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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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超聲波清洗機(jī)振動(dòng)器清洗下一代半導(dǎo)體晶片

時(shí)間: 2021-12-08
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超聲波清洗機(jī)振動(dòng)器清洗下一代半導(dǎo)體晶片

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本文使用高頻超聲波的半導(dǎo)體單片清洗中的微粒子去除進(jìn)行了研究。水中的超聲波在波導(dǎo)管內(nèi)傳播時(shí),根據(jù)波導(dǎo)管的內(nèi)徑形成平面波以外的波導(dǎo)管模式,此時(shí),通過LDV測(cè)量確認(rèn)了波導(dǎo)管彎曲振動(dòng),成為具有行波分布的傳播體。 另外,實(shí)驗(yàn)表明,如果在形成清洗液膜的晶片基板上接近配置波導(dǎo)管,利用透過波導(dǎo)管的超聲波可以得到均勻的微粒子去除。 在具有行波分布的導(dǎo)波管中,不需要由于空化氣泡的捕獲而引起的抗壓,有可能進(jìn)行微粒子的去除,有望應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的無損傷清洗。

在液膜照射中,由于將傳播體靠近晶圓配置,因此形成了比浸漬照射更均勻的聲場(chǎng)。 其結(jié)果是,在120nm的圖案中沒有損傷,得到了90%以上的微粒子去除率。此外,正在研究使用在晶圓上形成的鋁膜和光刻膠(PR)膜作為缺陷成像膜的方法,結(jié)果,即使在低輸入下,也觀測(cè)到了由空化產(chǎn)生的孔缺陷。

對(duì)不僅適用于CMP后清洗,還適用于32 nm以后的下一代微細(xì)圖案清洗的超聲波清洗機(jī)的開發(fā)進(jìn)行了重大研究,提出了以石英波導(dǎo)管為傳播體的超聲波清洗機(jī)用振子。

本文提出了以石英波導(dǎo)管為傳播體的超聲波清洗機(jī)用振動(dòng)預(yù),并說明了液膜照射下超聲波傳播的原理。 通過激光多普勒振動(dòng)速度計(jì)(LDV)測(cè)量試制的傳播體的振動(dòng)速度分布,確認(rèn)其動(dòng)作符合提案,其次,進(jìn)行微粒去除率測(cè)量,確認(rèn)波導(dǎo)管型能夠均勻去除微粒子,另外,觀察超聲波照射產(chǎn)生的空化氣泡,考察其與微粒子去除的關(guān)系。

下面說明用傳播體變換來自聲源的超聲波振動(dòng),照射到液膜上的過程。振動(dòng)分布由傳播體的形狀和材料常數(shù)決定,通過計(jì)算式確認(rèn)得到的波長(zhǎng),另外,通過FDTD 法進(jìn)行分析,掌握波導(dǎo)管內(nèi)形成的波導(dǎo)模式。

對(duì)由傳播體的形狀決定的振動(dòng)分布進(jìn)行說明。圖1是作為傳播體的波導(dǎo)管和實(shí)心棒的俯視剖視圖,水平配置在形成液膜的晶片上,1(a )的波導(dǎo)管型中,從聲源照射的超聲波在充滿波導(dǎo)管內(nèi)的水中通過縱波傳播。為了使波導(dǎo)壁彎曲波振動(dòng),需要使波導(dǎo)管的內(nèi)徑2α相對(duì)于水中的波長(zhǎng)λw變大,產(chǎn)生平而波以外的模式。

超聲波清洗機(jī)振動(dòng)器清洗下一代半導(dǎo)體晶片?

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顯示試制的波導(dǎo)管型及實(shí)心棒型振子的結(jié)構(gòu),通過激光多普勒振動(dòng)速度計(jì)(LDV)測(cè)量各個(gè)傳播體的振動(dòng)速度分布。試制的液膜照射用振動(dòng)器的結(jié)構(gòu)如3所示,這是垂直于晶片的切割圖向波紋表面供給洗液后,在波紋表面和傳播體之間通過表面張力形成洗液膜。 振動(dòng)器由聲源部分和傳播體構(gòu)成。3a)是波導(dǎo)管型,作為傳播體使用內(nèi)徑4mm、厚1nlIn、長(zhǎng)300 mm的石英玻璃管波導(dǎo)管與不銹鋼制的受音部連接,從聲源到受音部的腔體進(jìn)行調(diào)整腔體是向波導(dǎo)管供給的傳播液的流路,波導(dǎo)管的保持使用0環(huán),采用容易裝卸的結(jié)構(gòu)。

?超聲波清洗機(jī)振動(dòng)器清洗下一代半導(dǎo)體晶片

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LDV測(cè)量了波導(dǎo)管及實(shí)心棒的振動(dòng)速度分布。 圖4表示裝置構(gòu)成,使用的LDV的響應(yīng)頻率為10 Mliz的e餌軸臺(tái)以0.15 mm的間距移動(dòng),在相當(dāng)于200 mm晶圓設(shè)置位置的A、B、G的r處測(cè)量了振動(dòng)速度分布,測(cè)量是在空氣中工作的靜態(tài)特性,以頻率900kHz、輸入10W驅(qū)動(dòng)聲源,通過頻譜分析儀獲取輸出電壓的基本波成分,傳播液的溶解氮濃度通過調(diào)節(jié)器保持恒定。

