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本文涉及一種基板處理方法，更詳細(xì)地說，涉及一種用于清洗基板的基板清洗方法。上述稀釋氨水提供的基板清潔方法，溫度為20℃至70℃，包含上述硫酸和過氧化氫的混合液(SPM)是一種基板清潔方法，其混合比例為110℃至130℃硫酸和常溫過氧化氫為2:1至6:1。

一般情況下，半導(dǎo)體設(shè)備是在基板上以薄膜形式沉積多種物質(zhì)，并將其墊片制造而成，蝕刻工藝是去除在基板上形成的膜質(zhì)的工藝，清潔工藝是去除半導(dǎo)體制造的各端上工藝進行后殘留在基板表面的污染物的工藝，蝕刻工藝及洗凈工藝按工藝進行方式分為濕法方式和干法方式，濕法方式分為布局型式和自旋型式。

本發(fā)明的實施例試圖在特定的基板清洗工藝中降低基板上的輕視污染物生成率，根據(jù)本發(fā)明的一方面，第一步驟，通過向基板提供包含硫酸和過氧化氫的混合液(SPM)，對上述基板進行藥液處理； 在上述第一階段之后，將稀釋的氨水供給上述基板，對上述基板進行藥液處理的第二階段； 在上述第二階段之后，對上述基板進行護發(fā)素的第三階段； 及在上述第3階段之后，可提供一種包括干燥上述基板的第4階段的基板清潔方法。 此外，包含上述硫酸和過氧化氫的混合液(SPM)可由110℃至130℃硫酸與常溫過氧化氫以2:1至6:1的比例混合而成，上述稀釋的氨水可與去離子水(DIW)和氨水以20:1至300:1的比例混合。 此外，上述稀釋后的氨水可提供20℃至70℃。

參照以下所附圖紙詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實施例的基板清洗方法，在說明本發(fā)明中，如果認(rèn)為有關(guān)的公告構(gòu)成或功能的具體說明可能會模糊本發(fā)明的要旨，則省略該詳細(xì)說明。

圖2是示出基板處理裝置一例的剖面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的基板清洗方法的工藝流程圖。 圖4是示出經(jīng)過SPM(SPM)處理后，未經(jīng)過第一標(biāo)準(zhǔn)清潔液（SC-1）處理的基板上的輕型污染物產(chǎn)生量的圖表。 圖5是示出經(jīng)SPM(SPM)處理后經(jīng)稀釋氨水（dNH4OH）處理的基板上的經(jīng)時污染物產(chǎn)生量的圖。

在以下，描述了利用具有上述配置的基板處理裝置來處理基板的工藝，?基板處理工藝，例如，可以是埃辛工藝后對基板進行清洗的工藝，圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的基板清洗方法的工藝流程圖。

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圖3

參照圖2和圖3，基板被加載到自旋頭（340）上，基板由自旋頭的旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)。 分絲構(gòu)件向旋轉(zhuǎn)的基板上提供SPM。 SPM由硫酸（H2SO4）和過氧化氫（H2O 2）以2:1至6:1的比例混合而成。 SPM的供應(yīng)時間可以是25到35秒，供應(yīng)給基板的SPM去除埃辛工藝后殘留在基板上的有機污染物（S10），在利用SPM(SPM)的基板處理工藝后，噴射構(gòu)件（380）向旋轉(zhuǎn)的基板上提供[0030]稀釋的氨水（dNH4OH）。 此時，提供SPM(SPM)的噴射構(gòu)件（380）與提供稀釋氨水（dNH4OH）的噴射構(gòu)件（380）可以是不同的。稀釋后的氨水（dNH4OH）由超純(DIW)和氨水以20:1至300:1的比例混合提供。稀釋的氨水（dNH4OH）的供應(yīng)時間例如可以是15秒至30秒（S20）。

可以看出，在基板清潔工藝時，經(jīng)過SPM(SPM)處理后，未處理第一標(biāo)準(zhǔn)清潔液（SC-1），經(jīng)過2小時的基板上的輕視污染物產(chǎn)生量急劇增加。