用的有機溶劑及其用途:

a)異丙醇,行業(yè)中稱為IPA,無色透明液體,氣味和乙醇類似,易燃易爆易揮發(fā),有中度毒性。常利用IPA和水氣溶的特性作為晶圓的干燥劑。

b)丙酮,無色刺激性氣味液體,易燃.中毒毒性,腐蝕性強.常用于黃光室里正光阻清洗去除。常用化學液的主要危害性見表1。

(4)配比類化學品

?如SC一l、SC一2、DHF、BOE、SPM等配比化學品。

SC一l(也稱RCA一l):由H202、NHOH、DIW組成。早期一般質(zhì)量比為1:1:5,現(xiàn)在質(zhì)量比為1:1:30。

需要在使用前才混合。使用溫度在80℃左右。

SC一2(也稱RCA一2):由H20:、HCI、DlW組成。

一般質(zhì)量比為1:l:5。

DHF:HF與DlW組成的稀溶液。

BOE(也稱BHF):HF緩沖溶液,由NH4F和HF組成的混合物。質(zhì)量比在5:1一30:1。

SPM:由H2SO4和H2O2組成,通常質(zhì)量比為4:l 使用溫度超過100℃

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在半導體生產(chǎn)工廠中使用的中央化學藥液供應系統(tǒng)可以根據(jù)機臺的不同有兩種分類,一種是單純的藥液供應系統(tǒng)(Supply Systerm):將化學液自儲存設備,利用供酸機臺及管路供應給制程機臺使用。另一種是具有混合、加熱或者攪拌等功能的功能系統(tǒng)(Functional System):將藥液從儲存設備,先經(jīng)過稀釋混合、加熱、冷卻或者攪拌沉淀的功能之后,再供應給制程機臺使用。具體使用哪種供液方式,取決于機臺的功能以及工藝上的要求。

2.1中央供藥液基本要求

不同系統(tǒng)會有不同的要求,但是大部分的供液系統(tǒng)有相同基本的要求:

(l)操作安全性,能耐腐蝕、耐壓力、防爆等:

(2)化學液零污染,要求系統(tǒng)中與化學液接觸部分完全與化學液兼容,不會產(chǎn)生反應或者溶解:

(3)微粒子控制,藥液因為溫度壓力可能會產(chǎn)生微粒,需要用過濾器循環(huán)過濾:

(4)流量要求,各個機臺需要的流量不同,整個供液系統(tǒng)需要滿足最高的流量要求:

(5)泄露報警,如果系統(tǒng)中有泄露的地方,需要立即發(fā)出警報,在界面中顯示出泄露大概區(qū)域,并且暫停這一部分的供液功能,關(guān)閉相關(guān)部分的閥門和動力系統(tǒng),使得故障能迅速恢復,將損失降到最低。把信息結(jié)果匯入故障診斷系統(tǒng);

(6)取樣分析,各段供應的化學液需要進行自動取樣分析,根據(jù)需要分析系統(tǒng)和管路中帶入的粒子以及金屬離子。把結(jié)果匯入故障診斷系統(tǒng);

(7)自動控制運轉(zhuǎn),系統(tǒng)和各個機臺的交互運行能夠進行自動控制,提供運行監(jiān)控界面,顯示實時系統(tǒng)狀態(tài),其中包括泵、過濾系統(tǒng)、壓力容器等的各種參數(shù),如果一旦有參數(shù)超出正常范圍,進行自動調(diào)節(jié)之后將進行報警,將信息匯入故障診斷系統(tǒng);

(8)自動的維護保養(yǎng)系統(tǒng)功能,能夠在系統(tǒng)閑時,根據(jù)具體情況,定期對系統(tǒng)管路進行保養(yǎng)維護以及清潔,延長各個系統(tǒng)的使用,提高系統(tǒng)的安全性:

(9)化學液用量的統(tǒng)計,能根據(jù)人為控制或者自動結(jié)算監(jiān)控,及時調(diào)整藥液供應時間和頻率,使得藥液供應能及時補充生產(chǎn),不成為整個生產(chǎn)的瓶頸;

