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本文研究了用氟化銨(NH4F)、氫氟酸(HF)和水之間的BHF蝕刻摻雜CVD薄膜的蝕刻速率和反應機理，在我們的研究中，BHF中NH4F的~濃度低于傳統(tǒng)成分比的BHF，即NH4F的濃度設置在較高水平，在本實驗中，通過將NI-I4F濃度設置在15~20%，約為常規(guī)濃度的一半，有幾個好處，但并不影響熱氧化物的蝕刻速率。
在5in上沉積了各種摻雜的CVD薄膜，在300~500~o2、Sill4、乙硼烷、磷化氫和砷化氫的溫度下，將硅晶片逐一地引入環(huán)境中，薄膜厚度范圍為2000~10000A，通過將薄膜溶解在高純度的HF中，測定了摻雜的CVD薄膜中B、P和As的濃度，BHF中HF和NH4F的濃度有所變化，在每次蝕刻過程中，蝕刻劑的溫度均保持在25_+0.1~，蝕刻速率定義為薄膜厚度在單位時間內(nèi)的減小，采用光學型薄膜厚度計(Nanospec210LCW-VT/SP200)測量薄膜厚度。
硅酸砷玻璃膜--As濃度為2%：無熱處理，因此，隨著NH4F濃度的升高，二氧化硅的蝕刻速率急劇增加，然而，一旦NH4F濃度超過等摩爾濃度，HF~的生成就會變得穩(wěn)定，即使NH4F濃度進一步增加，蝕刻速率也幾乎沒有上升。
當NH4F濃度接近20%時，即使HF~生成穩(wěn)定，蝕刻速率也開始下降，這可能是因為優(yōu)勢離子HF~的遷移率由于NH~的增加而降低，圖1顯示了當NH4F濃度變化時，熱二氧化硅氧化物和CVD氧化物的蝕刻速率，圖中的箭頭表示NH4F濃度與HF濃度的增加等摩爾的點：1.85、3.70、5.55、7.40和9.25%。
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圖1
圖2顯示了摻雜6%p的PSG薄膜的蝕刻速率,當PSG薄膜被蝕刻時，初始蝕刻速率隨著NH~I~濃度的增加而變高，直到NH~F濃度與HF濃度等摩爾,在達到峰值后，隨著NH4F濃度的進一步增加，蝕刻速率逐漸降低,這可能會發(fā)生，就像在熱氧化物的情況下一樣，因為H+和HF~在液體中的流動性由于NH4F濃度的高而降低，即由于NH~的增加,由于PSG膜的蝕刻速率大約是熱氧化物膜的25倍左右，因此HF~的遷移率受NH~濃度的影響很大,因此，我們也認為刻蝕速率從NH開始下降,濃度低于等摩爾濃度的區(qū)域。
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圖2
同時，研究了用HF濃度為1%的BHF蝕刻的PSG薄膜的NI-I4F濃度與蝕刻速率之間的關系,PSG膜中的P濃度分別為4、6和15.8%,當NH4F濃度設置在10%或更低時，摻雜P的濃度對蝕刻速率有相當大的影響,隨著NH4F濃度的增加，0~15.8%P的蝕刻速率降低到4倍左右。
為了證實上述假設，并測定了蝕刻速率,結果表明，AsSG薄膜的蝕刻速率高于未摻雜的CVD薄膜,在BSG薄膜的情況下，由于B是三價的，即一價不到四價硅，硅氧氧鍵比非摻雜膜的情況更難斷裂。因此，HF~難以協(xié)調，這使得BSG膜的蝕刻速率低于非摻雜膜，HF濃度設為1%，NH4F濃度設在0~30%之間，BSG薄膜的蝕刻速率低于未摻雜的CVD薄膜，BSG薄膜和PSG薄膜的NH+F濃度與蝕刻速率之間的關系相同。(蝕刻速率隨著NH4F量的增加而增加，當NH4F量與HF量等摩爾時，達到峰值后，蝕刻速率隨著NH4F量的增加而開始下降。)
在某些情況下，硅表面可能會通過蝕刻薄膜而變得粗糙，在BHF中添加少量的表面活性劑可以有效地克服這些問題，因此，當使用高濃度NH4F的BHF作為蝕刻劑時，添加表面活性劑是必要的。BHF中NH、F的濃度，以滿足各目的，通過這樣做，蝕刻過程將能夠處理更多的應用程序，發(fā)現(xiàn)了摻雜劑影響二氧化硅膜蝕刻速率的機理，一系列實驗發(fā)現(xiàn)，PSG、BSG和BPSG薄膜的蝕刻速率由摻雜離子的價數(shù)(P、B等)決定，這一發(fā)現(xiàn)使得可以通過改變要摻雜的離子的量或類型來控制蝕刻速率。
在目前的蝕刻過程中使用的NH4F濃度較高的BHF中，摻雜離子量的變化對蝕刻速率幾乎沒有影響。然而我們發(fā)現(xiàn)，當BHF中的NH4F濃度降低時，就可以適當?shù)乜刂莆g刻速率。發(fā)現(xiàn)了一種蝕刻機理，它使控制熱氧化物和摻雜膜的蝕刻速率成為可能，在熱氧化物和摻雜膜共存的過程中，可以以相同的速率蝕刻不同類型的薄膜，以及通過控制摻雜劑的類型和數(shù)量以及NH4F的濃度來選擇性地蝕刻不同類型的薄膜。