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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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半導(dǎo)體晶片電鍍陰極組件

時間: 2022-03-11
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半導(dǎo)體晶片電鍍陰極組件

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本文講述了一種用于半導(dǎo)體晶片電鍍的陰極組件,采用金屬結(jié)構(gòu)環(huán)上的聚合物涂層,為待電鍍的晶片表面的周邊提供低輪廓密封。聚合物涂層也是電的使金屬絕緣,使其可以與電鍍液接觸使用,并且仍然是電接觸系統(tǒng)的一部分,不需要保護性塑料外殼。于用于形成密封的涂層可以非常薄,并且可以由相對較強的金屬結(jié)構(gòu)支撐,因此導(dǎo)管組件在晶片鍍側(cè)表面上方的突出程度可以最小化。同樣,這種聚合物涂層金屬結(jié)構(gòu)取代了現(xiàn)有技術(shù)中使用的塑料支撐和保護外殼,從而可以顯著降低組件的整體尺寸。這種緊湊的陰極組件在晶片表面上,使鍍電池和振動系統(tǒng)的修改,提供更均勻的銅沉積晶片表面。

1描述了采用聚合物涂覆金屬結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片鍍層的低輪廓陰極組件的一側(cè)。同心金屬結(jié)構(gòu)環(huán)的內(nèi)邊緣與晶片的鍍側(cè)的周邊重疊,其聚合物涂層至少設(shè)置在密封的區(qū)域內(nèi),優(yōu)選在操作期間接觸鍍?nèi)芤旱钠渌麉^(qū)域。如圖1所示密封優(yōu)選包括同心圓形聚合物涂層金屬脊,通過集中施加的力以增加局部密封預(yù)設(shè)和提供冗余來提高密封對晶片的有效性。對于某些應(yīng)用,特別是那些涉及低靜水壓力的應(yīng)用,這種脊可能不需要在聚合物涂層和晶片之間提供足夠的密封。請注意,一個完美的密封是不需要的,因為Damascene過程特別只需要幾分鐘,并且可以容忍少量的溶液侵入電接觸區(qū)域。這里使用術(shù)語“密封”來表示溶液流動的足夠障礙,以使給定的晶片電鍍工藝得以實現(xiàn)。


半導(dǎo)體晶片電鍍陰極組件?

圖?1

在這里需要一種與晶片上的種子層建立電接觸的方法。由于金屬種子層通常非常薄,因此其電阻明顯,通常優(yōu)點是使電接觸在周圍延伸,以平衡和最小電壓損失,否則將導(dǎo)致不均勻的銅沉積。結(jié)構(gòu)環(huán)的接觸表面可以通過紋理來軟化,但這可能很昂貴,而且比其他替代品更不有效。

2描述了陰極組件的優(yōu)選實施例,其具有單獨的金屬接觸固定環(huán)和單獨的背板,以分別提供對接觸環(huán)和密封件上的壓力的獨立控制。接觸壓力環(huán)例如通過一系列機器螺絲(未示出)連接到結(jié)構(gòu)環(huán),以便對接觸環(huán)的外部連續(xù)部分施加壓力。支撐板優(yōu)選具有用于定位晶片的凸起邊緣,并且例如通過一系列機器螺絲(未示出)連接到結(jié)構(gòu)環(huán)。或者,背板可以例如通過一系列機器螺絲直接連接到接觸壓力環(huán)上。

?半導(dǎo)體晶片電鍍陰極組件

2

聚合物涂層應(yīng)用于密封區(qū)域和結(jié)構(gòu)環(huán)的所有區(qū)域。結(jié)構(gòu)環(huán)的邊緣可以延長到需要的長度,以防止電鍍?nèi)芤汉蜎_洗水接觸背板在操作期間。在這種情況下,聚合物涂層將被涂覆在密封區(qū)域和結(jié)構(gòu)環(huán)的外表面上(如圖2所示).如果背板暴露在鍍層溶液中,它也可以被聚合物涂層保護,或者可以由塑料或其他絕緣材料制成。在這種情況下,可以安裝一個適當?shù)膐形圈或墊圈(未示出),以在背板和結(jié)構(gòu)環(huán)之間提供一個密封。適當?shù)?,可以通過結(jié)構(gòu)環(huán)、背板或用于連接的機器螺釘建立電氣接觸。

