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為了成功地清除來自晶片表面的顆粒污染，有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒（0.1-0.5mm）沉積在硅片上，并通過自旋沖洗和巨型清洗去除，顆粒滾動是硅晶片中變形亞微米顆粒的主要去除機理，超電子學(xué)提供了更大的流流速度，因為超薄的邊界層會產(chǎn)生更大的去除力，能夠完全去除受污染的粒子，為了去除顆粒，有必要了解接觸顆粒與接觸基底之間的附著力和變形。

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圖1

利用自旋漂洗和超氣體學(xué)的水動力去除實驗結(jié)果，比較亞微米粒子的粘附力和去除力，并確定其去除機理，將清洗后和清洗前顆粒計數(shù)的差異除以清洗前顆粒計數(shù)，獲得顆粒去除效率，通過自旋漂洗去除粒子的流場利用了流體動力邊界層中的阻力和升力(如圖所示1)同樣，由于超氣流引起的極薄聲邊界層內(nèi)的阻力和升力對于超氣體清洗中的粒子去除非常重要。

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圖4

如圖所示4，如果作用于顆粒上的升力大于附力，則從表面去除機構(gòu)顆粒，FL3Fa升力比阻力小幾個數(shù)量級，由于阻力已經(jīng)小于粘附力，因此升力太小，無法使PSL粒子脫離表面，如果阻力、升力和粘附力滿足以下公式，也可以通過滑動去除粒子：FD3k(Fa-FL)，其中k為摩擦系數(shù)，定義阻力與附力的比值RS，以判斷是否發(fā)生瞬時滑動的脫離。

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圖5

如圖所示5，對于0.1-0.5mm的亞微米PSL顆粒，自旋漂洗的RM小于1，而巨氣清洗產(chǎn)生更大的RM(RM>>1)，RM隨著顆粒尺寸的增大而增加。因此，正如我們所預(yù)期的那樣，粒子的去除率會隨著RM的增加而增加，超電子學(xué)可以提高粒子的去除效率。通過圖中所示的自旋漂洗和大型清洗數(shù)據(jù)，證實了這一結(jié)論。巨能學(xué)能夠?qū)崿F(xiàn)0.1-0.5mmPSL粒子的完全去除，而自旋沖洗的去除率低于80%。阻力主要通過滾動粒子來去除亞微米顆粒。用硅表面的0.1-0.5mmPSL粒子進行的自旋沖洗和大型清洗實驗驗證了這一點。一個重要的去除參數(shù)RM被定義為去除力矩與粘附力矩的比值。結(jié)果表明，顆粒去除率隨RM的增加而增加，超音學(xué)（高頻超聲）比自旋電子材料雜志，沖洗去除亞微米粒子，因為它在極薄的聲邊界層產(chǎn)生的高頻RM。