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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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銅電鍍工藝中有機(jī)清洗銅的大氣等離子體處理

時(shí)間: 2022-02-15
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銅電鍍工藝中有機(jī)清洗銅的大氣等離子體處理

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本研究利用大氣等離子體,以等離子體表面處理取代化學(xué)輔助有機(jī)清洗工藝,減少三氯乙烯和氫氧化鈉等化學(xué)物質(zhì)的使用。通過采用大氣等離子體處理,在不使用危險(xiǎn)化學(xué)品的情況下,獲得勉強(qiáng)可接受的電鍍和清潔結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,從環(huán)境友好的角度來看,用等離子體處理代替化學(xué)過程是合理的,此外,還對(duì)浸錫/銅進(jìn)行了等離子體處理,以了解等離子體處理的錫/銅的可焊性,用于實(shí)際工業(yè)應(yīng)用。

本實(shí)驗(yàn)采用的MyPLTM最大直列可處理300 mm的電路板尺寸,適用于大體積微電子封裝制造環(huán)境,該系統(tǒng)由射頻電源系統(tǒng)、氣體輸送系統(tǒng)和等離子體產(chǎn)生系統(tǒng)三部分組成,射頻電源系統(tǒng)采用13.56兆赫射頻電源,帶有自動(dòng)阻抗匹配模塊,氣體輸送系統(tǒng)有四個(gè)帶數(shù)字控制系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器。

銅電鍍工藝中有機(jī)清洗銅的大氣等離子體處理?

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實(shí)驗(yàn)的起點(diǎn)是通過掃描電鏡圖像比較鍍銅樣品,掃描電鏡圖像是通過常規(guī)化學(xué)清洗和等離子清洗從樣品中獲得的,將兩個(gè)銅箔樣品用水清洗,用化學(xué)試劑和等離子體有機(jī)清洗,用H2SO4酸洗,并用硫酸銅4H20對(duì)清洗后的銅樣品進(jìn)行電鍍。圖1顯示了電鍍后的掃描電鏡圖像,但是不清楚哪種清洗方法優(yōu)于另一種,似乎圖1(b)是等離子體清潔的樣品,顯示了局部形成的稍大的銅顆粒,但是圖1(a)顯示了更均勻的表面。通過掃描電鏡圖像觀察清潔效果可能會(huì)導(dǎo)致表面的近視,因此在以下實(shí)驗(yàn)中選擇了更寬的觀察視野。

銅電鍍工藝中有機(jī)清洗銅的大氣等離子體處理?

2?

化學(xué)清洗是通過將樣品浸入化學(xué)物質(zhì)如三氯乙烯、氫氧化鈉和硫酸中三分鐘來完成的。對(duì)于等離子體清洗,供應(yīng)10、20和30 sccm的氧氣,同時(shí)輸送10 Ipm的氬氣載氣,這個(gè)實(shí)驗(yàn)的顯微圖像如圖 2,在圖2(a)中,呈現(xiàn)了沒有任何預(yù)清洗的銅箔樣品,A分別顯示了最清潔的區(qū)域(或殘留區(qū)域)和圖B顯示了污染最嚴(yán)重的區(qū)域(或未清潔區(qū)域)。樣品的某些區(qū)域足夠干凈,可能不需要有機(jī)清洗然而,在一些區(qū)域,非常暗的斑點(diǎn)被有機(jī)材料污染,在電鍍銅之前應(yīng)該清洗。圖2(b)顯示了通過將樣品浸入指定的化學(xué)浴中三分鐘,用三氯乙烯和氫氧化鈉預(yù)清洗的樣品,這些樣品看起來很干凈,沒有任何深色污染點(diǎn)。