為了測(cè)量微粒子去除率,我們確認(rèn)了波導(dǎo)管型的微粒子均勻去除是可能的,并觀察了超聲波照射產(chǎn)生的空化氣泡,考察了與微粒子預(yù)去除的關(guān)系。傳播體被布置成穿過波的中心,并且通過軸臺(tái)的掃描,超聲波可以被輻射到波的整個(gè)表面。

振動(dòng)器的掃描次數(shù)在液膜照射和流水照射時(shí)不同,超聲波照射時(shí)間均為20s。 洗滌液是氮飽和水(N2濃度:18Ppm)。 測(cè)量結(jié)果如4所示流水照射在聲源輸入30W時(shí)得到了89%的PRE。

因此,在實(shí)際使用中要求90%左右的PRE。 波導(dǎo)管型的PRE在30W時(shí)為78%,10W時(shí)為65%,雖然略低于流水照射時(shí)的PRE,但確認(rèn)了可以除去微粒子,實(shí)心棒在10W時(shí)為54%,結(jié)果低于波導(dǎo)管型。

接下來,測(cè)量液膜照射中的細(xì)顆粒去除分布,將附著在韋伯上的0.2μm直徑的微粒子增加到7x104個(gè)左右,在波導(dǎo)管的正下方殘留有微粒子,如果向y軸方向掃描傳播體,則可以全面除去。

在使用水聽器的聲場(chǎng)測(cè)量中,存在諸如由于空化引起的元件損壞和水聽器本身干擾聲場(chǎng)的問題,為了測(cè)量液膜中的聲場(chǎng),利用頻譜分析儀,對(duì)輸出電壓進(jìn)行頻率分析的結(jié)果如所示。在聲源中獲得的輸入密度為17w/cm2,如果不考慮聲源的轉(zhuǎn)換損失,則在LT波的情況下,波導(dǎo)管內(nèi)的聲壓被計(jì)算為714kPa,并且通過波導(dǎo)管側(cè)面的聲壓比波導(dǎo)管內(nèi)的聲壓低四分。

但是,由于生成空化氣泡所需的聲壓為100kPa左右,可以認(rèn)為是100kPa以希的聲壓。 這里的空化只要不被駐波分布捕獲,作為不產(chǎn)生壓壞的穩(wěn)定空化,反復(fù)進(jìn)行膨脹和收縮振動(dòng)。 在穩(wěn)定的空腔周圍,觀察到了稱為微流的流動(dòng)。 另外,也有報(bào)告指出微流式傳輸?shù)奈⒘W尤コЧ?/span>因此,波導(dǎo)管型振子的微粒子去除是在穩(wěn)定的空化作用下進(jìn)行的,有可能不伴隨空化壓碎。

在實(shí)際的清洗工序中,有使用作為藥液的氨過氧化氫水的工序,通過將pH提高到11左右,以達(dá)到除去微粒子及防止再附著的目的。在流水照射中,由于保持聲源的外殼和包裝與清洗液接觸,因此可以使用的pH有限度,但是在波導(dǎo)管型中,接觸液體部件只有作為傳播體的石英,可以使用的pH沒有限制。通過沿傳播體集中氣泡分布,可以得到比駐波更均勻的微粒去除分布。

本文提出了以石英波導(dǎo)管為傳播體的超聲波清洗機(jī)用振子,并說明了超聲波傳播的原理。 通過激光多布拉振動(dòng)速度計(jì)(LDV)測(cè)量試制的傳播體的振動(dòng)速度分布,確認(rèn)了按照提案形成了行波分布。 測(cè)定微粒子去除率的結(jié)果顯示,波導(dǎo)管型的去除率略低于流水照射的去除率,但可以去除微粒子,通過超聲波照射,觀測(cè)到了液膜中的空化氣泡氣泡分布為微粒子去除分布,可以說氣泡的舉動(dòng)與微粒子去除相關(guān),另外,微粒子去除分布因傳播體的振動(dòng)分布而存在差異。 行波通過沿著傳播體集中空化氣泡,可以得到比駐波更均勻的微粒子去除分布。

根據(jù)超聲波照射產(chǎn)生的空化氣泡以及高次諧波成分的觀測(cè),可以認(rèn)為透過波導(dǎo)管側(cè)面的聲壓為100kPa以h。 這里的空化在行波分布中不會(huì)產(chǎn)生壓壞。 另外,由于可以期待微流式的微粒子去除效果,因此波導(dǎo)管型的微粒子去除有可能不伴隨空化壓壞而進(jìn)行。 我們將探討在波網(wǎng)上形成的光刻膠膜作為缺陷的成像膜使用的方法可以認(rèn)為,該方法不僅可以分析有無缺陷,還可以根據(jù)空化壓壞引起的一個(gè)個(gè)孔缺陷分析壓壞時(shí)的能量微粒子去除率的測(cè)量,在用300mm片葉旋轉(zhuǎn)清洗機(jī)進(jìn)行的同時(shí),通過使用藥液氨過氧化氫水(APM),探討了實(shí)用的微粒子去除的可能性。


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