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本文涉及一種基板用韋特蝕刻組合物，其含有0.1~50質(zhì)量%的含氟化合物(A)，0.04~10質(zhì)量%的氧化劑(B)，以及含有水(D)，pH值在2.0~5.0的范圍內(nèi)的SiN層和Si層。 另外，利用該韋特蝕刻組合物的、具有SiN層及Si層的半導(dǎo)體基板的韋特蝕刻方法，使用時(shí)產(chǎn)生的揮發(fā)性成分對(duì)裝置或排氣線的腐蝕和空氣污染，進(jìn)而在減輕組合物中氮粉引起的環(huán)境負(fù)荷的同時(shí)，對(duì)于具有SiN層及Si層的基板，可以提高Si對(duì)SiN的去除選擇性。

已知Si膜可以用堿性水溶液去除，而堿性水溶液在不同晶體面的蝕刻速度有很大不同。 在CVD法成膜的Si膜中，由于不同地點(diǎn)的晶面朝向不同的方向，所以在裸露著難以蝕刻的一面的地點(diǎn)無(wú)法進(jìn)行蝕刻，導(dǎo)致了Si膜無(wú)法去除加工的問題。

通過(guò)利用組合物，在半導(dǎo)體元件的制造工藝中，減輕裝置或排氣線的腐蝕或氮粉中環(huán)境中的負(fù)載，對(duì)于具有SiN層及Si層的基板，可進(jìn)行Si蝕刻速率高，且Si對(duì)SiN的去除選擇性高的韋特蝕刻。

在實(shí)施例和比較例中使用的基板，芯片分別采用CVD法將Si膜成膜到厚度為500的Si基板上的Si膜基板，Low Pressure CVD法將SiN膜成膜到厚度為500的Si基板上的SiN膜基板，切割成方圓1cm的尺寸。

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表2

以上測(cè)量了表2所載韋特蝕刻組合物表4所載溫度下Si膜及SiN膜的蝕刻速率,結(jié)果顯示在表4中。Si膜的蝕刻速度評(píng)價(jià)為C，Si膜/SiN膜的選擇比評(píng)價(jià)也為C。 結(jié)果表明，在氟化氫和高錳酸鉀的混合水溶液中，降低氟化氫濃度降低了Si膜的蝕刻速率，Si膜/SiN膜的選擇比也較低。