在氧為30 sccm的情況下,離子化的氧可能分解樣品上的有機(jī)成分,但高能氧等離子體也能與表面的銅離子反應(yīng)形成氧化銅,從等離子體處理的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看,大約20 sccm的氧氣給出了與化學(xué)清潔表面相當(dāng)?shù)那鍧嵭Ч?,并且用等離子體清潔代替化學(xué)清潔的假設(shè)在某種程度上是可行的這表明氧等離子體有利于金屬表面的有機(jī)去除,但可能需要長時(shí)間的酸洗才能在銅表面進(jìn)行微蝕刻。

為了防止銅在元件封裝或印刷電路板制造中被氧化,銅金屬化上的浸錫涂層是最終制造過程中的常用工藝,并且它可以被安全地儲(chǔ)存用于下一個(gè)組裝過程,在互連金屬等離子體表面處理的第二階段,我們對(duì)浸沒的錫/銅表面進(jìn)行了氦/氬等離子體處理,通過用錫表面的離子鍵取代懸掛鍵來保護(hù)錫免受氧化。

為了比較等離子體處理的效果,將制備的樣品分成兩組:一組不進(jìn)行等離子體處理,另一組進(jìn)行等離子體處理,300瓦射頻功率下,用5 %氦/氬混合氣體對(duì)錫/銅薄膜進(jìn)行大氣等離子體處理使用XPS進(jìn)行表面分析有助于揭示等離子體表面處理的效果,但我們已經(jīng)通過測量潤濕力對(duì)錫表面進(jìn)行了可焊性測試,以便進(jìn)行工業(yè)應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn)中的多次回流測試對(duì)于模擬實(shí)際使用的實(shí)際裝配過程是合理的回流前的潤濕力與未處理的樣品相同,在假設(shè)中,表面的懸空鍵變成了與等離子體離子的離子鍵,這可能會(huì)降低表面氧化的概率然而,在多次回流時(shí)觀察到一個(gè)有趣的潤濕力測量,結(jié)果表明潤濕力隨著回流時(shí)間的增加和達(dá)到最大潤濕力的時(shí)間的增加而降低,這對(duì)于開發(fā)新的工藝是一個(gè)令人驚訝和非常不滿意的結(jié)果,因?yàn)榭珊感孕阅鼙任刺幚淼臉悠凡睢?/span>

為了理解多次回流時(shí)可焊性差的機(jī)理,還對(duì)錫和銅之間形成的金屬間化合物進(jìn)行了順序電化學(xué)還原分析,沒有回流的兩個(gè)樣品顯示出相似的IMC結(jié)構(gòu),因此以相似的方式記錄潤濕力,在回流工藝之后,兩個(gè)樣品的IMC結(jié)構(gòu)顯示出差異,在經(jīng)等離子體處理的樣品中,n層中間相的厚度相對(duì)于未經(jīng)等離子體處理的樣品有所減少。這背后的原因尚未明確,但據(jù)認(rèn)為錫銅結(jié)合較少,所以金屬間化合物的厚度呈現(xiàn)出不同的模式,這與銅表面處理的情況類似,但我們沒有預(yù)料到多次回流工藝后等離子體處理樣品的可焊性差。

研究互連金屬的大氣等離子體處理在銅電鍍工藝的有機(jī)清洗和銅拋光材料的錫/銅膜中的實(shí)際應(yīng)用,在大氣壓下用適量氧氣產(chǎn)生的13.56兆赫射頻等離子體可以適度清潔銅箔樣品上的有機(jī)顆粒,并為減少常規(guī)清潔過程中危險(xiǎn)化學(xué)品的使用提供了封閉的可行性。此外,還研究了銅表面鍍錫的大氣等離子體處理,錫涂層的氧化還原可能是有益的;然而,不良的可焊性被認(rèn)為是錫表面等離子體處理的一個(gè)問題,盡管通過大氣等離子體處理沒有顯著改善金屬化材料的性能,但是通過實(shí)驗(yàn)獲得了與傳統(tǒng)工藝相當(dāng)?shù)男阅?/span>應(yīng)該繼續(xù)對(duì)這一主題進(jìn)行更深入的研究,以便從性能角度改善環(huán)境效益。


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