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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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日本芯片逆襲史第二部

時間: 2018-09-18
點擊次數(shù): 117

日本半導體在1970-1985年的15年間到達了“黃金時代”,但物極必反、盛極而衰的事物發(fā)展規(guī)律是永恒不變的,且看日本怎么應對。

由盛而衰背后是未能抓住規(guī)?;瘷C會

1980年代后期,日本的DRAM市場份額開始大幅衰退,根本原因是DRAM市場結構發(fā)生巨變,頻繁發(fā)生的貿(mào)易摩擦也一定程度上阻礙了行業(yè)發(fā)展。

日本芯片逆襲史第二部

日本企業(yè)在早期大型計算機所用的存儲器上有技術優(yōu)勢,看重的是存儲器的品質。但1980年代后期,隨著個人電腦市場蓬勃發(fā)展,對存儲器的可靠性和壽命要求較低,更側重于低價。但日本當時依舊以高可靠性為生產(chǎn)標準,未能很好地適應市場變化。

日本芯片逆襲史:從進口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

有業(yè)內人士指出,盡管當時日本公司看到了個人電腦市場的動向,但仍執(zhí)著于成品率,在降低成本方面比較欠缺。對比日韓的半導體公司會發(fā)現(xiàn),韓國公司在成本上大幅領先于日本公司,生產(chǎn)同樣的元器件,日本公司使用的設備數(shù)量竟是韓國的2倍,生產(chǎn)流程過長,進而無法降低成本。

另有分析指出,這也和日本制造商沒有采取Fabless模式有關。這種水平分工的發(fā)展模式可以使專業(yè)公司專注設計,代工廠專注生產(chǎn),可以對市場變化做出迅速反應,將機器折舊影響到的成本劣勢降到很低。

日本芯片逆襲史第二部:從進口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

▲ Fabless模式

“日本的半導體制造大多仍是大集團下的子部門,盡管個別產(chǎn)品有不錯的成績,但在品牌占有率達到一定程度后,該模式無法再有效推升其半導體的零組件往下一個里程碑前進。Fabless模式是半導體產(chǎn)業(yè)在規(guī)模經(jīng)濟發(fā)展下的必然走向。而以日本的發(fā)展模式來看,與其說錯失了市場的大變化,不如說半導體發(fā)展有很強的規(guī)模經(jīng)濟作為營運支撐,而日本制造商未能發(fā)展出具有相對應經(jīng)營型態(tài)與經(jīng)濟規(guī)模的廠商,造成其競爭力不斷被削弱?!奔钔貕惍a(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏對21世紀經(jīng)濟報道記者表示。

此外,日本半導體產(chǎn)業(yè)也受到了外部貿(mào)易摩擦的影響。日本半導體業(yè)的不斷崛起,讓美國同行危機感攀升。這可以從媒體報道窺見一斑。1978年,美國《財富》雜志刊登了《硅谷的日本間諜》的報道;1981年3月和12月,又兩次刊登報道敲響美國半導體行業(yè)的警鐘。1983年,《商業(yè)周刊》雜志刊登了長達11頁的《芯片戰(zhàn)爭:日本的威脅》的專題。

日本芯片逆襲史第二部:從進口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

美國半導體工業(yè)協(xié)會(SIA)

隨著日本廠商的大量產(chǎn)能進入市場,供給嚴重過剩引發(fā)了全球DRAM的價格暴跌。1985年6月,美國半導體工業(yè)協(xié)會(SIA)向美國貿(mào)易代表辦公室提起對日本半導體產(chǎn)品傾銷訴訟;此后,美光向美國商務部提起日本64K DRAM傾銷訴訟。“日美半導體戰(zhàn)爭”正式開戰(zhàn)。

這場戰(zhàn)爭最終以“日美半導體協(xié)定”了結。協(xié)定內容主要包括改善日本市場的準入和終止傾銷。美國加快推進研發(fā),成功奪回寶座。到1993年,美國半導體公司的世界份額重回世界第一,并保持至今。

由于外部貿(mào)易摩擦激化,日本公司開始向內需拉動的增長模式轉型。在1985-2000年的15年間,日本電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值和出口增加了1.5倍,而內需增加了2倍多。

日本芯片逆襲史第二部:從進口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

▲日本泡沫經(jīng)濟破滅20年

在1990年代初,日本經(jīng)歷了泡沫經(jīng)濟崩潰,進入“失去的20年”。2000年以后,日本GDP增長停滯,日本電子產(chǎn)業(yè)總體出現(xiàn)衰退。2013年日本電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值是11萬億日元,不到峰值時(26萬億日元)的一半。

“1980年代末,日本經(jīng)濟達到了全球第二,美國以廣場協(xié)議和日美半導體協(xié)定來施壓,這大幅打壓了日本企業(yè)的獲利能力。而韓國趁勢舉國家之力來發(fā)展半導體行業(yè),不久后日本經(jīng)濟泡沫破裂,補貼難以維系?!憋@示及半導體行業(yè)咨詢機構CINNO副總經(jīng)理楊文得對21世紀經(jīng)濟報道記者表示,半導體行業(yè)發(fā)展和一國的宏觀經(jīng)濟情況息息相關,因為這是資金超級密集的產(chǎn)業(yè),需要持續(xù)的、大規(guī)模資金投入才會成功。當一國經(jīng)濟整體不景氣時,就難以大力支持其發(fā)展。

瘦死了的駱駝比馬大,日本雖說是經(jīng)歷了發(fā)展模式與市場的不一致,泡沫經(jīng)濟的崩潰等問題,但1980年代末日本經(jīng)濟達到了全球第二,后由于美國、韓國的追趕,使得經(jīng)濟整體不景氣,日本人的鉆研精神是不可忽視的,那日本半導體業(yè)是否能重現(xiàn)當日的輝煌呢?



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