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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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Marangoni干燥中晶片殘留液滴的干燥過(guò)程及控制

時(shí)間: 2021-11-30
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Marangoni干燥中晶片殘留液滴的干燥過(guò)程及控制

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引言

? ? ? 為了闡明半導(dǎo)體制造業(yè)中用于沖洗和干燥過(guò)程的馬蘭戈尼干燥過(guò)程中硅片上液滴干燥行為的機(jī)理,利用CCD相機(jī)研究了液滴在有機(jī)氣體溶解過(guò)程中的干燥時(shí)間。用微光學(xué)濃度傳感器測(cè)量了液滴中有機(jī)成分的濃度。此外,還分析了由相平衡得到的評(píng)價(jià)干燥時(shí)間和濃度的數(shù)值方法。兩者在質(zhì)量上都很一致。最后,通過(guò)數(shù)值分析,提出了降低水印、有機(jī)和水濃度的指南。

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實(shí)驗(yàn)

? ? ? 如圖1所示,通過(guò)這樣做,在晶圓和純水的界面上形成的彎月面尖端的薄膜部分,有機(jī)物成分濃度比其根部部分高,使薄膜部分的表面張力更低。結(jié)果,在彎月面的根部部分之間產(chǎn)生表面張力梯度,通過(guò)Marangoni力將彎月面吸引到根部部分,即促進(jìn)排水。

? ? ? 在本研究中,在馬蘭戈尼干燥方面, 在明確晶圓上殘留的液膜、液滴的干燥機(jī)理的同時(shí),通過(guò)它以得到降低水印的指針為目的。為此,本論文進(jìn)行了以下的討論。液滴的IPA濃度和干燥時(shí)間,由于實(shí)際的干燥是在室溫下進(jìn)行的,所以即使除去溫度的影響,干燥氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度(相對(duì)濕度)也是密切相關(guān)的。在此,首先,通過(guò)模擬晶圓上殘留液滴的干燥的實(shí)驗(yàn)裝置,通過(guò)CCD攝像機(jī)的觀察和獨(dú)自的濃度測(cè)量探針,分別明確了氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度(相對(duì)濕度)對(duì)干燥時(shí)間的影響,以及干燥過(guò)程中液滴的IPA濃度變化的影響。并且,通過(guò)這個(gè)實(shí)驗(yàn)得到了結(jié)果。

? ? ? 為了掌握所得到的液滴的干燥過(guò)程的詳細(xì)情況,成分氣液相平衡線圖為基礎(chǔ),進(jìn)行了有關(guān)干燥過(guò)程的數(shù)值分析。最后,以通過(guò)這些得到的見(jiàn)解為基礎(chǔ),明確了為了降低水印,干燥氣氛氣體所要求的IPA以及水蒸氣濃度。

? ? ? 圖2中表示實(shí)驗(yàn)裝置的概略。在這里,不拉起晶圓,通過(guò)在水平上的晶圓上設(shè)置液滴來(lái)模擬殘留液膜、液滴。測(cè)試單元是亞克力制的,幾乎被密閉,其容積為1×10―3m3.在支撐晶圓的臺(tái)上,為了使氣體能夠通過(guò),設(shè)置了充分的間隙。在單元的下部,為了得到水蒸氣氣氛,設(shè)置了裝有水的容器。IPA氣體, 從測(cè)試單元底面的2處孔供給, 通過(guò)晶圓臺(tái)的縫隙, 從上面的孔中抽出,向單元的供給, 將通過(guò)質(zhì)量流量控制器進(jìn)行流量調(diào)整的N2包含在IPA的液中進(jìn)行。為了抑制由于蒸發(fā)引起的IPA液溫度的下降,使用了恒溫槽。液滴的IPA濃度為 如圖所示,將獨(dú)自的濃度探針通過(guò)單元上部的孔進(jìn)行測(cè)量。該濃度探針由光纖構(gòu)成,通過(guò)讀取測(cè)量部的溶液的折射率,可以測(cè)量與其依存的IPA水溶液的濃度。??

? ? ? 用CCD相機(jī)拍攝的IPA氣體溶解時(shí)晶圓上液滴的干燥時(shí)間,橫軸表示RhIPA。 縱軸是干燥時(shí)間。參數(shù)是Rhwater.另外,在這個(gè)實(shí)驗(yàn)中沒(méi)有插入濃度探針。另外,圖中的實(shí)線的曲線是數(shù)值計(jì)算結(jié)果,關(guān)于這個(gè)在后面敘述。