2中所示的組件還提供了方便的晶圓插入和去除,因為接觸環(huán)通過接觸壓力環(huán)保持到位。如果需要,例如自動化系統(tǒng),可以通過使用翻蓋夾或其他快速隔離連接裝置而不是螺釘將背板連接到結(jié)構(gòu)環(huán)。使用圖中的組件進行自動化。在這種情況下,背板將被晶片載體取代,晶片載體將自動按壓密封件,并在電鍍過程中將其固定在適當?shù)奈恢?。從陰極組件縮回后旋轉(zhuǎn)晶片載體可以用來去除電鍍?nèi)芤汉蜎_洗水。夾緊裝置或真空系統(tǒng)可用于在晶片載體旋轉(zhuǎn)期間保持晶片的位置。

本設(shè)備包括具有廣泛的特定結(jié)構(gòu)環(huán)-部分和形狀、電接觸布置和背板設(shè)計的晶片鍍陰極組件。例如,它可以實現(xiàn)了低輪廓面,但在某些情況下,突出在晶圓表面上方的組件部分的輪廓可能比最大突出更重要??梢圆捎酶鞣N橫截面和形狀的接觸環(huán),或者可以通過其他方法提供電接觸,例如,細絲或金屬毛。結(jié)構(gòu)環(huán)、電接觸環(huán)、接觸壓力環(huán)和密封最好是圓形和同心的,但其他形狀,例如橢圓,可用于鍍圓形晶片或其他形狀的晶片。

金屬往往具有相對較高的電導(dǎo)率,并且是首選,但也可以使用其他導(dǎo)體,如碳化塑料或金屬化塑料。實際上,任何為絕緣涂層提供足夠附件的結(jié)構(gòu)金屬(包括合金)都可以用于結(jié)構(gòu)環(huán)(和背板)。具有高強度的金屬允許使用較薄的結(jié)構(gòu)來提供較低的輪廓或更好的輪廓,而那些具有良好的耐腐蝕性的金屬可以允許使用較薄的絕緣涂層,并提供更堅固的電接觸。用于電接觸環(huán)的金屬不是關(guān)鍵的,但優(yōu)選具有良好的彈性,以提供接觸的彈簧加載,以及良好的抗鍍槽成分引起的氧化和腐蝕。大多數(shù)金屬具有足夠的導(dǎo)電性。預(yù)接觸金屬是不銹鋼和鈹銅,但其他許多金屬都是可以接受的。各種可接受的塑料和O形圈/墊圈材料隨時可用作背板和密封件。

聚四氟乙烯(商品名特氟乙烯(R)是首選的涂層材料,但其他鹵代碳聚合物,如聚三氟氯乙烯(Kel-F(R),具有類似的性能。各種碳可以與其他聚合物混合或結(jié)合,以方便應(yīng)用或達到所期望的性能,例如,低孔隙度。由于大多數(shù)有機聚合物傾向于疏水和合理的柔軟,任何在電鍍浴中穩(wěn)定的聚合物材料,可以作為附著物應(yīng)用,保形涂層都可以提供可接受的結(jié)果。

保形聚合物涂層可以通過多種方法應(yīng)用,包括液體噴涂和粉末涂層,許多此類涂層都作為商業(yè)工藝應(yīng)用。液體噴涂通常包括液體載體/溶劑和隨后的熱處理熔合,這是首選,因為它往往提供低孔隙率的涂層。粉末涂層通過靜電噴涂到加熱基底(例如200°C),然后在較高的溫度(例如350°C)下熱熔,這避免使用液體載體或溶劑,但產(chǎn)生更多孔涂層。聚合物涂層也可以作為在零件上進行聚合的混合物應(yīng)用。

本文所說的陰極組件實際上可以應(yīng)用于任何晶片電鍍工藝,包括那些用于大馬士革銅集成電路制造和焊料碰撞的工藝。任何晶圓材料,包括硅、鍺、硅鍺和砷化鎵,都可以使用該組件進行電鍍。


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