(10)系統(tǒng)白動故障診斷,根據(jù)前面提及的各個控制系統(tǒng)匯總的故障信息,自動診斷故障點或者可能發(fā)生故障點的相關(guān)度,最大化的縮短故障排除時間。

2.3 中央集中供藥液方式

一首先根據(jù)藥液使用量的人小選擇藥液的供應容器,如果使用量很大,比如在多個清洗步驟中都會使用到的強氧化劑11202以及強酸濃硫酸H2SO4,就使用槽車供應先到化學液充填站,再使用氮氣加壓輸送至大于10m3的存儲罐中。使用量中等或者少量的化學液例如HF以及顯影液等,則使用便攜式可移動的容器來輸送到主管路。經(jīng)過過濾系統(tǒng)的化學液則通過氮氣或者泵分別輸入各個三通閥箱。

化學液的驅(qū)動方式有兩種,一種是泵傳輸,一種是使用N2產(chǎn)生壓力輸送。其中常用于半導體中央供藥液的泵也有很多種類,其中因為驅(qū)動方式的不同可以分為氣動泵、電動泵和磁力泵等,其中氣動泵成本經(jīng)濟,并且可使用耐腐蝕材料制造,輸送一些酸性藥液。磁力泵密封性很好,可以做到完全不泄露,動力輸入和輸出可以完全零摩擦,降低能耗。電機驅(qū)動的泵可以做到很精確的閉環(huán)控制,已達到最終的高精度輸出.而N2壓力輸送,常用在一些藥液黏度大,用量精度高、揮發(fā)性強以及燃點低的情況下。

2.4 化學液集中供應系統(tǒng)控制流程

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圖1:中央集中供液的總體流程示意圖

液會根據(jù)使用量的大小采取不同的供應容器,通過化學液過濾系統(tǒng)CDU過濾不符合要求的微粒子,再通過三通閥箱TeeBox閥箱以及分支閥VMB供應到各個機臺,其中在各段不同點需要有化學液采樣分析盒SampleBox,最終的分析信息需要匯總到總控制臺的故障診斷系統(tǒng)。圖2:單路多反饋控制流程圖。

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具體到單路的控制流程里,主管路將溶液供應到CDU過濾系統(tǒng),當化學液中的微粒尺寸和數(shù)量滿足要求之后,會將電信號反饋給OCP即運算處理器。當機臺發(fā)出需求信號時,OCP判斷CDU信號,如果滿足要求OCP將控制信號通過HUB放大信號之后發(fā)送給VMB分支閥箱,這時過濾好的藥液就會通過三通閥箱以及分支閥箱供應給機臺。如果機臺、閥箱以及過濾系統(tǒng)有漏液、堵塞以及完成等態(tài),信號會被反饋給OCP,OCP將處理當前狀態(tài),關(guān)閉執(zhí)行單元,并且將信號通過HUB發(fā)送到系統(tǒng)數(shù)據(jù)監(jiān)控和采集系統(tǒng)SCADA System,相應發(fā)出警示或者警報。

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在一些清洗或者刻蝕工藝中,有些機臺使用的是不同化學液的混合物,需要根據(jù)一定的體積或者質(zhì)量比例進行配液。機臺可能會在工藝槽中直接配液,或者有配液槽進行提前配液以及其它的預備功能,比如加熱、攪拌反應或者冷卻降溫等。現(xiàn)在通常使用的都是將質(zhì)量比例換算成體積比例進行配比。精度要求不高的,并且混合后體積不會有很大變化的混液過程,可以通過混液槽里使用液位傳感器進行體積控制。精度要求高的使用流量傳感器來測量流過的液體體積。為了達到較高的精度要求,傳感器則需要安裝在距離配液容器進口處,圖4為帶混液槽的化學品部分系統(tǒng)示意圖。

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2.5 化學液集中供應安全防護系統(tǒng)

化學液輸送系統(tǒng)需要以下安全裝置:

(1)設置溢出流量閥或者開關(guān)(Excess Valve Switch)以及相應排放管道,用于在系統(tǒng)中由于某些故障造成的輸送無法停止、泄露以及腐蝕等等緊急情況下,化學液的排放溢出。