? ? ? 因此,關(guān)于在現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)生的若干小的液滴也是同樣的傾向。用光纖濃度計(jì)測(cè)量的IPA氣體溶解時(shí)的液滴的xIPA的時(shí)間性變化,模擬該實(shí)驗(yàn)的數(shù)值計(jì)算結(jié)果。關(guān)于這一點(diǎn)將在后面敘述??紤]到的平衡點(diǎn),在非平衡的液滴接近平衡點(diǎn)的假設(shè)下,對(duì)如何蒸發(fā)進(jìn)行數(shù)值性調(diào)查。分析的概要如下。如果給出液滴的xIPA,其表面的蒸氣壓就可以確定為圖中的―點(diǎn)。這個(gè)蒸氣壓是IPA和水的蒸氣壓的和,各個(gè)蒸氣壓也可以讀?。ā汀瘢?。氣氛如果氣體的IPA和水的蒸氣壓為△,○的點(diǎn),那么將該蒸氣壓差作為驅(qū)動(dòng)力,就可以決定單位時(shí)間內(nèi)的蒸發(fā)或溶解量。如果決定了這一點(diǎn),就很容易時(shí)刻追蹤液滴的大小和濃度。下面,就具體的分析模型和單位時(shí)間內(nèi)的蒸發(fā)(或溶解量)的決定方法進(jìn)行說(shuō)明。

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討論和總結(jié)

? ? ? 在本解析中,液滴被IPA氣體搬入的空氣強(qiáng)制催促蒸發(fā),以此來(lái)進(jìn)行解析。在解析時(shí),設(shè)定如下的假設(shè):(1)晶圓上的液滴為半球,其內(nèi)部以及周圍的氣氛中的溫度是一樣的。(2)液滴體積微小,并且,氣體溶解、蒸發(fā)時(shí),由于內(nèi)部發(fā)生移動(dòng)液滴自身的流動(dòng),所以液滴內(nèi)部的濃度是一樣的。另外,(3)由于氣氛中的IPA氣體相對(duì)于溶解量被充分供給,因此不考慮氣相的擴(kuò)散,設(shè)定其濃度相同。

? ? ? 此外, 分析中采用的“液滴IPA濃度相同”的假設(shè) 這種不一致的原因也是令人擔(dān)憂的,如果液滴內(nèi)的IPA擴(kuò)散不充分,表面附近IPA濃度高的情況下,由于水的蒸發(fā)被抑制,實(shí)際上,即使干燥時(shí)間比分析長(zhǎng),也不能認(rèn)為會(huì)變短。作為殘留的可能性,可以舉出給出的液滴周圍的物質(zhì)傳達(dá)率不是這個(gè)體系的東西。不能否定放置在墻面上的液滴的物質(zhì)傳達(dá)率估計(jì)過(guò)高。關(guān)于這一點(diǎn),想作為今后的課題。一部分,在大的液滴尺寸下,分析和實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)了不一致,但是在實(shí)際的殘留液滴這樣小的情況下,兩者顯示了很好的一致,因此為了調(diào)查干燥行為,可以利用本分析。

? ? ? 關(guān)于液滴的xIPA的時(shí)間變化,首先,對(duì)Rhwater濃度低(0%)進(jìn)行論述。實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)值分析結(jié)果雖然不能說(shuō)定量一致,但是定性的結(jié)果非常一致。具體來(lái)說(shuō),就是像實(shí)驗(yàn)結(jié)果中所看到的那樣,從某個(gè)時(shí)刻開(kāi)始xIPA的急劇增加,以及RhIPA對(duì)其急劇上升時(shí)刻的影響。但是,實(shí)驗(yàn)中Rhwater為30%時(shí)的結(jié)果,也出現(xiàn)了不一致的情況。在這個(gè)Rhwater的分析中, 液滴的xIPA與實(shí)驗(yàn)的相比略有顯著增加(RhIPA為40, 70[%]。這是, 在上述液滴尺寸較大的情況下, 分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不一致被認(rèn)為是同樣的理由。但是, 根據(jù)前面所述的干燥時(shí)間的考察,如果液滴尺寸變小的話,關(guān)于這個(gè)濃度變化,也可以充分考慮顯示良好的一致。如上所述,定量上可以確認(rèn)若干的不一致,這是由于本研究中提出的分析模型并不是嚴(yán)密地模擬實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),另外,關(guān)于物質(zhì)傳遞的各種參數(shù)(對(duì)流物質(zhì)傳遞所涉及的周圍環(huán)境和氣體流速等)是根據(jù)假定和預(yù)測(cè)給出的。但是,由于得到了良好的定性一致,所以可以認(rèn)為通過(guò)本分析模型,可以充分把握干燥過(guò)程中的物理現(xiàn)象。

? ? ? 因此,在本研究中,在Marangoni干燥中,在明確晶圓上殘留的液膜、液滴的干燥機(jī)理的同時(shí),以通過(guò)其獲得降低水印的指針為目的。在本論文中,在實(shí)驗(yàn)性地調(diào)查給予液滴干燥過(guò)程的氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度的影響的同時(shí),通過(guò)并用數(shù)值分析明確了其詳細(xì)情況。并且,在該分析的基礎(chǔ)上,為了促進(jìn)液滴的干燥,另外,提出了將液滴的水迅速置換為IPA的指針。

? ? ? 隨著晶圓的大口徑化, 到目前為止, 關(guān)于在半導(dǎo)體制造的清洗·干燥技術(shù)中被認(rèn)為有效的Marangoni干燥, 水印的發(fā)生被視為問(wèn)題。關(guān)于水印的發(fā)生, 在清洗時(shí)殘留在晶圓上的液滴中的灰塵是原因的想法根深蒂固的情況下, 可以認(rèn)為,溶解在液滴水中的氧和Si的氧化反應(yīng)是其原因。


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