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本文涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O/O2氣體氣氛中進行干洗，在CF4等離子體條件下進行干燥，在O2等離子體的條件下進行干燥劑后， 通過執(zhí)行濕式清潔工藝去除上述殘留光刻膠，可以徹底去除半導(dǎo)體裝置制造過程中使用的光刻膠，增進半導(dǎo)體裝置的可靠性，防止設(shè)備污染。
眾所周知， 在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，用于各種電路的無縫電氣連接金屬布線隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的高集成化、高速化，越來越要求以較小的線寬制作。因此，選擇合適的光刻膠是非常重要的，隨著金屬布線的線寬變小，不僅大功率和低壓力被用作金屬布線形成的蝕刻方法，根據(jù)所用光刻膠的特點，去除蝕刻進程中產(chǎn)生的聚合物和光刻膠是非常重要的。
傳統(tǒng)的方法是在半導(dǎo)體裝置的制造過程中使用H2O等離子體、由于蝕刻過程中產(chǎn)生的聚合物，使用O2等離子體進行干洗，可能無法完全去除光刻膠。 即使執(zhí)行濕式清潔，由于等離子體室的高溫，在等離子體發(fā)揮作用之前，隨著晶片停留時間的增加，聚合物也會過度硬化，直接殘存的問題。因此， 本發(fā)明旨在解決上述傳統(tǒng)技術(shù)存在的問題，在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，H2O等離子體，其目的在于提供一種半導(dǎo)體制造用的光刻膠去除方法，利用H2O/O2氣體、CF4等離子體和O2等離子體進行干燥劑，從而達到完美去除光刻膠的目的。
圖1a至圖1i是根據(jù)本發(fā)明，在半導(dǎo)體裝置制造過程中使用的光刻膠的工藝流程圖。如圖1a所示，在半導(dǎo)體元件的制造過程中，在半導(dǎo)體基板上PVD（Physical Vapor?Deposition: 物理氣相沉積法，離子束， 電子束 或通過射頻(RF)沖刷（sputtering）等方法沉積金屬層后，在金屬層上形成用于蝕刻金屬層的光刻膠圖案。 在這里，金屬層可以使用例如Al、Cu、Ti、TiN等金屬。
此外， 正如我們在1b中所看到的，Cl等離子體， 如圖1c所示，采用H2O等離子體的干燥劑，壓力在0.5 Torr-1.5 Torr之間， 在700瓦-800瓦的電源、450 sccm-550 sccm-H2O量、260℃-280℃的溫度下進行28秒-32秒。 可取的是，在1 Torr的壓力、750 W的電源、500 sccm的H2O量、270℃的溫度下，用H2O等離子體干洗30秒。 這是為了將金屬層按照光刻膠圖案蝕刻后產(chǎn)生的聚合物及殘余Cl去除。
其次，如圖1d所示，調(diào)節(jié)等離子體蝕刻室內(nèi)壓力、H2O量、O2量、時間等，在H2O/O2氣體氣氛下進行干燥劑，采用H2O/O2氣體的干燥劑，壓力為8 Torr-12 Torr， 在0W電源、900sccm-1100sccm-H2O量、4900sccm-5100sccm-O2量、260℃-280℃溫度下執(zhí)行4秒-6秒。 最好在10 Torr的壓力、0 W的電源、1000 sccm的H2O量、5000 sccm的O2量、270℃的溫度下用H2O/O2氣體干洗5秒鐘。
通過調(diào)節(jié)等離子體蝕刻室內(nèi)壓力、CF4的量、時間等，如圖1e所做的那樣，利用CF4弗[0020]razma進行干燥劑，在這里， 采用CF4等離子體的干燥劑，壓力在0.5 Torr-1.5 Torr之間， 在700 W-800 W的電源、45 sccm-55 sccm2的CF4量、260℃-280℃的溫度下進行，持續(xù)8秒-12秒。 可取的是，在1 Torr的壓力、750 W的電源、50 sccm的CF4量、270℃的溫度下，用CF4等離子體干洗10秒鐘。
如圖1f所示，通過調(diào)節(jié)等離子體蝕刻室內(nèi)的壓力、H2O量、O2量、時間等，在H2O/O2氣體氣氛下進行干燥劑。采用H2O/O2氣體的干燥劑，壓力為8 Torr-12 Torr， 在0W電源、900sccm-1100sccm-H2O量、4900sccm-5100sccm-O2量、260℃-280℃溫度下進行，持續(xù)8秒-12秒。 可取的是，在10 Torr的壓力、0 W的電源、1000 sccm的H2O量、5000 sccm的O2量、270℃的溫度下，用H2O/O2氣體干洗10秒鐘。
通過調(diào)節(jié)等離子體蝕刻室內(nèi)壓力、CF4的量、時間等，如圖1g所做的那樣，利用CF4等離子體進行干燥劑。 采用CF4等離子體的干燥劑，壓力在0.5 Torr-1.5 Torr之間， 在700 W-800 W的電源、45 sccm-55 sccm2的CF4量、260℃-280℃的溫度下進行16-24秒。 可取的是在1 Torr的壓力、750 W的電源、50 sccm的CF4量、270℃的溫度下用CF4等離子體干洗20秒。通過調(diào)節(jié)等離子體蝕刻室內(nèi)壓力、O2的量、時間等，如圖1h所做的那樣，利用O2普爾razma進行干燥劑。 用O2等離子體干燥劑產(chǎn)生0.5 Torr-1.5 Torr的壓力； 在700瓦-800瓦的電源、2900 sccm-3200 sccm-3的O2量、260℃-280℃的溫度下進行28秒-32秒。 可取的是，在1 Torr的壓力、750 W的電源、3000 sccm的O2量、270℃的溫度下，用O2等離子體干洗30秒。
在此之后，執(zhí)行濕法洗凈工藝，形成完全消除了光刻膠圖案的下部金屬布線，正如在圖1i中所做的那樣。因此， 在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，可以依次進行利用H2O等離子體、H2O/O2氣體、CF4等離子體和O2等離子體的[0025]干燥劑，從而完全消除用于形成底層金屬布線的光刻膠圖案。