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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(regal-bio.cn),現在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網,關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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銅電鍍工藝中有機清洗銅的大氣等離子體處理

時間: 2022-02-16
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銅電鍍工藝中有機清洗銅的大氣等離子體處理

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本研究利用大氣等離子體,以等離子體表面處理取代化學輔助有機清洗工藝,減少三氯乙烯和氫氧化鈉等化學物質的使用。通過采用大氣等離子體處理,在不使用危險化學品的情況下,獲得勉強可接受的電鍍和清潔結果實驗結果表明,從環(huán)境友好的角度來看,用等離子體處理代替化學過程是合理的此外,還對浸錫/銅進行了等離子體處理,以了解等離子體處理的錫/銅的可焊性,用于實際工業(yè)應用。

本實驗采用的MyPLTM最大直列可處理300 mm的電路板尺寸,適用于大體積微電子封裝制造環(huán)境該系統(tǒng)由射頻電源系統(tǒng)、氣體輸送系統(tǒng)和等離子體產生系統(tǒng)三部分組成射頻電源系統(tǒng)采用13.56兆赫射頻電源,帶有自動阻抗匹配模塊,氣體輸送系統(tǒng)有四個帶數字控制系統(tǒng)的質量流量控制器。

銅電鍍工藝中有機清洗銅的大氣等離子體處理?

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實驗的起點是通過掃描電鏡圖像比較鍍銅樣品,掃描電鏡圖像是通過常規(guī)化學清洗和等離子清洗從樣品中獲得的,將兩個銅箔樣品用水清洗,用化學試劑和等離子體有機清洗,用H2SO4酸洗,并用硫酸銅4H20對清洗后的銅樣品進行電鍍。圖1顯示了電鍍后的掃描電鏡圖像,但是不清楚哪種清洗方法優(yōu)于另一種,似乎圖1(b)是等離子體清潔的樣品,顯示了局部形成的稍大的銅顆粒,但是圖1(a)顯示了更均勻的表面。通過掃描電鏡圖像觀察清潔效果可能會導致表面的近視,因此在以下實驗中選擇了更寬的觀察視野。

?銅電鍍工藝中有機清洗銅的大氣等離子體處理

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化學清洗是通過將樣品浸入化學物質如三氯乙烯、氫氧化鈉和硫酸中三分鐘來完成的。對于等離子體清洗,供應10、20和30 sccm的氧氣,同時輸送10 Ipm的氬氣載氣,這個實驗的顯微圖像如圖 2,在圖2(a)中,呈現了沒有任何預清洗的銅箔樣品,A分別顯示了最清潔的區(qū)域(或殘留區(qū)域)和圖B顯示了污染最嚴重的區(qū)域(或未清潔區(qū)域)。樣品的某些區(qū)域足夠干凈,可能不需要有機清洗,然而,在一些區(qū)域,非常暗的斑點被有機材料污染,在電鍍銅之前應該清洗。圖2(b)顯示了通過將樣品浸入指定的化學浴中三分鐘,用三氯乙烯和氫氧化鈉預清洗的樣品這些樣品看起來很干凈,沒有任何深色污染點

在氧為30 sccm的情況下,離子化的氧可能分解樣品上的有機成分,但高能氧等離子體也能與表面的銅離子反應形成氧化銅,從等離子體處理的實驗結果來看,大約20 sccm的氧氣給出了與化學清潔表面相當的清潔效果,并且用等離子體清潔代替化學清潔的假設在某種程度上是可行的,這表明氧等離子體有利于金屬表面的有機去除,但可能需要長時間的酸洗才能在銅表面進行微蝕刻。

為了防止銅在元件封裝或印刷電路板制造中被氧化,銅金屬化上的浸錫涂層是最終制造過程中的常用工藝,并且它可以被安全地儲存用于下一個組裝過程,在互連金屬等離子體表面處理的第二階段,我們對浸沒的錫/銅表面進行了氦/氬等離子體處理,通過用錫表面的離子鍵取代懸掛鍵來保護錫免受氧化。

為了比較等離子體處理的效果,將制備的樣品分成兩組:一組不進行等離子體處理,另一組進行等離子體處理,300瓦射頻功率下,用5 %氦/氬混合氣體對錫/銅薄膜進行大氣等離子體處理,使用XPS進行表面分析有助于揭示等離子體表面處理的效果,但我們已經通過測量潤濕力對錫表面進行了可焊性測試,以便進行工業(yè)應用

本實驗中的多次回流測試對于模擬實際使用的實際裝配過程是合理的,回流前的潤濕力與未處理的樣品相同,在假設中,表面的懸空鍵變成了與等離子體離子的離子鍵,這可能會降低表面氧化的概率,然而,在多次回流時觀察到一個有趣的潤濕力測量,結果表明潤濕力隨著回流時間的增加和達到最大潤濕力的時間的增加而降低這對于開發(fā)新的工藝是一個令人驚訝和非常不滿意的結果,因為可焊性性能比未處理的樣品差。

為了理解多次回流時可焊性差的機理,還對錫和銅之間形成的金屬間化合物進行了順序電化學還原分析,沒有回流的兩個樣品顯示出相似的IMC結構,因此以相似的方式記錄潤濕力,在回流工藝之后,兩個樣品的IMC結構顯示出差異,在經等離子體處理的樣品中,n層中間相的厚度相對于未經等離子體處理的樣品有所減少。這背后的原因尚未明確,但據認為錫銅結合較少,所以金屬間化合物的厚度呈現出不同的模式,這與銅表面處理的情況類似,但我們沒有預料到多次回流工藝后等離子體處理樣品的可焊性差。

研究互連金屬的大氣等離子體處理在銅電鍍工藝的有機清洗和銅拋光材料的錫/銅膜中的實際應用,在大氣壓下用適量氧氣產生的13.56兆赫射頻等離子體可以適度清潔銅箔樣品上的有機顆粒,并為減少常規(guī)清潔過程中危險化學品的使用提供了封閉的可行性。此外,還研究了銅表面鍍錫的大氣等離子體處理,錫涂層的氧化還原可能是有益的;然而,不良的可焊性被認為是錫表面等離子體處理的一個問題,盡管通過大氣等離子體處理沒有顯著改善金屬化材料的性能,但是通過實驗獲得了與傳統(tǒng)工藝相當的性能,應該繼續(xù)對這一主題進行更深入的研究,以便從性能角度改善環(huán)境效益。


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