(2)泄露相關(guān)安全保護,其中包括檢測化學液泄露的傳感器。這類傳感器有耐腐蝕性,能夠保證長時間的檢測壽命??筛鶕?jù)具體化學液的性質(zhì)進行類型選擇,如果有導電性,可選擇導線式傳感器,可根據(jù)不同點之間電阻值得變化檢測到泄露以及泄露位置。如果無導電性,可選擇光電式傳感器,可避免化學液接觸導致的腐蝕。除了選擇檢測傳感器,還需要有泄露二次圍堵和排放功能,以免泄露造成污染腐蝕等引起的二次危險和損失。

(3)各段化學液供應源處安裝手動開關(guān),在遇有緊急情況時可切斷化學液供應或者分流,以保證需要保護的裝備切斷或者減少化學液進入。

(4)化學液捅、槽和柜進行填充時,需要有液位傳感器或者壓力傳感器,實時監(jiān)測化學液液位及壓力,如果超過設定值時供應必須自動停止。

(5)易燃易爆化學液輸送系統(tǒng)應該配有滅火裝置,使用火焰、溫度或者煙霧傳感器監(jiān)測,一旦發(fā)生險情,必須能進行有效的滅火且有聲光報警,以及遠程報警信號傳輸。

2.6 超高純化學品系統(tǒng)材料選擇:

? ?化學品供應系統(tǒng)中設備容器及管路使用的材料表:

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半導體工藝化學過程中,需要用到200多種超純的化學品。人們通常把這些化學品都統(tǒng)稱為“電子化學品,廣義的電子化學品涵括太陽能級、液晶顯示級、以及半導體級的各種超純化學品。這些化學品的一個共同點是,對其中微量的雜質(zhì)含量控制非常嚴格。毫無疑問,超純的PFA材料非普通PFA因其特殊的化學性能(耐溫、耐腐蝕、雜質(zhì)析出量少等特性)是此類化學品的首選,下圖一、圖二是某公司PFA材料的雜質(zhì)含量數(shù)據(jù):

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:1.檢測按?SEMI Standard F57?規(guī)定的方法進行;

? ? ? ?2.“ρA”為?PFA?本體中金屬離子的含量,單位?μg/m2;“ρB”為析出水中的金屬離子的質(zhì)量濃度,單位?μg/L;

? ? ? ?3.“…”代表低于檢出限?;

? ? ?這些雜質(zhì)的含量需要用專門的儀器如ICP-MS來進行檢測。即使如此,這些雜質(zhì)尤其金屬離子如果超標,極易導致半導體的電性能異常,輕則導致產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵,重則完全報廢。以超純氫氟酸(HF)為例,其雜質(zhì)含舉要求見下表。

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此外,電子化學品生產(chǎn)出來后,需要運輸?shù)绞褂脝挝唬ㄈ缣柲茈姵仄?、液晶而板廠、芯片廠等)供其使用。運輸一般需要專用的ISO TANK(國際標準液體罐式集裝箱),材質(zhì)一般為不銹鋼內(nèi)襯超純PFA。在使用單位,上而述及的酸、堿等電子化學品其儲罐需要超純PFA來襯里,其輸送的管線也需要用PFA雙套管。

附注:PFA材料主要性質(zhì):熔點302~310℃,相對密度2.12一2.17;23℃和200℃時,拉伸強度分別為27一31MPa和一11MPa,屈服強度為15MPa和45MPa; 23℃時延伸率280%一400%,邵氏硬度D60,線脹系數(shù)(20一100℃)0.12×10-3K-1,最高連續(xù)使用溫度260℃。PFA樹脂對幾乎對所有的化學試劑和溶劑是惰性的,與通常的酸、強堿、氧化還原劑、鹵素或溶劑接觸都基本無變化,但和其他全氟碳聚合物一樣會與熔融堿金屬和元素氟反應。

關(guān)于化學品系統(tǒng)施工方面可參考《GB 50781-2012 電子工廠化學品系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》


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