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引言
本文主要報道了ProTEK PSB在實際應(yīng)用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發(fā)現(xiàn)了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側(cè)刻和有機溶劑或氧化灰難以去除引物。為了制造一個lsi集成的觸覺傳感器，我們使用了帶有低溫氧化物底層的ProTEK PSB。這種組合解決了ProTEK PSB的側(cè)面刻蝕問題和低溫氧化物的針孔問題，提供了可以在低溫下制備的實用堿性刻蝕掩膜。
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實驗
首先，在Si基板上適量滴加底漆，在3000pm下旋轉(zhuǎn)涂布1分鐘。 涂布底漆后，使用熱板在110C下280°℃分鐘 用加熱1分鐘。 然后，滴下ProTEKPSB，與底漆相同，在3000 rpm下旋涂1分鐘。 涂上ProTEK PSB后，用熱板在110℃下加熱1分鐘加熱。加熱后，用I線以1000mJ/cm2的曝光量進行曝光。 曝光后，用熱板在110℃下加熱2分鐘。 影時，在乳酸乙酯中浸泡5分鐘，充分攪拌， 顯影后，用異丙醇( IPA )清洗，用旋轉(zhuǎn)干燥器干燥。 最后，用熱板在220C下加熱3分鐘使之硬化。
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圖1
如圖1所示可以形成4μm，5μm和10μm的線和空間，在這些臺階上測量的膜厚均為3μm。 本研究使用表面形狀測量儀進行了膜厚測量， 在圖案化后，使用TMAH（25%，80°C）蝕刻Si，相對于蝕刻深度5μm，側(cè)蝕刻為1.5μm， 側(cè)蝕刻相對于蝕刻深度的比例（如圖2所示），與圖案寬度無關(guān)，約為30%。 這種側(cè)面蝕刻不是大多數(shù)應(yīng)用都能允許的量，需要改善光刻膠的附著力。
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圖2
對集成LSI和MEMS傳感器的觸覺傳感器的制作中應(yīng)用ProTEK PSB的例子進行說明。 使用ProTEK PSB的工序如圖4所示，是將作為傳感器結(jié)構(gòu)體的Si晶圓和LSI晶圓用樹脂粘接后，形成傳感器結(jié)構(gòu)體和導(dǎo)線取出槽的堿濕蝕刻工序。
由于LSI晶圓背面沒有附著氧化膜，需要沉積用于堿性濕法蝕刻的掩膜材料。但是，由于LSI晶圓不能進行高溫工藝，不能使用熱氧化膜和熱CVD的氮化膜。另外，通過等離子CVD的低溫氧化膜/氮化膜和濺射沉積的金屬膜由于有針孔，不適合作為掩膜。 因此，在掩膜中使用了ProTEK PSB。 ProTEK PSB顯影后，用IPA清洗，用旋轉(zhuǎn)干燥器干燥。 最后，使用熱板在220℃下加熱3分鐘使其硬化。 此時，就會產(chǎn)生上述側(cè)面蝕刻的問題。 這可能是因為本裝置使用的是粘著劑，因此清洗受到限制，僅使用2.5%氨水進行清洗。 因此使用等離子體CVD的低溫氧化膜和ProTEK PSB的組合，或者濺射的低溫氧化膜和ProTEK PSB的組合。
作為能夠低溫形成的堿性濕法蝕刻用掩模，與單獨使用低溫氧化膜和ProTEK PSB的掩模相比，低溫氧化膜和ProTEK PSB組合的掩模能夠抑制側(cè)面蝕刻，為了更容易理解而進行的比較實驗的結(jié)果。 作為掩膜，顯示了使用(a)ProTEK PSB、(b)通過等離子CVD堆積的低溫氧化膜、(c)通過等離子CVD堆積的低溫氧化膜和ProTEK PSB的組合、以及(d)通過高頻磁控濺射堆積的低溫氧化膜和ProTEK PSB的組合的結(jié)果。 這里，蝕刻深度為200μm。 僅將低溫氧化膜用于掩模時，針孔不僅會產(chǎn)生蝕刻坑，特別是在掩模端通過針孔進行側(cè)面蝕刻。 另一方面，如果將低溫氧化膜與ProTEK組合，則可以得到良好的結(jié)果。
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結(jié)論
對新型堿性濕法蝕刻用負型光敏性抗蝕劑ProTEK PSB和非光敏性的ProTEK B3進行了評價。 使用ProTEK PSB可以形成4μm的線和空間。 另外，側(cè)面蝕刻相對于蝕刻深度的比例約為30%，與蝕刻寬度無關(guān)。 另外，ProTEK PSB可以用O2灰化除去，殘留的底漆可以用1%HF完全除去。 側(cè)面蝕刻較大，以及底漆剝離需要HF，這是ProTEK PSB實際應(yīng)用于器件時的問題。 本論文提出了回避這些問題的方法。
將涂有ProTEK B3的Si基板在TMAH（25%，80°C）中浸泡24小時后，通過側(cè)面蝕刻從晶圓端剝離了1 mm。 另外，ProTEK B3可以用丙酮和O2灰化除去，殘留的引物可以用1%HF完全除去，將LSI和MEMS傳感器集成化的觸覺傳感器的制作工藝適用于ProTEK PSB。 在從LSI晶圓背面取出器件的電線的工序中，通過TMAH對LSI晶圓背面進行蝕刻，但由于工藝溫度的限制，無法在LSI晶圓上形成熱氧化膜和高溫氮化膜作為掩模材料。
因此，在利用等離子CVD在350°C下沉積，或者利用高頻磁控濺射沉積的低溫氧化膜上對ProTEK PSB進行圖案化，利用HF對低溫氧化膜進行蝕刻，直接利用TMAH進行了蝕刻。 因此防止了低溫氧化膜從針孔中的蝕刻，如果使用通過等離子體CVD在350℃下沉積的低溫氧化膜，則側(cè)蝕刻可以控制在9μm，如果使用通過高頻磁控濺射沉積的低溫氧化膜，則側(cè)蝕刻可以控制在15μm。