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本文通過(guò)使用循環(huán)極化技術(shù)研究了硅在EPW各向異性蝕刻劑(乙二胺、鄰苯二酚和水)溶液中的陽(yáng)極氧化，用x光電子能譜和二次離子質(zhì)譜對(duì)樣品進(jìn)行了表征。

用自動(dòng)擴(kuò)散電阻(ASR)輻照根據(jù)兩個(gè)16的火山硼的濃度分布，結(jié)果如圖1所示，在進(jìn)入17至10陽(yáng)極氧化測(cè)試以產(chǎn)生相同的表面條件之前，使用氫氟酸溶液去除晶片表面的酸膜。

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圖1

繪圖儀尺寸和光束電壓分別為3×3mm2和0.7kV，參比電極為ag / AgCl電極，反電極采用AP網(wǎng)絡(luò)，并安裝溶液濃度，以保持電容器持續(xù)處于受控狀態(tài)。此外，在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，通過(guò)通入氮?dú)夥乐谷芤貉趸?/span>，陽(yáng)極氧化和循環(huán)極化的兩個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)例斜坡率= 02毫伏/秒，初始電位為-100毫伏對(duì)。使用SIMS提高了一個(gè)體積的表面中硼的濃度。圖2用于陽(yáng)極極化和陰極極化的實(shí)驗(yàn)裝置。

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圖2

在耐腐蝕金屬(如不銹鋼)中顆粒的鉻確定陽(yáng)極氧化的情況下，由點(diǎn)引起的內(nèi)腐蝕，其中當(dāng)沿相反方向掃描從無(wú)源區(qū)域到有源區(qū)域的電位以觀察局部不穩(wěn)定形成的氧化膜破裂時(shí)電流密度的行為時(shí)，電流子點(diǎn)迅速降低。該研究實(shí)施例通過(guò)識(shí)別方法觀察硅陽(yáng)極氧化膜的行為，并在y電位時(shí)清洗種子中的樣品。在本研究中，蝕刻-為提供硅陽(yáng)極氧化膜的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，作為確定停止機(jī)理的一部分，首先引入一種分析技術(shù)，根據(jù)陽(yáng)極氧化膜作為鈍化膜的蝕刻低方向性，即在溶液中如何穩(wěn)定地起伏，所有電化學(xué)腐蝕都是高度活躍的。

此外，通過(guò)表面分析，根據(jù)添加劑雜質(zhì)的類型或濃度，觀察陽(yáng)極氧化膜和心肌表面的藍(lán)色和干凈的方面，正在使用重?fù)诫s蝕刻停止方法，p-n結(jié)蝕刻停止方法是一種電化學(xué)g方法，其利用si的陽(yáng)極氧化氧化特性和p-mi結(jié)的電特性，這極大地增加了在反向偏置p-n結(jié)鉗夾下的n型Si實(shí)例的PHL型Si的蝕刻停止，重?fù)诫s蝕刻停止方法使用眾所周知的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，即當(dāng)硼的濃度為5×101”cm3或更高時(shí)，通過(guò)使用e-速度的雜質(zhì)依賴性，蝕刻速率顯著降低，對(duì)于使用p-n結(jié)的電化學(xué)蝕刻停止， 電化學(xué)動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)是氮硅的鈍化電位比硅的鈍化電位更具陰極性，蝕刻通過(guò)在陰極區(qū)設(shè)置任何一個(gè)小孔而不是鈍化電位和磷硅，選擇性地施加任何一個(gè)小孔而形成的間硅雙邊氧化膜，起著鈍化膜的作用。

在陽(yáng)極氧化的情況下，取出樣品，并在超過(guò)電位，即電流密度急劇降低的PP(通過(guò)電位)的時(shí)間進(jìn)行清洗，循環(huán)極化頂點(diǎn)電位為100毫伏vs，PP為8。在本研究中，p-Si的OCP和PP比mSi的情況略高，因此，有源區(qū)跨越了更寬的勢(shì)規(guī)則。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)半導(dǎo)體被放置在電解質(zhì)袋中時(shí)，與金屬的準(zhǔn)晶不同，空間電荷層被留在具有電解質(zhì)的表面中的半導(dǎo)體表面上。在電極上使用陽(yáng)極x射線(1486.6eV)在300瓦、12kV下對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。

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因此，通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以推斷，與輕摻雜的情況相比，這種光下的陽(yáng)極上膜具有更好的化學(xué)狀態(tài)，即作為鈍化膜的特性。此外有源區(qū)形成在非常窄的電勢(shì)隊(duì)長(zhǎng)中，最大電流密度與光do-ping的情況相比，顯示出大約200至300張的小值。如果電位從化學(xué)位移被動(dòng)區(qū)向下掃描到靜態(tài)區(qū)向下掃描，可以看出掃描速率沒(méi)有顯示出聚丙烯中電流密度的中間值，并且在主動(dòng)區(qū)中一直保持被動(dòng)狀態(tài)，即使此時(shí)它足夠慢以維持系統(tǒng)的平衡狀態(tài)。然而，在輕摻雜的情況下，通過(guò)顯示在到達(dá)OCP之前預(yù)先預(yù)測(cè)的氧化膜破裂之外的突然干燥的中間值，示出了遵循非掃描(a)寧時(shí)間的曲線。在硅單晶的情況下，它在物質(zhì)上處于非常均勻的狀態(tài)，并且在向下掃描時(shí)由穿孔密度(中間價(jià)格)引起的峰值達(dá)到潛在例子的電流密度，并且它似乎幾乎同時(shí)發(fā)生在滑動(dòng)表面上，而不是局部地，因?yàn)樗挥诠璧年?yáng)極氧化膜的不銹鋼上的破損處。

通過(guò)注入這些陽(yáng)極氧化物氧化物化學(xué)gtate的XIPS分析結(jié)果，在原子極化狀態(tài)下，表面上的硼濃度分布得高得多，而不管它是否發(fā)生，氧化膜的電負(fù)性甚至在陽(yáng)極酸膜通過(guò)硼向表面的移動(dòng)而被清潔之前就出現(xiàn)了，原因是這是由于o-nias的潛力，但需要更多的研究來(lái)確定確切的原因，然而，作為上述結(jié)果，通過(guò)拖延可以估計(jì)的是，實(shí)際蝕刻頂部?jī)鼋Y(jié)時(shí)的臨界硼濃度大于裂縫前的報(bào)告濃度，這被認(rèn)為對(duì)解釋硼重?fù)诫s蝕刻停止的機(jī)理有很大幫助。

循環(huán)極化實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，在p型和n型硅片上形成的陽(yáng)極氧化物在相同的電位下分解，而在p+-硅的情況下，直到開(kāi)路電位都沒(méi)有發(fā)生分解。據(jù)XPS觀察，磷硅樣品的強(qiáng)抗蝕性與形成強(qiáng)硅氧鍵有關(guān)。SIMS深度剖面圖表明，發(fā)生蝕刻停止的硼的臨界濃度似乎比普遍認(rèn)為的要高得多。